Toshiba представила МОП-транзисторы с каналом n-типа на 100 В

Интеграция Электроника
мобильная версия
, Текст: Татьяна Короткова

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) расширила серию устройств U-MOS VIII-H и представила два новых низковольтных мощных МОП-транзистора с каналом n-типа. МОП-транзисторы предназначены для применения в таких системах, как устройства быстрой зарядки, импульсные источники питания и преобразователи постоянного тока. Оба мощных МОП-транзистора с каналом n-типа на 100 В поддерживают управление логическими уровнями 4,5 В для устройств быстрой зарядки, сообщили CNews в Toshiba.

Наряду с популярными устройствами быстрой зарядки, мощные МОП-транзисторы также необходимы для работы в выпрямителях на вторичной стороне. В новых МОП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки для низковольтных устройств, позволяющий добиться высоких показателей сопротивления в открытом состоянии и быстродействия, указали в компании.

Оптимизированная структура полупроводника обеспечивает увеличение основного показателя добротности (RDS(ON) * Qsw), тем самым повышая эффективность работы схем переключения. Потери на выходе снижаются за счет уменьшения выходного заряда, что оптимизирует работу систем, пояснили в Toshiba.


Новые низковольтные мощные МОП-транзисторы с каналом n-типа от Toshiba

Допустимый ток транзистора TPH6R30ANL (ID) составляет до 45 А при низком RDS(ON), равном всего 6,3 мОм, тогда как для TPH4R10ANL эти значения равны 70 А и 4,1 мОм соответственно.

Поддержка управления логическими уровнями 4,5 В позволяет реализовать непосредственное управление от ИС контроллера, и тем самым снизить энергопотребление. Кроме того, транзисторы совместимы с источниками питания с высоким выходным напряжением, необходимыми в системах, поддерживающих стандарт USB 3.0. Стандартный корпус SOP-Advance размером 5 мм x 6 мм помогает экономить пространство на печатной плате.

По информации Toshiba, оба устройства уже доступны для заказа.