17.05.2007 |
Спинтроника осваивает кремниевые материалы
ия, который до сих пор не удавалось интегрировать со спинтронными устройствами - спиновые состояния в кремнии деградировали из-за образования силицидов на границе ферромагнетика с кремнием. Спи |
|
17.05.2007 |
В Ленобласти создадут производство поликристаллического кремния
В Ленинградской области будет создано предприятие по высокоэффективной очистке технического кремния. Полный цикл производства предполагает получение поликристаллического кремния, используемого в энергетике. Будущее предприятие предполагается разместить в Сосновом Бору на базе Ф |
|
27.03.2007 |
Морские губки подсказали новую полупроводниковую технологию
е известковых, кремнезёмных игл (спикул) или волокон белка спонгина. Способность губок использовать кремний, растворенный в морской воде, для создания спикул привлекла внимание ученых, которые |
|
23.01.2007 |
Кремниевая фотоника вышла на новый рубеж
производительные компьютеры на основе фотонных чипов. Кроме того, можно будет полностью перейти на кремниевые фотонные чипы в оптических сетях. Кремниевые чипы недороги и могут производ |
|
12.01.2007 |
Получена самая "долгоживущая" шаровая молния
ми, через которые пропускали ток 140 А. Электрическая дуга, возникающая между электродами, испаряла кремний. В результате образовывались светящиеся шары размером с шарик для игры в пинг-понг, в |
|
01.12.2006 |
Кремниевые нанопровода позволят уменьшить размеры микрочипов
распыляли на поверхности газообразный силан (соединение кремния с водородом), где он превращался в кремний, взаимодействуя с частицами катализатора. Частицы кремния поглощались алюминием, и ко |
|
01.12.2006 |
Кремниевые нанопровода позволят уменьшить размеры микрочипов
распыляли на поверхности газообразный силан (соединение кремния с водородом), где он превращался в кремний, взаимодействуя с частицами катализатора. Частицы кремния поглощались алюминием, и ко |
|
23.11.2006 |
Создан сверхпроводник на основе кремния
уководством Бустерре Этьена (Busterret Etienne) впервые получили сверхпроводящий материал на основе кремния, сообщает PhysicsWeb. Новый кремниевый материал, содержащий 9% атомов бора, начинает |
|
23.11.2006 |
Создан сверхпроводник на основе кремния
уководством Бустерре Этьена (Busterret Etienne) впервые получили сверхпроводящий материал на основе кремния, сообщает PhysicsWeb. Новый кремниевый материал, содержащий 9% атомов бора, начинает |
|
23.11.2006 |
Создан сверхпроводник на основе кремния
уководством Бустерре Этьена (Busterret Etienne) впервые получили сверхпроводящий материал на основе кремния, сообщает PhysicsWeb. Новый кремниевый материал, содержащий 9% атомов бора, начинает |
|
03.11.2006 |
Светоизлучающий транзистор - новый этап в развитии электроники
сштабов нанометра, ученые получили своеобразную монокристаллическую пленку, примыкающую к "толстым" кремниевым электродам. При этом полупроводники n-типа (с избытком электронов) и р-типа (с изб |
|
03.11.2006 |
Светоизлучающий транзистор - новый этап в развитии электроники
сштабов нанометра, ученые получили своеобразную монокристаллическую пленку, примыкающую к "толстым" кремниевым электродам. При этом полупроводники n-типа (с избытком электронов) и р-типа (с изб |
|
20.10.2006 |
Жидкий кремний: новая перспектива микроэлектроники
Жидкий кремний, технология промышленного производства которого разработана специалистами компании Ep |
|
20.10.2006 |
Жидкий кремний: новая перспектива микроэлектроники
Жидкий кремний, технология промышленного производства которого разработана специалистами компании Ep |
|
18.09.2006 |
Intel разрабатывает первый в мире гибридный кремниевый лазер
ндартных производственных процессов, применяемых в современной полупроводниковой индустрии. Сегодня кремний широко используется в массовом производстве недорогих электронных устройств, но он та |
|
27.07.2006 |
IBM представила самый мощный в мире сервер
нта зарождения полупроводниковой индустрии. Ученые изобрели метод одновременного натяжения и сжатия кремния, обеспечивающий скачкообразное повышение производительности системы и снижение энерго |
|
25.07.2006 |
"Мнущаяся" электроника: новый технологический прорыв
представляют особый интерес. Германий имеет гораздо большую адсорбционную способность к свету, чем кремний. Если добавлять германий, не нарушая качество полупроводниковой пленки, можно получит |
|
25.07.2006 |
"Мнущаяся" электроника: новый технологический прорыв
представляют особый интерес. Германий имеет гораздо большую адсорбционную способность к свету, чем кремний. Если добавлять германий, не нарушая качество полупроводниковой пленки, можно получит |
|
30.06.2006 |
Создан кремниевый оптический усилитель нового поколения
сивности, чтобы можно было использовать его нелинейные свойства. При увеличении интенсивности света в кремнии начинается генерация электронов, обусловленная процессом поглощения двух фотонов. И |
|
30.06.2006 |
Создан кремниевый оптический усилитель нового поколения
сивности, чтобы можно было использовать его нелинейные свойства. При увеличении интенсивности света в кремнии начинается генерация электронов, обусловленная процессом поглощения двух фотонов. И |
|
09.06.2006 |
Наночастицы исправят бракованный кремний
могли бы достигнуть таких результатов». Наночастицы при этом действуют и как абразив, и как bulk-"заполнитель" - за счет того, что титановые наночастицы обеспечивают эффект "прилипания" к поверхности кремниевой пластины. Внутренняя часть наночастиц СеO2, сообщает Nanotechweb, состоит из одиночного кристалла без его разделения на грани, так как сверху наночастицы покрыты 1-2 нанометровым сло |
|
09.06.2006 |
Наночастицы исправят бракованный кремний
могли бы достигнуть таких результатов». Наночастицы при этом действуют и как абразив, и как bulk-"заполнитель" - за счет того, что титановые наночастицы обеспечивают эффект "прилипания" к поверхности кремниевой пластины. Внутренняя часть наночастиц СеO2, сообщает Nanotechweb, состоит из одиночного кристалла без его разделения на грани, так как сверху наночастицы покрыты 1-2 нанометровым сло |
|
11.04.2006 |
Микросхемы будут "распылять"
устройства в настоящее время изготавливаются по следующей технологии: в вакууме нагревается чистый кремний, после чего образующийся «туман» из свободных атомов кремния оседает на пластиковой п |
|
11.04.2006 |
Микросхемы будут "распылять"
устройства в настоящее время изготавливаются по следующей технологии: в вакууме нагревается чистый кремний, после чего образующийся «туман» из свободных атомов кремния оседает на пластиковой п |
|
21.12.2005 |
Революция в электронике: открыт растягивающийся кремний
«Растягивающийся кремний обладает возможностями, отличными от стандартного, то есть того, который применяется |
|
19.12.2005 |
Новое в электронике: растягивающийся кремний
тели из Иллинойского университета создали полностью растяжимую форму однокристального кремния. Этот кремний обладает волнистой структурой в микронных масштабах, и может использоваться для созда |
|
19.12.2005 |
Новое в электронике: растягивающийся кремний
тели из Иллинойского университета создали полностью растяжимую форму однокристального кремния. Этот кремний обладает волнистой структурой в микронных масштабах, и может использоваться для созда |
|
01.03.2005 |
Лазеры Intel "разгонят" компьютерные сети
о попадание двух инфракрасных фотонов в атом кремния выбивало из того электрон. Из-за этого эффекта в кремнии накапливались свободные электроны, которые поглощали свет, и никакого усиления не п |
|
17.02.2005 |
Intel совершил лазерный прорыв
и Intel кремниевый чип испускает лазерное излучение при накачке излучением другого лазера. При этом кремний поглощает большую часть излучения накачки, которая «поглощается» атомами кристалличес |
|
17.02.2005 |
Intel создал кремниевый лазер
Компания Intel заявила о том, что ее разработчикам удалось создать кремниевый лазер с длительным излучением, сообщает AP. Еще в январе ученые компании обнародовали информацию о кремниевом инфракрасном лазере, который мог давать только короткие импульсы излучен |
|
17.02.2005 |
Intel создал кремниевый лазер
Компания Intel заявила о том, что ее разработчикам удалось создать кремниевый лазер с длительным излучением, сообщает AP. Еще в январе ученые компании обнародовали информацию о кремниевом инфракрасном лазере, который мог давать только короткие импульсы излучен |
|
20.12.2004 |
Алмаз заменит кремний в микросхемах?
нию всё большего числа транзисторов на единице площади, ведет и к росту тепловыделения при прохождении тока, и уже сейчас видны пределы миниатюризации, при которых выделяющееся тепло просто расплавит кремний (его температура плавления 1683 градусов Kельвина). Алмаз же плавится при 3820 K, и это создает новые возможности для дальнейшего уменьшения расстояния между элементами микросхем. Деймо |
|
27.10.2004 |
Создан первый в мире кремниевый лазер
ее всего, с промышленной точки зрения, использовать для этой цели кремниевые чипы, поскольку именно кремний используется при массовом производстве микросхем. К сожалению, кремний не очен |
|
27.10.2004 |
Создан первый в мире кремниевый лазер
ее всего, с промышленной точки зрения, использовать для этой цели кремниевые чипы, поскольку именно кремний используется при массовом производстве микросхем. К сожалению, кремний не очен |
|
23.08.2004 |
AMD открыла новые возможности своих процессоров
Как сообщил ряд американских изданий, технология «напряженного кремния» уже используется при производстве всех 90-нанометровых чипов AMD. Кроме того, со ссы |
|
21.06.2004 |
Кремниевые лекарства лечат рак
езвредности, является дешевым материалом. Как утверждает представитель QinetiQ, инвестора pSivida, "кремний, уменьшенный до наномасштабов (менее тысячи миллионных долей метра) разлагается в тел |
|
21.06.2004 |
Кремниевые лекарства лечат рак
езвредности, является дешевым материалом. Как утверждает представитель QinetiQ, инвестора pSivida, "кремний, уменьшенный до наномасштабов (менее тысячи миллионных долей метра) разлагается в тел |
|
24.03.2004 |
Новый вид компьютерной памяти на подходе
о не кремния, на использование которого рассчитан текущий производственный процесс. Дело в том, что кремний сам по себе не обладает магнитными свойствами, а предпринимавшиеся до сих пор попытки |
|
17.02.2004 |
IDF-2004: да будет свет!
током, текущим по медным проводам. Исследователям лабораторий Intel удалось органически совместить кремний со светом – так и родилась кремниевая фотоника. Фотоника – это технологии излучения, |
|
17.02.2004 |
IDF-2004: да будет свет!
током, текущим по медным проводам. Исследователям лабораторий Intel удалось органически совместить кремний со светом – так и родилась кремниевая фотоника. Фотоника – это технологии излучения, |