уководством Бустерре Этьена (Busterret Etienne) впервые получили сверхпроводящий материал на основе кремния, сообщает PhysicsWeb. Новый кремниевый материал, содержащий 9% атомов бора, начинает

уководством Бустерре Этьена (Busterret Etienne) впервые получили сверхпроводящий материал на основе кремния, сообщает PhysicsWeb. Новый кремниевый материал, содержащий 9% атомов бора, начинает

уководством Бустерре Этьена (Busterret Etienne) впервые получили сверхпроводящий материал на основе кремния, сообщает PhysicsWeb. Новый кремниевый материал, содержащий 9% атомов бора, начинает

сштабов нанометра, ученые получили своеобразную монокристаллическую пленку, примыкающую к "толстым" кремниевым электродам. При этом полупроводники n-типа (с избытком электронов) и р-типа (с изб

сштабов нанометра, ученые получили своеобразную монокристаллическую пленку, примыкающую к "толстым" кремниевым электродам. При этом полупроводники n-типа (с избытком электронов) и р-типа (с изб

Жидкий кремний, технология промышленного производства которого разработана специалистами компании Ep

Жидкий кремний, технология промышленного производства которого разработана специалистами компании Ep

ндартных производственных процессов, применяемых в современной полупроводниковой индустрии. Сегодня кремний широко используется в массовом производстве недорогих электронных устройств, но он та

нта зарождения полупроводниковой индустрии. Ученые изобрели метод одновременного натяжения и сжатия кремния, обеспечивающий скачкообразное повышение производительности системы и снижение энерго

представляют особый интерес. Германий имеет гораздо большую адсорбционную способность к свету, чем кремний. Если добавлять германий, не нарушая качество полупроводниковой пленки, можно получит

представляют особый интерес. Германий имеет гораздо большую адсорбционную способность к свету, чем кремний. Если добавлять германий, не нарушая качество полупроводниковой пленки, можно получит

сивности, чтобы можно было использовать его нелинейные свойства. При увеличении интенсивности света в кремнии начинается генерация электронов, обусловленная процессом поглощения двух фотонов. И

сивности, чтобы можно было использовать его нелинейные свойства. При увеличении интенсивности света в кремнии начинается генерация электронов, обусловленная процессом поглощения двух фотонов. И

могли бы достигнуть таких результатов». Наночастицы при этом действуют и как абразив, и как bulk-"заполнитель" - за счет того, что титановые наночастицы обеспечивают эффект "прилипания" к поверхности кремниевой пластины. Внутренняя часть наночастиц СеO2, сообщает Nanotechweb, состоит из одиночного кристалла без его разделения на грани, так как сверху наночастицы покрыты 1-2 нанометровым сло

могли бы достигнуть таких результатов». Наночастицы при этом действуют и как абразив, и как bulk-"заполнитель" - за счет того, что титановые наночастицы обеспечивают эффект "прилипания" к поверхности кремниевой пластины. Внутренняя часть наночастиц СеO2, сообщает Nanotechweb, состоит из одиночного кристалла без его разделения на грани, так как сверху наночастицы покрыты 1-2 нанометровым сло

устройства в настоящее время изготавливаются по следующей технологии: в вакууме нагревается чистый кремний, после чего образующийся «туман» из свободных атомов кремния оседает на пластиковой п

устройства в настоящее время изготавливаются по следующей технологии: в вакууме нагревается чистый кремний, после чего образующийся «туман» из свободных атомов кремния оседает на пластиковой п

«Растягивающийся кремний обладает возможностями, отличными от стандартного, то есть того, который применяется

тели из Иллинойского университета создали полностью растяжимую форму однокристального кремния. Этот кремний обладает волнистой структурой в микронных масштабах, и может использоваться для созда

тели из Иллинойского университета создали полностью растяжимую форму однокристального кремния. Этот кремний обладает волнистой структурой в микронных масштабах, и может использоваться для созда

о попадание двух инфракрасных фотонов в атом кремния выбивало из того электрон. Из-за этого эффекта в кремнии накапливались свободные электроны, которые поглощали свет, и никакого усиления не п

и Intel кремниевый чип испускает лазерное излучение при накачке излучением другого лазера. При этом кремний поглощает большую часть излучения накачки, которая «поглощается» атомами кристалличес

Компания Intel заявила о том, что ее разработчикам удалось создать кремниевый лазер с длительным излучением, сообщает AP. Еще в январе ученые компании обнародовали информацию о кремниевом инфракрасном лазере, который мог давать только короткие импульсы излучен

Компания Intel заявила о том, что ее разработчикам удалось создать кремниевый лазер с длительным излучением, сообщает AP. Еще в январе ученые компании обнародовали информацию о кремниевом инфракрасном лазере, который мог давать только короткие импульсы излучен

нию всё большего числа транзисторов на единице площади, ведет и к росту тепловыделения при прохождении тока, и уже сейчас видны пределы миниатюризации, при которых выделяющееся тепло просто расплавит кремний (его температура плавления 1683 градусов Kельвина). Алмаз же плавится при 3820 K, и это создает новые возможности для дальнейшего уменьшения расстояния между элементами микросхем. Деймо

ее всего, с промышленной точки зрения, использовать для этой цели кремниевые чипы, поскольку именно кремний используется при массовом производстве микросхем. К сожалению, кремний не очен

ее всего, с промышленной точки зрения, использовать для этой цели кремниевые чипы, поскольку именно кремний используется при массовом производстве микросхем. К сожалению, кремний не очен

Как сообщил ряд американских изданий, технология «напряженного кремния» уже используется при производстве всех 90-нанометровых чипов AMD. Кроме того, со ссы

езвредности, является дешевым материалом. Как утверждает представитель QinetiQ, инвестора pSivida, "кремний, уменьшенный до наномасштабов (менее тысячи миллионных долей метра) разлагается в тел

езвредности, является дешевым материалом. Как утверждает представитель QinetiQ, инвестора pSivida, "кремний, уменьшенный до наномасштабов (менее тысячи миллионных долей метра) разлагается в тел

о не кремния, на использование которого рассчитан текущий производственный процесс. Дело в том, что кремний сам по себе не обладает магнитными свойствами, а предпринимавшиеся до сих пор попытки

током, текущим по медным проводам. Исследователям лабораторий Intel удалось органически совместить кремний со светом – так и родилась кремниевая фотоника. Фотоника – это технологии излучения,

током, текущим по медным проводам. Исследователям лабораторий Intel удалось органически совместить кремний со светом – так и родилась кремниевая фотоника. Фотоника – это технологии излучения,

ожным и дорогостоящим делом, Intel сумел повысить быстродействие транзисторов за счет использования кремния с предварительно деформированной кристаллической структурой. О переходе к производств

ожным и дорогостоящим делом, Intel сумел повысить быстродействие транзисторов за счет использования кремния с предварительно деформированной кристаллической структурой. О переходе к производств

В частности, была дана информация о том, как происходит переход Intel на технологию «растянутого» кремния в рамках изготовления микросхем с проектной нормой 90 нм (впервые корпорация объявила

В частности, была дана информация о том, как происходит переход Intel на технологию «растянутого» кремния в рамках изготовления микросхем с проектной нормой 90 нм (впервые корпорация объявила

Новая память включает в себя пленку из пластмассы, подложку из гибкой фольги и некоторое количество кремния. Подробнее о новой технологии можно будет прочитать в завтрашнем выпуске журнала Nature. Пластиковая память, в отличие от традиционной флэш-памяти, не является перезаписываемой - как, к

Новая память включает в себя пленку из пластмассы, подложку из гибкой фольги и некоторое количество кремния. Подробнее о новой технологии можно будет прочитать в завтрашнем выпуске журнала Nature. Пластиковая память, в отличие от традиционной флэш-памяти, не является перезаписываемой - как, к

ождающие нежелательное тепловыделение. По данным корпорации Intel, новый диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью позволяет снизить ток утечки более чем в 100 раз, по сравнению с диоксидом кремния, который применялся в полупроводниковом производстве последние три десятилетия. «В отрасли производства полупроводников долгие годы считалось, что тепловыделение и токи утечки являются