Магнитная память ускорит загрузку мобильных ПК
Компании Infineon Technologies и IBM сообщили о новом успехе в разработке технологии магнитной оперативной памяти (MRAM). Исследователям удалось добиться рекордной на нынешний день степени плотности записи, а общий объем памяти микросхемы достиг 16 Мбит. Этот успех позволяет надеяться, что в ближайшие год-два магнитная память, независящая от внешних источников питания, станет главным претендентом на роль универсального модуля памяти в смартфонах, ноутбуках и других мобильных устройствах. Напомним, что магнитная оперативная память (более точное название Начало разработок MRAM было положено в конце 80-х годов, когда было обнаружено явление «гигантской магниторезистивности» в тонких пленках.
Еще одно важное отличие по сравнению с