IBM разработала кремниево-германиевую технологию для 0,25 мкм, 0,18 мкм процессов

Компания IBM вчера представила кремниево-германиевую (SiGe) технологию следующего поколения, которая позволит производить чипы в 0,25 и 0,18 микронном процессе. Микросхемы, выполненные по новой технологию, предназначены для сверхвысокочастотных коммуникаций и обладают низким энергопотреблением. Так, чип, выполненный по 0,25 микронной SiGe технологии может работать на частоте до 47ГГц при рабочем напряжении питания 2,5В. Также компании сообщает, что завершила разработку 0,18 микронной спецификации, которая позволит разрабатывать чипы на частоты от 90 до 130 ГГц.