Hitachi выпускает первые 512-мегабайтные модули памяти на базе 256-мегабитных чипов SDRAM

Полупроводниковое подразделение (The Semiconductor Group) компании Hitachi анонсировало выпуск первых 512-мегабайтных DIMM-модулей оперативной памяти на основе 256-мегабитных чипов DRAM с использованием технологии DDR (Double Data Rate). Данные 184-пиновые модули поддерживают высокоскоростную выдачу данных с пропускной способностью до 2.1 GB/sec. Стоимость разных модификаций 512-мегабайтного модуля памяти от Hitachi колеблется от 456 до 560 тысяч иен, а первые поставки начнутся в январе 2000 года. В планах Hitachi также выпуск 1-гигабайтных DIMM-модулей.