Поделиться
Nitronex начала производство транзисторов по GaN-технологии на 4-дюймовых кремниевых пластинах
Американская компания Nitronex Сorp. объявила о начале производства GaN (нитрид галлия) транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) на 4-дюймовых кремниевых пластинах.Nitronex первой из компаний перешла на выпуск 4-дюймовых пластин (ранее она выпускала аналогичные транзисторы на 2-дюймовых пластинах). Nitronex сообщила также, что благодаря новой технологии удалось добиться двумерной подвижности электронов свыше 1600 кв. см/Вс, что является одним из максимальных показателей для GaN-транзисторов.
Высокая подвижность электронов достигнута благодаря применению собственной запатентованной технологии Pendeo, где использовано оборудование для осаждения паров металлоорганических соединений. Технология позволяет сократить число дефектов в кристаллах GaN более чем в 100 тыс. раз по сравнению с ранее применявшимися способами. Использование кремниевых пластин большего размера поможет ускорить внедрение GaN-транзисторов в широкую производственную практику, сообщила Electronic News.
Короткая ссылка
