Toshiba представила 60 В МОП-транзисторы с низким выходным зарядом

Интеграция Электроника
мобильная версия
, Текст: Владимир Бахур

Toshiba Electronics Europe расширила серию компактных высокоэффективных быстродействующих МОП-транзисторов U-MOS IX-H новой моделью в корпусе для поверхностного монтажа с максимальным допустимым VDSS 60В и максимальным током стока 100А.

Модель TPH1R306PL выпускается в корпусе SOP Advance для поверхностного монтажа и обладает сверхнизким типовым сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)), которое составляет всего 1,0 мОм (при VGS = 10В). Поскольку технологический процесс U-MOS IX-H компании Toshiba обеспечивает лучшее в классе сочетание RDS(ON) и выходной емкости / выходного заряда, типовое значение QOSS составляет всего 77,5 нКл. Это позволяет проектировщикам дополнительно повысить эффективность работы систем за счет увеличения скорости переключения и снижения потерь при переключении.

Как и другие устройства серии U-MOS IX-H, МОП-транзисторы TPH1R306PL подходят для применения в преобразователях постоянного тока и цепях вторичной стороны источников питания с преобразованием переменного тока в постоянный. Выбирая эти МОП-транзисторы, проектировщики указанных выше устройств имеют возможность значительно повысить их эффективность, поскольку QOSS — одна из причин возникновения потерь мощности при синхронном выпрямлении.

Благодаря высокому допустимому импульсному току (Idp) до 500 А и более высокой максимальной температуре канала, составляющей 175°C,  новые МОП-транзисторы также могут использоваться для управления электродвигателями в аккумуляторных бытовых приборах и электроинструментах.  Для применений, требующих еще более эффективного рассеяния тепла, доступна версия с двусторонним охлаждением TPW1R306PL.