Разделы

Hyundai Electronics разработала сегнетоэлектрический чип памяти - FeRAM

Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. сообщила об успешной разработке принципиально нового чипа памяти на основе сегнетоэлектрических материалов - Ferroelectric RAM (FeRAM). Сегнетоэлектрики - это особые кристаллические диэлектрики с доменной структурой, способные изменять свои свойства в зависимости от внешних воздействий. Чипы FeRAM являются следующим поколением микросхем памяти и способны обеспечить ёмкость хранения, сравнимую с DRAM, а скорость работы, сравнимую с SRAM. В настоящее время Hyundai выпустила два образца чипов - 64К FeRAM и 256К FeRAM. Массовый выпуск микросхем FeRAM планируется на третий квартал этого года.



37-я международная выставка информационных и коммуникационных технологий Связь-2025 37-я международная выставка информационных и коммуникационных технологий Связь-2025

erid: 2W5zFHRYEHv

Рекламодатель: АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО «ЭКСПОЦЕНТР»

ИНН/ОГРН: 7718033809/1027700167153