Intel придумал транзистор размером в 20 нанометров
Исследователи корпорации Intel продемонстрировали на конференции по полупроводникам Silicon Nanoelectronics Workshop в Киото транзисторы со структурами размером всего в 20 нм (0,02 мкм). Этот технологический прорыв позволит Intel в будущем (предположительно к 2007 году) создавать процессоры с 1 млрд. транзисторов, с тактовой частотой 20 ГГц и действующих при напряжении менее 1 В. Быстродействие новых транзисторов на 25% выше, чем у самых быстрых аналогов.Таким образом, Intel удалось еще на 10 лет, по крайней мере еще на три поколения процессоров, обеспечить справедливость закона Мура. Кроме того, разработка нового транзистора опровергла мнения скептиков о том, что нанотехнологии в скором времени заменят традиционные кремниевые технологии. Исследователи считают, что эти направления не конкурируют, а скорее дополняют друг друга.
Новые транзисторы будут лежать в основе технологического 0,045-мкм процесса, который планируют использовать в массовом производстве с 2007 года.