|
Поделиться
Поделиться
Hynix выпустила образцы 512 Мб микросхем DDR266
Южнокорейская компания Hynix Semiconductor объявила о начале производства микросхем памяти 512 Мб DDR SDRAM по
0,13-микронной технологии. Модель поддерживает частоту 266 МГц, а чуть
позже появятся и 333 МГц-овые модели, как заявил представитель компании.
Несомненно, технологические достижения компании налицо, но само заявление в большем степени носит характер рекламной акции. Производители памяти лишь недавно перешли со 128 Мб устройств на 256 Мб, и сама Hynix признает, что переход на 512 Мб микросхемы памяти произойдет не раньше 2003 года.
Тем не менее, сделанное заявление говорит о стремлении компании выйти в лидеры внутри рынка памяти, заодно являясь попыткой заручиться поддержкой будущих инвесторов. Кроме 512 Мб микросхем DDR266 компания пообещала в скором времени выпустить в свет первые образцы чипов DDR2.
Несомненно, технологические достижения компании налицо, но само заявление в большем степени носит характер рекламной акции. Производители памяти лишь недавно перешли со 128 Мб устройств на 256 Мб, и сама Hynix признает, что переход на 512 Мб микросхемы памяти произойдет не раньше 2003 года.
Тем не менее, сделанное заявление говорит о стремлении компании выйти в лидеры внутри рынка памяти, заодно являясь попыткой заручиться поддержкой будущих инвесторов. Кроме 512 Мб микросхем DDR266 компания пообещала в скором времени выпустить в свет первые образцы чипов DDR2.
Короткая ссылка
