Fujitsu представила 0,11 микронную технологию производства специализированных микросхем

Продолжая своё движение на рынок сетевых и коммуникационных hi-end систем, Fujitsu Microelectronics Inc. представила 0,11 микронный процесс для производства специализированных микросхем (ASIC - applications specific integrated circuit). Эта технология позволяет формировать до 8 слоёв на одной подложке, используя для обеспечения межсоединений медь. По словам компании, новая технология позволяет существенно снизить размеры транзистора - в кристалле их можно разместить до 56 млн. - и повысить быстродействие чипов. Например, на 100 кв. мм кристалла может размещено до 192 Мбит DRAM; память SRAM, выполненная по этой технологии, сможет работать на частоте до 200 МГц, а память Fast Cycle RAM - до 300 МГц.