| 28.03.2008 |
Созданы гибкие кремниевые чипы
репленных к резине в целях обеспечения высокой гибкости. Микросхемы производятся с использованием обычных кремниевых технологий на пластиковой полимерной подложке, прикрепленной адгезивом к временной кремниевой основе. Затем адгезив растворяется, временная основа удаляется, и микросхемы прикрепляются к поверхности резины. Произведенные данным способом микрочипы могут быть использованы в так |
|
| 17.01.2008 |
Нанопровода могут преобразовывать тепло в электричество
ты объясняются эффектом «фононного торможения», который возникает, когда фононы, распространяющиеся в кремнии, сталкиваются с носителями заряда, сообщает PhysicsWorld. |
|
| 20.12.2007 |
Нанотехнологии увеличат емкость литий-ионных батарей в 10 раз
ей определяется количеством ионов лития, накапливаемых материалом анода. Простая замена углерода на кремний не дает заметного выигрыша в емкости, к тому же у кремния есть ряд недостатков - при |
|
| 05.12.2007 |
Ученые получили чистый спиновый ток в кремнии
вательской лаборатории (NRL) США удалось сгенерировать, модулировать и измерить чистый спиновый ток в кремнии. С помощью магнитных контактов на поверхности слоя кремния n-типа исследователи смо |
|
| 31.05.2007 |
Samsung заинтересовался производством кремния в Красноярском крае
одукции, сообщает РБК. В настоящее время завод входит в состав ГХК и производит монокристаллический кремний. Для вывода производства поликристаллического кремния на проектную мощность 2 тыс. т |
|
| 23.05.2007 |
Создан кремниевый дихроматичный источник света
Как сообщает Physorg, ученые из немецкого исследовательского института Forschungszentrum Dresden-Rossendorf разработали кремниевый источник света, который может излучать свет двух разных длин волн - в красной и голубой областях спектра. Управление длиной волны осуществляется изменением силы тока. Предполагается, |
|
| 17.05.2007 |
Спинтроника осваивает кремниевые материалы
ия, который до сих пор не удавалось интегрировать со спинтронными устройствами - спиновые состояния в кремнии деградировали из-за образования силицидов на границе ферромагнетика с кремнием. Спи |
|
| 17.05.2007 |
В Ленобласти создадут производство поликристаллического кремния
В Ленинградской области будет создано предприятие по высокоэффективной очистке технического кремния. Полный цикл производства предполагает получение поликристаллического кремния, используемого в энергетике. Будущее предприятие предполагается разместить в Сосновом Бору на базе Ф |
|
| 27.03.2007 |
Морские губки подсказали новую полупроводниковую технологию
е известковых, кремнезёмных игл (спикул) или волокон белка спонгина. Способность губок использовать кремний, растворенный в морской воде, для создания спикул привлекла внимание ученых, которые |
|
| 23.01.2007 |
Кремниевая фотоника вышла на новый рубеж
производительные компьютеры на основе фотонных чипов. Кроме того, можно будет полностью перейти на кремниевые фотонные чипы в оптических сетях. Кремниевые чипы недороги и могут производ |
|
| 12.01.2007 |
Получена самая "долгоживущая" шаровая молния
ми, через которые пропускали ток 140 А. Электрическая дуга, возникающая между электродами, испаряла кремний. В результате образовывались светящиеся шары размером с шарик для игры в пинг-понг, в |
|
| 01.12.2006 |
Кремниевые нанопровода позволят уменьшить размеры микрочипов
распыляли на поверхности газообразный силан (соединение кремния с водородом), где он превращался в кремний, взаимодействуя с частицами катализатора. Частицы кремния поглощались алюминием, и ко |
|
| 01.12.2006 |
Кремниевые нанопровода позволят уменьшить размеры микрочипов
распыляли на поверхности газообразный силан (соединение кремния с водородом), где он превращался в кремний, взаимодействуя с частицами катализатора. Частицы кремния поглощались алюминием, и ко |
|
| 23.11.2006 |
Создан сверхпроводник на основе кремния
уководством Бустерре Этьена (Busterret Etienne) впервые получили сверхпроводящий материал на основе кремния, сообщает PhysicsWeb. Новый кремниевый материал, содержащий 9% атомов бора, начинает |
|
| 23.11.2006 |
Создан сверхпроводник на основе кремния
уководством Бустерре Этьена (Busterret Etienne) впервые получили сверхпроводящий материал на основе кремния, сообщает PhysicsWeb. Новый кремниевый материал, содержащий 9% атомов бора, начинает |
|
| 23.11.2006 |
Создан сверхпроводник на основе кремния
уководством Бустерре Этьена (Busterret Etienne) впервые получили сверхпроводящий материал на основе кремния, сообщает PhysicsWeb. Новый кремниевый материал, содержащий 9% атомов бора, начинает |
|
| 03.11.2006 |
Светоизлучающий транзистор - новый этап в развитии электроники
сштабов нанометра, ученые получили своеобразную монокристаллическую пленку, примыкающую к "толстым" кремниевым электродам. При этом полупроводники n-типа (с избытком электронов) и р-типа (с изб |
|
| 03.11.2006 |
Светоизлучающий транзистор - новый этап в развитии электроники
сштабов нанометра, ученые получили своеобразную монокристаллическую пленку, примыкающую к "толстым" кремниевым электродам. При этом полупроводники n-типа (с избытком электронов) и р-типа (с изб |
|
| 20.10.2006 |
Жидкий кремний: новая перспектива микроэлектроники
Жидкий кремний, технология промышленного производства которого разработана специалистами компании Ep |
|
| 20.10.2006 |
Жидкий кремний: новая перспектива микроэлектроники
Жидкий кремний, технология промышленного производства которого разработана специалистами компании Ep |
|
| 18.09.2006 |
Intel разрабатывает первый в мире гибридный кремниевый лазер
ндартных производственных процессов, применяемых в современной полупроводниковой индустрии. Сегодня кремний широко используется в массовом производстве недорогих электронных устройств, но он та |
|
| 30.06.2006 |
Создан кремниевый оптический усилитель нового поколения
сивности, чтобы можно было использовать его нелинейные свойства. При увеличении интенсивности света в кремнии начинается генерация электронов, обусловленная процессом поглощения двух фотонов. И |
|
| 30.06.2006 |
Создан кремниевый оптический усилитель нового поколения
сивности, чтобы можно было использовать его нелинейные свойства. При увеличении интенсивности света в кремнии начинается генерация электронов, обусловленная процессом поглощения двух фотонов. И |
|
| 09.06.2006 |
Наночастицы исправят бракованный кремний
могли бы достигнуть таких результатов». Наночастицы при этом действуют и как абразив, и как bulk-"заполнитель" - за счет того, что титановые наночастицы обеспечивают эффект "прилипания" к поверхности кремниевой пластины. Внутренняя часть наночастиц СеO2, сообщает Nanotechweb, состоит из одиночного кристалла без его разделения на грани, так как сверху наночастицы покрыты 1-2 нанометровым сло |
|
| 09.06.2006 |
Наночастицы исправят бракованный кремний
могли бы достигнуть таких результатов». Наночастицы при этом действуют и как абразив, и как bulk-"заполнитель" - за счет того, что титановые наночастицы обеспечивают эффект "прилипания" к поверхности кремниевой пластины. Внутренняя часть наночастиц СеO2, сообщает Nanotechweb, состоит из одиночного кристалла без его разделения на грани, так как сверху наночастицы покрыты 1-2 нанометровым сло |
|
| 11.04.2006 |
Микросхемы будут "распылять"
устройства в настоящее время изготавливаются по следующей технологии: в вакууме нагревается чистый кремний, после чего образующийся «туман» из свободных атомов кремния оседает на пластиковой п |
|
| 11.04.2006 |
Микросхемы будут "распылять"
устройства в настоящее время изготавливаются по следующей технологии: в вакууме нагревается чистый кремний, после чего образующийся «туман» из свободных атомов кремния оседает на пластиковой п |
|
| 21.12.2005 |
Революция в электронике: открыт растягивающийся кремний
«Растягивающийся кремний обладает возможностями, отличными от стандартного, то есть того, который применяется |
|
| 19.12.2005 |
Новое в электронике: растягивающийся кремний
тели из Иллинойского университета создали полностью растяжимую форму однокристального кремния. Этот кремний обладает волнистой структурой в микронных масштабах, и может использоваться для созда |
|
| 19.12.2005 |
Новое в электронике: растягивающийся кремний
тели из Иллинойского университета создали полностью растяжимую форму однокристального кремния. Этот кремний обладает волнистой структурой в микронных масштабах, и может использоваться для созда |
|
| 01.03.2005 |
Лазеры Intel "разгонят" компьютерные сети
о попадание двух инфракрасных фотонов в атом кремния выбивало из того электрон. Из-за этого эффекта в кремнии накапливались свободные электроны, которые поглощали свет, и никакого усиления не п |
|
| 17.02.2005 |
Intel совершил лазерный прорыв
и Intel кремниевый чип испускает лазерное излучение при накачке излучением другого лазера. При этом кремний поглощает большую часть излучения накачки, которая «поглощается» атомами кристалличес |
|
| 17.02.2005 |
Intel создал кремниевый лазер
Компания Intel заявила о том, что ее разработчикам удалось создать кремниевый лазер с длительным излучением, сообщает AP. Еще в январе ученые компании обнародовали информацию о кремниевом инфракрасном лазере, который мог давать только короткие импульсы излучен |
|
| 17.02.2005 |
Intel создал кремниевый лазер
Компания Intel заявила о том, что ее разработчикам удалось создать кремниевый лазер с длительным излучением, сообщает AP. Еще в январе ученые компании обнародовали информацию о кремниевом инфракрасном лазере, который мог давать только короткие импульсы излучен |
|
| 20.12.2004 |
Алмаз заменит кремний в микросхемах?
нию всё большего числа транзисторов на единице площади, ведет и к росту тепловыделения при прохождении тока, и уже сейчас видны пределы миниатюризации, при которых выделяющееся тепло просто расплавит кремний (его температура плавления 1683 градусов Kельвина). Алмаз же плавится при 3820 K, и это создает новые возможности для дальнейшего уменьшения расстояния между элементами микросхем. Деймо |
|
| 27.10.2004 |
Создан первый в мире кремниевый лазер
ее всего, с промышленной точки зрения, использовать для этой цели кремниевые чипы, поскольку именно кремний используется при массовом производстве микросхем. К сожалению, кремний не очен |
|
| 27.10.2004 |
Создан первый в мире кремниевый лазер
ее всего, с промышленной точки зрения, использовать для этой цели кремниевые чипы, поскольку именно кремний используется при массовом производстве микросхем. К сожалению, кремний не очен |
|
| 23.08.2004 |
AMD открыла новые возможности своих процессоров
Как сообщил ряд американских изданий, технология «напряженного кремния» уже используется при производстве всех 90-нанометровых чипов AMD. Кроме того, со ссы |
|
| 21.06.2004 |
Кремниевые лекарства лечат рак
езвредности, является дешевым материалом. Как утверждает представитель QinetiQ, инвестора pSivida, "кремний, уменьшенный до наномасштабов (менее тысячи миллионных долей метра) разлагается в тел |
|
| 21.06.2004 |
Кремниевые лекарства лечат рак
езвредности, является дешевым материалом. Как утверждает представитель QinetiQ, инвестора pSivida, "кремний, уменьшенный до наномасштабов (менее тысячи миллионных долей метра) разлагается в тел |