ождающие нежелательное тепловыделение. По данным корпорации Intel, новый диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью позволяет снизить ток утечки более чем в 100 раз, по сравнению с диоксидом кремния, который применялся в полупроводниковом производстве последние три десятилетия. «В отрасли производства полупроводников долгие годы считалось, что тепловыделение и токи утечки являются

oup (TMG) Сунлинь Чжоу утверждает в своем выступлении на Форуме Intel для разработчиков, что именно кремний – а не перья и никакие другие материалы – останется основой для производства полупров

oup (TMG) Сунлинь Чжоу утверждает в своем выступлении на Форуме Intel для разработчиков, что именно кремний – а не перья и никакие другие материалы – останется основой для производства полупров

анод, обычно делается из графита, в отличие от литиевого катода, положительной части батареи. Хотя кремний позволяет увеличить объем заряда более чем в 10 раз, он также очень быстро уменьшает

анод, обычно делается из графита, в отличие от литиевого катода, положительной части батареи. Хотя кремний позволяет увеличить объем заряда более чем в 10 раз, он также очень быстро уменьшает

ского кремния, его ориентировочная стоимость составляет $133 млн. Напомним, что поликристаллический кремний используется при производстве 95% полупроводников. Но лишь в нескольких развитых стра

ельности и снижение себестоимости. Транзистор IBM уменьшает толщину слоя кремния на подложках типа "кремний-на-изоляторе" (silicon-on-insulator), которые он использует, при этом тело транзистор

Несмотря на то, что кремний является идеальным материалом для изготовления микропроцессоров, устройств памяти и д

Несмотря на то, что кремний является идеальным материалом для изготовления микропроцессоров, устройств памяти и д

элемента, и компания уже запатентовала ключевые моменты технологии внедрения редкоземельных ионов в кремний. Инновационная методика была разработана исследователями Corporate Technology R&D Org

элемента, и компания уже запатентовала ключевые моменты технологии внедрения редкоземельных ионов в кремний. Инновационная методика была разработана исследователями Corporate Technology R&D Org

а. Intel применил в новом технологическом процессе свой собственный вариант технологии напряженного кремния. Использование напряженного кремния обеспечивает более свободное протекание то

ую маску, после чего с помощью системы линз фокусируется на светочувствительном слое, нанесенном на кремний. Затем, с помощью нанесенного таким образом на кремний шаблона, элементы чипа

ую маску, после чего с помощью системы линз фокусируется на светочувствительном слое, нанесенном на кремний. Затем, с помощью нанесенного таким образом на кремний шаблона, элементы чипа

) является вторым по объему запасов в земной коре элементом и составляет около трети всего ее веса. Кремний был обнаружен в 1824 году Джонсом Джекобом Берцелиусом, но наибольшее влияние на нашу

) является вторым по объему запасов в земной коре элементом и составляет около трети всего ее веса. Кремний был обнаружен в 1824 году Джонсом Джекобом Берцелиусом, но наибольшее влияние на нашу

Спрос на 300-мм кремниевые пластины (первичные пластины) для производителей интегральных схем с высокой степенью интеграции (БИС) в октябре-декабре 2002 года останется на уровне 330 тыс. листов, считают состав

эксперты считали, что подобные микросхемы вообще невозможно выполнить по кремниево-германиевой технологии, и что для этих целей годится только значительно более дорогостоящий арсенид галлия (GaAs)". Кремниево-германиевые микросхемы выделяют значительно меньше тепла, чем микросхемы на основе GaAs, благодаря великолепной теплопроводности SiGe, что позволяет существенно повысить термостойкост

анзисторов следующего поколения – новый материал изготовления подложки, призванный заменить диоксид кремния. Во всех транзисторах имеется изолирующий слой, отделяющий «затвор» транзистора от ег

анзисторов следующего поколения – новый материал изготовления подложки, призванный заменить диоксид кремния. Во всех транзисторах имеется изолирующий слой, отделяющий «затвор» транзистора от ег

ии более миниатюрных и быстрых устройств с низким энергопотреблением". Intel продолжит использовать кремний при производстве чипов до конца этого десятилетия, однако пока неясно, останется ли к

ии более миниатюрных и быстрых устройств с низким энергопотреблением". Intel продолжит использовать кремний при производстве чипов до конца этого десятилетия, однако пока неясно, останется ли к

Японские компании Canon и Toshiba заявили 11 октябре о начале сотрудничества в области разработки новых кремниевых подложек SOI (кремний-на-изоляторе), которые позволят выпускать более быстрые и менее энергоемкие чипы уже в первом квартале 2003 года.Canon занимается производством SOI-подложек с ноября прошлого года на за

не ограничивал бы производительность процессора. Новая технология BBUL позволяет добиться и этого. Кремниевая пластина чипа процессора Pentium 4 прикреплена к медному основанию корпуса с помощ

не ограничивал бы производительность процессора. Новая технология BBUL позволяет добиться и этого. Кремниевая пластина чипа процессора Pentium 4 прикреплена к медному основанию корпуса с помощ

й не ограничивал бы производительность процессора. Новая технология BBUL позволяет добиться и этого.Кремниевая пластина чипа процессора Pentium 4 прикреплена к медному основанию корпуса с помощ

рталом прошлого года, объем поставок снизился на 28 процентов.Торговая группа также отметила, что снижение производства кремниевых пластин и капиталовложений в эту сферу ставит под угрозу способность кремниевой индустрии удовлетворить спрос на пластины следующего поколения, большие по размеру чем те, которые используются сегодня.Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI) - в

Транзистор использует уже испытанную кремний-германиевую (SiGe) технологию IBM и новые разработки, достигая скорости 210 ГГц, потр

ость микропроцессоров до 100 ГГц в течение ближайших двух лет. Транзистор использует уже испытанную кремний-германиевую (SiGe) технологию IBM и новые разработки, достигая скорости 210 ГГц, потр

Транзистор использует уже испытанную кремний-германиевую (SiGe) технологию IBM и новые разработки, достигая скорости 210 ГГц, потр

ость микропроцессоров до 100 ГГц в течение ближайших двух лет. Транзистор использует уже испытанную кремний-германиевую (SiGe) технологию IBM и новые разработки, достигая скорости 210 ГГц, потр

уменьшения размеров микросхем. Используемый в настоящее время в качестве изолирующего слоя диоксид кремния имеет в микросхемах минимальную толщину около 35 ангстрем, что соответствует приблизи

уменьшения размеров микросхем. Используемый в настоящее время в качестве изолирующего слоя диоксид кремния имеет в микросхемах минимальную толщину около 35 ангстрем, что соответствует приблизи

в системах оптических телекоммуникаций. Хоумвуд и его коллеги нашли способ удержать носители заряда в кремнии. Для этого кремниевую пластину облучали атомами бора, создавая тем самым дефекты в

в системах оптических телекоммуникаций. Хоумвуд и его коллеги нашли способ удержать носители заряда в кремнии. Для этого кремниевую пластину облучали атомами бора, создавая тем самым дефекты в

щих поколений полупроводников. Компания подала патентную заявку в Корее, Японии США и Европейском Союзе на технологию плазменного напыления. Технология позволяет создавать 10-нм плёнку на поверхности кремниевой пластины, являющейся исходным материалом для создания транзисторов или интегральных микросхем. 10 нанометров - это всего лишь три диаметра атома. Технология найдет применение при нан

Компания NEC Corp. в декабре начнёт производство цветных 6,3-дюймовых тонкоплёночных ЖК-панелей (TFT LCD) высокого разрешения на основе аморфного кремния. Новые панели, получившие маркировку NL10276BC12-01, имеют размер 129 х 97 мм при количестве отображаемых точек 1024 x 768. Таким образом, максимальное разрешение составит 202 пиксела н

Корпорация NEC Corporation (NEC) представила образцы 6,3 дюймовых (16 см) цветных ЖК панелей с активной матрицей на основе аморфного кремния. Модель NL10276BC12-01 выполнена по технологии жидкокристаллической технологии Thin Film Transistor (TFT), работает с 8-битным входным сигналом и способна отображать до 16,19 млн цветов

Компания Casio сообщила о намерении использовать жидкокристаллические дисплеи HAST (Гипер-аморфные кремниевые TFT) в своих персональных цифровых ассистентах (PDA), совместимых с Pocket PC. Выход PDA намечен на сентябрь этого года. ЖК-панель обладает разрешением 240x320 пикселов и 65536 цвето

Французская компания Soitec сообщила о своём намерении начать выпуск 300 мм кремниевых пластин со структурой "кремний на диэлектрике" (SoI). Как сообщается, компания уже получила первые заказы от крупнейших производителей на поставки таких пластин. Стратегическим партнёром Soitec является компания Shin