28.03.2008 Созданы гибкие кремниевые чипы

репленных к резине в целях обеспечения высокой гибкости. Микросхемы производятся с использованием обычных кремниевых технологий на пластиковой полимерной подложке, прикрепленной адгезивом к временной кремниевой основе. Затем адгезив растворяется, временная основа удаляется, и микросхемы прикрепляются к поверхности резины. Произведенные данным способом микрочипы могут быть использованы в так

17.01.2008 Нанопровода могут преобразовывать тепло в электричество

ты объясняются эффектом «фононного торможения», который возникает, когда фононы, распространяющиеся в кремнии, сталкиваются с носителями заряда, сообщает PhysicsWorld.

20.12.2007 Нанотехнологии увеличат емкость литий-ионных батарей в 10 раз

ей определяется количеством ионов лития, накапливаемых материалом анода. Простая замена углерода на кремний не дает заметного выигрыша в емкости, к тому же у кремния есть ряд недостатков - при

05.12.2007 Ученые получили чистый спиновый ток в кремнии

вательской лаборатории (NRL) США удалось сгенерировать, модулировать и измерить чистый спиновый ток в кремнии. С помощью магнитных контактов на поверхности слоя кремния n-типа исследователи смо

31.05.2007 Samsung заинтересовался производством кремния в Красноярском крае

одукции, сообщает РБК. В настоящее время завод входит в состав ГХК и производит монокристаллический кремний. Для вывода производства поликристаллического кремния на проектную мощность 2 тыс. т

23.05.2007 Создан кремниевый дихроматичный источник света

Как сообщает Physorg, ученые из немецкого исследовательского института Forschungszentrum Dresden-Rossendorf разработали кремниевый источник света, который может излучать свет двух разных длин волн - в красной и голубой областях спектра. Управление длиной волны осуществляется изменением силы тока. Предполагается,

17.05.2007 Спинтроника осваивает кремниевые материалы

ия, который до сих пор не удавалось интегрировать со спинтронными устройствами - спиновые состояния в кремнии деградировали из-за образования силицидов на границе ферромагнетика с кремнием. Спи

17.05.2007 В Ленобласти создадут производство поликристаллического кремния

В Ленинградской области будет создано предприятие по высокоэффективной очистке технического кремния. Полный цикл производства предполагает получение поликристаллического кремния, используемого в энергетике. Будущее предприятие предполагается разместить в Сосновом Бору на базе Ф

27.03.2007 Морские губки подсказали новую полупроводниковую технологию

е известковых, кремнезёмных игл (спикул) или волокон белка спонгина. Способность губок использовать кремний, растворенный в морской воде, для создания спикул привлекла внимание ученых, которые

23.01.2007 Кремниевая фотоника вышла на новый рубеж

производительные компьютеры на основе фотонных чипов. Кроме того, можно будет полностью перейти на кремниевые фотонные чипы в оптических сетях. Кремниевые чипы недороги и могут производ

12.01.2007 Получена самая "долгоживущая" шаровая молния

ми, через которые пропускали ток 140 А. Электрическая дуга, возникающая между электродами, испаряла кремний. В результате образовывались светящиеся шары размером с шарик для игры в пинг-понг, в

01.12.2006 Кремниевые нанопровода позволят уменьшить размеры микрочипов

распыляли на поверхности газообразный силан (соединение кремния с водородом), где он превращался в кремний, взаимодействуя с частицами катализатора. Частицы кремния поглощались алюминием, и ко

01.12.2006 Кремниевые нанопровода позволят уменьшить размеры микрочипов

распыляли на поверхности газообразный силан (соединение кремния с водородом), где он превращался в кремний, взаимодействуя с частицами катализатора. Частицы кремния поглощались алюминием, и ко

23.11.2006 Создан сверхпроводник на основе кремния

уководством Бустерре Этьена (Busterret Etienne) впервые получили сверхпроводящий материал на основе кремния, сообщает PhysicsWeb. Новый кремниевый материал, содержащий 9% атомов бора, начинает

23.11.2006 Создан сверхпроводник на основе кремния

уководством Бустерре Этьена (Busterret Etienne) впервые получили сверхпроводящий материал на основе кремния, сообщает PhysicsWeb. Новый кремниевый материал, содержащий 9% атомов бора, начинает

23.11.2006 Создан сверхпроводник на основе кремния

уководством Бустерре Этьена (Busterret Etienne) впервые получили сверхпроводящий материал на основе кремния, сообщает PhysicsWeb. Новый кремниевый материал, содержащий 9% атомов бора, начинает

03.11.2006 Светоизлучающий транзистор - новый этап в развитии электроники

сштабов нанометра, ученые получили своеобразную монокристаллическую пленку, примыкающую к "толстым" кремниевым электродам. При этом полупроводники n-типа (с избытком электронов) и р-типа (с изб

03.11.2006 Светоизлучающий транзистор - новый этап в развитии электроники

сштабов нанометра, ученые получили своеобразную монокристаллическую пленку, примыкающую к "толстым" кремниевым электродам. При этом полупроводники n-типа (с избытком электронов) и р-типа (с изб

20.10.2006 Жидкий кремний: новая перспектива микроэлектроники

Жидкий кремний, технология промышленного производства которого разработана специалистами компании Ep

20.10.2006 Жидкий кремний: новая перспектива микроэлектроники

Жидкий кремний, технология промышленного производства которого разработана специалистами компании Ep

18.09.2006 Intel разрабатывает первый в мире гибридный кремниевый лазер

ндартных производственных процессов, применяемых в современной полупроводниковой индустрии. Сегодня кремний широко используется в массовом производстве недорогих электронных устройств, но он та

30.06.2006 Создан кремниевый оптический усилитель нового поколения

сивности, чтобы можно было использовать его нелинейные свойства. При увеличении интенсивности света в кремнии начинается генерация электронов, обусловленная процессом поглощения двух фотонов. И

30.06.2006 Создан кремниевый оптический усилитель нового поколения

сивности, чтобы можно было использовать его нелинейные свойства. При увеличении интенсивности света в кремнии начинается генерация электронов, обусловленная процессом поглощения двух фотонов. И

09.06.2006 Наночастицы исправят бракованный кремний

могли бы достигнуть таких результатов». Наночастицы при этом действуют и как абразив, и как bulk-"заполнитель" - за счет того, что титановые наночастицы обеспечивают эффект "прилипания" к поверхности кремниевой пластины. Внутренняя часть наночастиц СеO2, сообщает Nanotechweb, состоит из одиночного кристалла без его разделения на грани, так как сверху наночастицы покрыты 1-2 нанометровым сло

09.06.2006 Наночастицы исправят бракованный кремний

могли бы достигнуть таких результатов». Наночастицы при этом действуют и как абразив, и как bulk-"заполнитель" - за счет того, что титановые наночастицы обеспечивают эффект "прилипания" к поверхности кремниевой пластины. Внутренняя часть наночастиц СеO2, сообщает Nanotechweb, состоит из одиночного кристалла без его разделения на грани, так как сверху наночастицы покрыты 1-2 нанометровым сло

11.04.2006 Микросхемы будут "распылять"

устройства в настоящее время изготавливаются по следующей технологии: в вакууме нагревается чистый кремний, после чего образующийся «туман» из свободных атомов кремния оседает на пластиковой п

11.04.2006 Микросхемы будут "распылять"

устройства в настоящее время изготавливаются по следующей технологии: в вакууме нагревается чистый кремний, после чего образующийся «туман» из свободных атомов кремния оседает на пластиковой п

21.12.2005 Революция в электронике: открыт растягивающийся кремний

«Растягивающийся кремний обладает возможностями, отличными от стандартного, то есть того, который применяется

19.12.2005 Новое в электронике: растягивающийся кремний

тели из Иллинойского университета создали полностью растяжимую форму однокристального кремния. Этот кремний обладает волнистой структурой в микронных масштабах, и может использоваться для созда

19.12.2005 Новое в электронике: растягивающийся кремний

тели из Иллинойского университета создали полностью растяжимую форму однокристального кремния. Этот кремний обладает волнистой структурой в микронных масштабах, и может использоваться для созда

01.03.2005 Лазеры Intel "разгонят" компьютерные сети

о попадание двух инфракрасных фотонов в атом кремния выбивало из того электрон. Из-за этого эффекта в кремнии накапливались свободные электроны, которые поглощали свет, и никакого усиления не п

17.02.2005 Intel совершил лазерный прорыв

и Intel кремниевый чип испускает лазерное излучение при накачке излучением другого лазера. При этом кремний поглощает большую часть излучения накачки, которая «поглощается» атомами кристалличес

17.02.2005 Intel создал кремниевый лазер

Компания Intel заявила о том, что ее разработчикам удалось создать кремниевый лазер с длительным излучением, сообщает AP. Еще в январе ученые компании обнародовали информацию о кремниевом инфракрасном лазере, который мог давать только короткие импульсы излучен

17.02.2005 Intel создал кремниевый лазер

Компания Intel заявила о том, что ее разработчикам удалось создать кремниевый лазер с длительным излучением, сообщает AP. Еще в январе ученые компании обнародовали информацию о кремниевом инфракрасном лазере, который мог давать только короткие импульсы излучен

20.12.2004 Алмаз заменит кремний в микросхемах?

нию всё большего числа транзисторов на единице площади, ведет и к росту тепловыделения при прохождении тока, и уже сейчас видны пределы миниатюризации, при которых выделяющееся тепло просто расплавит кремний (его температура плавления 1683 градусов Kельвина). Алмаз же плавится при 3820 K, и это создает новые возможности для дальнейшего уменьшения расстояния между элементами микросхем. Деймо

27.10.2004 Создан первый в мире кремниевый лазер

ее всего, с промышленной точки зрения, использовать для этой цели кремниевые чипы, поскольку именно кремний используется при массовом производстве микросхем. К сожалению, кремний не очен

27.10.2004 Создан первый в мире кремниевый лазер

ее всего, с промышленной точки зрения, использовать для этой цели кремниевые чипы, поскольку именно кремний используется при массовом производстве микросхем. К сожалению, кремний не очен

23.08.2004 AMD открыла новые возможности своих процессоров

Как сообщил ряд американских изданий, технология «напряженного кремния» уже используется при производстве всех 90-нанометровых чипов AMD. Кроме того, со ссы

21.06.2004 Кремниевые лекарства лечат рак

езвредности, является дешевым материалом. Как утверждает представитель QinetiQ, инвестора pSivida, "кремний, уменьшенный до наномасштабов (менее тысячи миллионных долей метра) разлагается в тел

21.06.2004 Кремниевые лекарства лечат рак

езвредности, является дешевым материалом. Как утверждает представитель QinetiQ, инвестора pSivida, "кремний, уменьшенный до наномасштабов (менее тысячи миллионных долей метра) разлагается в тел