Разделы


DRAM - Dynamic Random Access Memory - Динамическая память с произвольным доступом
+
Microchip - Чип - Микрочип - Чип-имплантат- Интегральная микросхема


27.03.2009 Рынок чипов пошел на поправку?
27.03.2009 Рынок полупроводников идет на поправку
06.02.2009 40-нм память Samsung DRAM прошла сертификацию
03.09.2008 Продажи чипов за год выросли на 7,6%
26.02.2008 Емкость DIMM увеличили в 4 раза
13.08.2007 Hynix разработала самый быстрый DRAM-чип для мобильников
31.05.2007 Samsung избавляет от необходимости в картах памяти
25.05.2007 NEC создал энергосберегающий дисплей со встроенной памятью
05.03.2007 Samsung переводит память на 60-нм процесс: подробности
21.02.2007 IBM представляет новую технологию для eDRAM
22.01.2007 Samsung инвестирует $1,9 млрд. в развитие производства DRAM
27.12.2006 Samsung разработал модуль 1 Гбит mobile DRAM
13.12.2006 Samsung представляет чип памяти нового поколения OneDRAM
13.12.2006 Samsung представляет чип памяти нового поколения OneDRAM
12.12.2006 Создан чип памяти на фазовых переходах
12.12.2006 Создан чип памяти на фазовых переходах
04.10.2006 Мировые продажи полупроводников выросли на 10,5%
06.09.2006 Sun Microsystems и Unisys затеяли спор с Hynix
01.09.2006 Жесткому диску рано на пенсию?
29.08.2006 Samsung создал первый чип памяти по 80-нм техпроцессу
29.08.2006 Samsung создал первый чип памяти по 80-нм техпроцессу
18.05.2006 Samsung планирует выпустить 30 новых мобильников
24.03.2006 Hynix не дадут продавать NAND в Японии
24.03.2006 Менеджеров Samsung обвинили в завышении цен
11.01.2006 Samsung ожидает пятикратное увеличение прибыли
24.11.2005 Microsoft выпускает Xbox 360 себе в убыток?
23.11.2005 Samsung и Qualcomm заключили соглашение
07.11.2005 Samsung разработал первый модуль DDR2 SDRAM на основе 70-нанометровой технологии
17.10.2005 Samsung объявил результаты 3 квартала
13.09.2005 NEC объявила о продаже нового компактного суперкомпьютера
13.09.2005 Samsung метит на место Intel
13.09.2005 Объем памяти mp3-плееров увеличится вдвое
11.07.2005 Rambus выпустит сверхбыструю память
03.06.2005 Infineon поработал по-стахановски
25.04.2005 Скандальный Rambus снова переиграл Intel в памяти
23.03.2005 Samsung: цифровое наступление по всем фронтам
17.03.2005 Разработчики Philips нашли способ заменить кремниевые микросхемы
17.03.2005 Разработчики Philips нашли способ заменить кремниевые микросхемы
17.02.2005 Samsung анонсировал первый модуль DDR3 DRAM
28.01.2005 Samsung разработал первый в мире восьмислойный чип памяти для смартфонов
28.01.2005 Samsung разработал первый в мире восьмислойный чип памяти для смартфонов
19.01.2005 Samsung представила самую быструю DRAM память для мобильных телефонов
14.01.2005 Память подешевеет на треть
03.08.2004 В IBM придумали самонастраивающиеся чипы
18.05.2004 Infineon не откажется от производства DRAM
11.02.2004 Samsung начал сокращать выпуск DDR-чипов 256 Мб
22.01.2004 Toshiba уместила больше чипов в стандартный модуль
22.01.2004 Toshiba уместила больше чипов в стандартный модуль
14.01.2004 Samsung инвестирует $1,02 млрд. в производство микросхем памяти
17.12.2003 Samsung потратит $531 млн. на разработку чипов памяти
* Страница-профиль компании, системы (продукта или услуги), технологии, персоны и т.п. создается редактором на основе анализа архива публикаций портала CNews. Обрабатываются тексты всех редакционных разделов (новости, включая "Главные новости", статьи, аналитические обзоры рынков, интервью, а также содержание партнёрских проектов). Таким образом, чем больше публикаций на CNews было с именем компании или продукта/услуги, тем более информативен профиль. Профиль может быть дополнен (обогащен) дополнительной информацией, в т.ч. презентацией о компании или продукте/услуге.

Обработан архив публикаций портала CNews.ru c 11.1998 до 06.2026 годы.
Ключевых фраз выявлено - 1446301, в очереди разбора - 730435.
Создано именных указателей - 195059.
Редакция Индексной книги CNews - book@cnews.ru

Читатели CNews — это руководители и сотрудники одной из самых успешных отраслей российской экономики: индустрии информационных технологий. Ядро аудитории составляют топ-менеджеры и технические специалисты департаментов информатизации федеральных и региональных органов государственной власти, банков, промышленных компаний, розничных сетей, а также руководители и сотрудники компаний-поставщиков информационных технологий и услуг связи.
1 1

erid: 2W5zFGGq8dF

Рекламодатель: ООО «Маинд Крафт»

ИНН/ОГРН: 7813286694/1177847289290