Hyundai начала переоборудование фабрики по производству памяти DRAM
Компания Hyundai Electronics Industries Co. Ltd. сообщила о увеличении инвестиций переоборудование ее 0,25-микронной фабрики по выпуску кремниевых пластин для производства памяти DRAM.Новые инвестиции Hyundai направлены на обновление оборудования фабрики Fab 4 по производству компонентов для ультрафиолетовых литографических установок для производства полупроводников. В результате фабрика будет переоборудована на выпуск 64-мегабитных чипов памяти DRAM.
В настоящее время половина Fab 4 выпускает чипы по 0,35 мкм технологии, половина - по 0,25 мкм. Hyundai намерена перевести все производство на нормы 0,25 мкм ко второму кварталу 2001 года. Проектная мощность фабрики составит 90 тыс. восьмидюймовых кремниевых пластин в месяц.