ожным и дорогостоящим делом, Intel сумел повысить быстродействие транзисторов за счет использования кремния с предварительно деформированной кристаллической структурой. О переходе к производств

ожным и дорогостоящим делом, Intel сумел повысить быстродействие транзисторов за счет использования кремния с предварительно деформированной кристаллической структурой. О переходе к производств

В частности, была дана информация о том, как происходит переход Intel на технологию «растянутого» кремния в рамках изготовления микросхем с проектной нормой 90 нм (впервые корпорация объявила

В частности, была дана информация о том, как происходит переход Intel на технологию «растянутого» кремния в рамках изготовления микросхем с проектной нормой 90 нм (впервые корпорация объявила

Новая память включает в себя пленку из пластмассы, подложку из гибкой фольги и некоторое количество кремния. Подробнее о новой технологии можно будет прочитать в завтрашнем выпуске журнала Nature. Пластиковая память, в отличие от традиционной флэш-памяти, не является перезаписываемой - как, к

Новая память включает в себя пленку из пластмассы, подложку из гибкой фольги и некоторое количество кремния. Подробнее о новой технологии можно будет прочитать в завтрашнем выпуске журнала Nature. Пластиковая память, в отличие от традиционной флэш-памяти, не является перезаписываемой - как, к

ождающие нежелательное тепловыделение. По данным корпорации Intel, новый диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью позволяет снизить ток утечки более чем в 100 раз, по сравнению с диоксидом кремния, который применялся в полупроводниковом производстве последние три десятилетия. «В отрасли производства полупроводников долгие годы считалось, что тепловыделение и токи утечки являются

ождающие нежелательное тепловыделение. По данным корпорации Intel, новый диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью позволяет снизить ток утечки более чем в 100 раз, по сравнению с диоксидом кремния, который применялся в полупроводниковом производстве последние три десятилетия. «В отрасли производства полупроводников долгие годы считалось, что тепловыделение и токи утечки являются

oup (TMG) Сунлинь Чжоу утверждает в своем выступлении на Форуме Intel для разработчиков, что именно кремний – а не перья и никакие другие материалы – останется основой для производства полупров

oup (TMG) Сунлинь Чжоу утверждает в своем выступлении на Форуме Intel для разработчиков, что именно кремний – а не перья и никакие другие материалы – останется основой для производства полупров

анод, обычно делается из графита, в отличие от литиевого катода, положительной части батареи. Хотя кремний позволяет увеличить объем заряда более чем в 10 раз, он также очень быстро уменьшает

анод, обычно делается из графита, в отличие от литиевого катода, положительной части батареи. Хотя кремний позволяет увеличить объем заряда более чем в 10 раз, он также очень быстро уменьшает

ского кремния, его ориентировочная стоимость составляет $133 млн. Напомним, что поликристаллический кремний используется при производстве 95% полупроводников. Но лишь в нескольких развитых стра

ельности и снижение себестоимости. Транзистор IBM уменьшает толщину слоя кремния на подложках типа "кремний-на-изоляторе" (silicon-on-insulator), которые он использует, при этом тело транзистор

Несмотря на то, что кремний является идеальным материалом для изготовления микропроцессоров, устройств памяти и д

Несмотря на то, что кремний является идеальным материалом для изготовления микропроцессоров, устройств памяти и д

элемента, и компания уже запатентовала ключевые моменты технологии внедрения редкоземельных ионов в кремний. Инновационная методика была разработана исследователями Corporate Technology R&D Org

элемента, и компания уже запатентовала ключевые моменты технологии внедрения редкоземельных ионов в кремний. Инновационная методика была разработана исследователями Corporate Technology R&D Org

а. Intel применил в новом технологическом процессе свой собственный вариант технологии напряженного кремния. Использование напряженного кремния обеспечивает более свободное протекание то

ую маску, после чего с помощью системы линз фокусируется на светочувствительном слое, нанесенном на кремний. Затем, с помощью нанесенного таким образом на кремний шаблона, элементы чипа

ую маску, после чего с помощью системы линз фокусируется на светочувствительном слое, нанесенном на кремний. Затем, с помощью нанесенного таким образом на кремний шаблона, элементы чипа

) является вторым по объему запасов в земной коре элементом и составляет около трети всего ее веса. Кремний был обнаружен в 1824 году Джонсом Джекобом Берцелиусом, но наибольшее влияние на нашу

) является вторым по объему запасов в земной коре элементом и составляет около трети всего ее веса. Кремний был обнаружен в 1824 году Джонсом Джекобом Берцелиусом, но наибольшее влияние на нашу

Спрос на 300-мм кремниевые пластины (первичные пластины) для производителей интегральных схем с высокой степенью интеграции (БИС) в октябре-декабре 2002 года останется на уровне 330 тыс. листов, считают состав

эксперты считали, что подобные микросхемы вообще невозможно выполнить по кремниево-германиевой технологии, и что для этих целей годится только значительно более дорогостоящий арсенид галлия (GaAs)". Кремниево-германиевые микросхемы выделяют значительно меньше тепла, чем микросхемы на основе GaAs, благодаря великолепной теплопроводности SiGe, что позволяет существенно повысить термостойкост

анзисторов следующего поколения – новый материал изготовления подложки, призванный заменить диоксид кремния. Во всех транзисторах имеется изолирующий слой, отделяющий «затвор» транзистора от ег

анзисторов следующего поколения – новый материал изготовления подложки, призванный заменить диоксид кремния. Во всех транзисторах имеется изолирующий слой, отделяющий «затвор» транзистора от ег

ии более миниатюрных и быстрых устройств с низким энергопотреблением". Intel продолжит использовать кремний при производстве чипов до конца этого десятилетия, однако пока неясно, останется ли к

ии более миниатюрных и быстрых устройств с низким энергопотреблением". Intel продолжит использовать кремний при производстве чипов до конца этого десятилетия, однако пока неясно, останется ли к

Японские компании Canon и Toshiba заявили 11 октябре о начале сотрудничества в области разработки новых кремниевых подложек SOI (кремний-на-изоляторе), которые позволят выпускать более быстрые и менее энергоемкие чипы уже в первом квартале 2003 года.Canon занимается производством SOI-подложек с ноября прошлого года на за

не ограничивал бы производительность процессора. Новая технология BBUL позволяет добиться и этого. Кремниевая пластина чипа процессора Pentium 4 прикреплена к медному основанию корпуса с помощ

не ограничивал бы производительность процессора. Новая технология BBUL позволяет добиться и этого. Кремниевая пластина чипа процессора Pentium 4 прикреплена к медному основанию корпуса с помощ

й не ограничивал бы производительность процессора. Новая технология BBUL позволяет добиться и этого.Кремниевая пластина чипа процессора Pentium 4 прикреплена к медному основанию корпуса с помощ

рталом прошлого года, объем поставок снизился на 28 процентов.Торговая группа также отметила, что снижение производства кремниевых пластин и капиталовложений в эту сферу ставит под угрозу способность кремниевой индустрии удовлетворить спрос на пластины следующего поколения, большие по размеру чем те, которые используются сегодня.Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI) - в

Транзистор использует уже испытанную кремний-германиевую (SiGe) технологию IBM и новые разработки, достигая скорости 210 ГГц, потр

ость микропроцессоров до 100 ГГц в течение ближайших двух лет. Транзистор использует уже испытанную кремний-германиевую (SiGe) технологию IBM и новые разработки, достигая скорости 210 ГГц, потр

Транзистор использует уже испытанную кремний-германиевую (SiGe) технологию IBM и новые разработки, достигая скорости 210 ГГц, потр

ость микропроцессоров до 100 ГГц в течение ближайших двух лет. Транзистор использует уже испытанную кремний-германиевую (SiGe) технологию IBM и новые разработки, достигая скорости 210 ГГц, потр

уменьшения размеров микросхем. Используемый в настоящее время в качестве изолирующего слоя диоксид кремния имеет в микросхемах минимальную толщину около 35 ангстрем, что соответствует приблизи

уменьшения размеров микросхем. Используемый в настоящее время в качестве изолирующего слоя диоксид кремния имеет в микросхемах минимальную толщину около 35 ангстрем, что соответствует приблизи