Поделиться
AMD заявила о крупном прорыве в технологии изготовления транзисторов
AMD заявила, что изготовила самые маленькие на сегодня транзисторы с двойным стробированием, используя технологию промышленного стандарта.Транзисторы имеют размер 10 нм, или десять миллиардных метра в длину - в шесть раз меньше самых маленьких из производимых на сегодня транзисторов. Фирма заявляет, что технология позволит вместить миллиард транзисторов на кристалле того же размера, на котором в настоящее время содержится 100 млн. транзисторов.
Транзисторная структура с двойным стробированием эффективно удваивает силу тока, проходящего сквозь транзистор. AMD поясняет, что ее технология ребристого транзистора с полевым эффектом (FinFET) построена на использовании тонкого вертикального кремниевого ребра, используемого для управления утечкой тока сквозь транзистор в тот момент, когда он находится в закрытом состоянии. Технология позволит создавать новые процессоры с улучшенными характеристиками и меньшими размерами.
Крэйг Сандер (Craig Sander), вице-президент подразделения AMD по технологическим разработкам, заявил: "Вся полупроводниковая промышленность работает над созданием меньших и более быстрых транзисторов, которые могут быть изготовлены с минимальным отклонением от сегодняшнего стандартного техпроцесса". AMD сообщила, что лабораторный образец микросхемы с применением 10-нм ребристых транзисторов с полевым эффектом - результат совместных разработок AMD и Калифорнийским Университетом в Беркли, при поддержке Semiconductor Research Corporation (SRC). Не было сделало никаких заявлений относительно того, когда такие транзисторы появятся в будущих процессорах.
Источник: по материалам сайта The Inquirer.
Короткая ссылка
