Физтех заказывает разработку ПО

Научно-образовательный комплекс «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр РАН» объявил запрос котировок на создание программного продукта для расчета электрических свойств полупроводниковых гетероструктур полевых транзисторов. Начальная стоимость контракта – 250 тыс. рублей, дата окончания подачи заявок – 15 декабря 2006 года.

Разрабатываемое программное обеспечение должно обеспечивать расчет электрофизических свойств транзисторных полупроводниковых гетероструктур полевых транзисторов с барьером Шотки (ПТШ) и полевых транзисторов с высокой подвижностью элетронов (HEMT)в системе материалов AlGaAs-InGaAs-GaAs.

ПО также должно обеспечивать расчет зонных диаграмм, распределение концентрации основных и не основных носителей с учётом размерного квантования во всей подзатворной области при различных задаваемых уровнях электрического потенциала на обеих границах полупроводниковой гетероструктуры (со стороны барьера Шотки и со стороны подложки) в системе материалов AlGaAs-InGaAs-GaAs.

При расчетах должны учитываться эффекты сильного легирования и неполной ионизации примесей. Кроме того, должна быть предусмотрена возможность вычисления вольт - фарадных характеристик структуры и слоевой концентрации носителей при различных значениях задаваемых потенциалов на поверхностях гетероструктуры. Время расчёта вольт - фарадной характеристики для типовой транзисторной гетероструктуры не должно превышать 30 минут.

Учебный курс «Продажа ИТ-услуг.Базовый курс» C 27 по 28 ноября