15.07.2015 «РДТех» предложит своим заказчикам решения на флэш-памяти от Violin Memory

Компания «РДТех», игрок российского ИТ-рынка, объявила о заключении партнерского соглашения с компанией Violin Memory, производителем флэш-памяти для корпоративных центров обработки данных. Как сообщили CNews в «РДТех», партнерское соглашение стало важным стратегическим шагом для обеих компаний. «Наша компания работает на рын

19.03.2015 Samsung создал флэш-память на 128 ГБ для дешевых смартфонов

Samsung разработала чип флэш-памяти емкостью 128 ГБ. В каждой его ячейке хранится по три бита информации. Чип выполнен по стандарту Embedded MultiMediaCard (eMMC) 5.0 и предназначен для мобильных устройств среднего це

11.03.2015 Samsung запускает в производство 128-гигабайтную UFS 2.0 флэш-память для смартфонов

ния данных с высокой пропускной способностью, стимулируя дальнейший рост рынка премиум памяти». UFS флэш-память от Samsung использует Command Queue – технологию, которая повышает скорость выпол

03.10.2014 Oracle представила флэш-систему хранения данных FS1 Series

аспределения ресурсов хранения для приложений. Флэш-система хранения данных FS1 Series обладает архитектурой высокой доступности с горизонтальным масштабированием, что позволяет ей наращивать ресурсы флэш-памяти до петабайтных объемов. По словам разработчиков, в основу Oracle FS1 Series положены экспертные знания, многолетний опыт и пять поколений инновационных разработок Oracle в области <

02.09.2014 «Актив» представил «Рутокен ЭЦП Flash» — электронный идентификатор с управляемой Flash-памятью

Актива», от других электронных идентификаторов «Рутокен ЭЦП Flash» отличается: наличием управляемой Flash-памяти — в ней можно создавать разделы, ограничивая доступ к ним с помощью PIN-кодов; в

30.05.2014 Samsung начинает серийное производство модулей 32-слойной флэш-памяти 3D V-NAND второго поколения

Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного производства первой в отрасли трехмерной (3D) флэш-памяти V-NAND, которая включает 32 слоя ячеек по вертикали (это второе поколение флэш-памяти V-NAND). 32-слойная память 3D V-NAND компании Samsung (также называется Vertical NAND) т

06.11.2013 Toshiba начинает выпуск новых встраиваемых модулей флэш-памяти NAND по 19-нм техпроцессу второго поколения

Корпорация Toshiba объявила о выпуске новых встраиваемых модулей флэш-памяти на основе логики NAND, в которых интегральные схемы (ИС) NAND интегрированы с использованием 19-нанометровой технологии второго поколения. Встраиваемые модули предназначены для прим

15.10.2013 DSCon представила новые карты флэш-памяти PCIe серии Velocity

Компания DSCon, официальный дистрибьютор продуктов и решений Violin Memory, объявила о доступности нового семейства продуктов — высокопроизводительных карт flash-памяти PCIe серии Velocity емкостью 1,37 и 2,74 ТБ. Как рассказали CNews в DSCon, карты flash-памяти Violin Velocity для PCIe Gen 2/3 являются продуктом стратегического альянса Vio

26.08.2013 Toshiba запускает производство флэш-памяти нового типа

shiba и SanDisk. Событию предшествовала специальная церемония. В новом цеху планируется производить флэш-память типа NAND, используемой в современной потребительской электронике и корпоративных

07.08.2013 Революция во флэш-памяти: На чипе с почтовую марку разместили 1 ТБ данных

современной жизни, что продолжает порождать спрос на накопители информации. В то же время планарная флэш-память близка к своему пределу в плане миниатюризации. Новый тип энергонезависимой памят

12.04.2013 IBM дала $1 млрд на революцию во флэш-памяти

ологий ее интеграции в серверы и системы хранения данных будущих поколений. В компании считают, что флэш-память способна сократить время отклика в серверах и системах хранения данных (СХД) от м

31.01.2013 Seagate и Virident совместно создадут решения для хранения данных на основе флэш-памяти

Компания Seagate Technology, производитель решений для хранения данных, и Virident Systems, разработчик решений СХД на базе твердотельной флэш-памяти (SCM), сообщили о своем стратегическом сотрудничестве в совместной разработке решений для растущего рынка корпоративных СХД на основе технологии флэш. По условиям договора, компания

04.12.2012 Разработана вечная флэш-память

ии Macronix, расположенной в тайваньском городе Синьчжу, разработали технологию, способную избавить флэш-память от эффекта старения. Эффект старения является одним из недостатков флэш-памяти, к

28.08.2012 SSD-накопители Seagate Pulsar стали частью высокопроизводительных систем Nor-Tech

Компания Seagate объявила о том, что твердотельные накопители Seagate Pulsar теперь устанавливаются в комплексные вычислительные кластеры компании Nor-Tech. Компания Nor-Tech является авторизованным интегратором компаний Intel и Supermicro, а также имеет статус Microsoft Direct OEM и специализируется на производстве высокопроизводи

02.08.2012 Samsung начал выпуск более быстрой флэш-памяти для смартфонов и планшетов

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска флэш-памяти нового поколения, предназначенной для смартфонов, планшетов и другой мобильной электроники. Новые модули Samsung eMMC Pro Class 1500, доступные в емкостях 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ, пред

24.07.2012 Toshiba на 30% сократит производство флэш-памяти

удивлены тем, что корпорация сокращает производство на целую треть сейчас, когда снижение спроса на флэш-память наблюдается уже давно. Кроме того, Toshiba следует подготовиться к запуску нового

01.03.2012 Intel продает долю в СП по выпуску флэш-памяти за $600 млн

В рамках договоренностей Micron также согласилась сохранить за Intel право на эксклюзивные поставки флэш-памяти. Напомним, что Intel является одним из ведущих игроков рынка SSD-накопителей.

24.02.2012 SanDisk создала самый миниатюрный в мире модуль флэш-памяти объемом 128 ГБ

ули выделяются не только компактными размерами, но и скоростью записи, достигающей 18 МБ в секунду. Подобных результатов удалось добиться за счет использования запатентованной архитектуры ABL. Модуль флеш-памяти емкостью 128 ГБ появился в результате совместных усилий сотрудников компаний SanDisk и Toshiba, которые работали над общим проектом в штаб-квартире SanDisk в Милпитасе, Калифорния.

13.01.2012 IBM увеличила емкость флеш-памяти в 100 раз

на букву В результате более близкого размещения битов друг к другу ученым удалось добиться плотности записи примерно в 100 раз большей по сравнению с плотностью записи в современных жестких дисках и флэш-памяти. Иными словами, для записи данных потребовалось в 100 раз меньше площади, чем в современных накопителях информации. Результаты эксперимента были опубликованы в журнале Science.

13.12.2011 Apple покупает разработчика быстрой флэш-памяти

ь репортерам Calcalist, Apple уже использует решение Anobit: внутри смартфона iPhone 4S установлена флэш-память производства Hynix Semiconductor, использующая технологию израильской фирмы. Согл

20.01.2011 Флэш-память наступает: Seagate и Western Digital теряют прибыль

ов вырос на 4% в сравнении год к году до 168 млн штук. Аналитики объясняют слабые результаты смещением спроса к смартфонам и планшетным компьютерам, в которых отсутствуют жесткие диски и используется флэш-память. В Seagate в качестве основной причины предпочитают указывать продолжающуются макроэкономическую нестабильность, которая оказывает негативное влияние на потребительский сегмент. В т

10.12.2010 Сбой на заводе Toshiba может увеличить стоимость флэш-памяти

величила объем заказов NAND-памяти на будущий год примерно вдвое, сообщают аналитики. Новость привела к незначительному снижению стоимости акций Toshiba, являющейся одним из крупнейших производителей флэш-памяти, - на 1,6%. Стоимость акций конкурента, Samsung Electronics, подросла на 3,3%. Отметим, что ранее подобные инциденты уже случались. Например, в 2007 г. проблемы с энергоснабжением в

18.08.2010 Производители винчестеров объединились против флэш-памяти

ых заводов и развитие существующих технологий, тогда как новые технологии по-прежнему остаются в отдаленной перспективе, отмечают участники рынка. Между тем, на фоне стремительного развития индустрии флэш-памяти каждый год простоя означает, что будущее магнитных накопителей становится все туманнее. Впервые производители винчестеров признали основного соперника в лице флэш-памяти в 20

08.04.2010 Hewlett-Packard создала замену флеш-памяти

то позволяет использовать его в качестве ячейки памяти. Исследователи считают, что в скором будущем мемристоры заменят транзисторы. В частности, их планируется применять в качестве замены современной флеш-памяти и оперативной памяти. Как отметил ранее Леон Чуа, изобретатель мемристоров, системы на базе данных элементов будут функционировать сходно с биологическим мозгом. «Наши мозги созданы

10.02.2010 Крупнейший европейский производитель флеш-памяти продан в США

течение 3-6 месяцев. Компания Numonyx была образована путем слияния подразделения Intel по выпуску NOR-памяти и NAND-бизнеса STMicroelectronics. Numonyx является крупнейшим в мире производител

10.02.2010 Micron приобретает производителя NOR-памяти Numonyx за $1,27 млрд

Американская компания Micron Technology приобретает швейцарского производителя NOR-памяти Numonyx, основанного Intel и STMicroelectronics в 2008 г. Сумма сделки оценивается

18.12.2009 Разработана гибкая органическая флэш-память

Междунвродная исследовательская группа под руководством Такао Сомея (Takao Someya) из университета Токио разработала конструкцию флэш-памяти на органических компонентах. Она предназначена для использования в массивах сенсоров, размещаемых на гибкой подложке. Новая память конструктивно представляет собой массив транзистор

29.10.2009 Замена флэш-памяти: ученые совершили прорыв

ть там, где сейчас стоят модули флеш-памяти NAND-архитектуры. Это очень важно, так как традиционная флэш-память подходит к пределу своих физических и функциональных возможностей. Между тем, пот

22.07.2009 Intel перевела SSD на 34-нм флэш-память, цена снижена на 53-62%

Корпорация Intel объявила о начале поставок первых в мире 2,5-дюймовых твердотельных накопителей (SSD), изготовленных на базе 34-нм флэш-памяти с многоуровневой структурой ячеек. Накопители предназначены для настольных и мобильных ПК и поставляются в двух вариантах: емкостью 80 ГБ и 160 ГБ. Новый Intel X25-M полностью совме

05.03.2009 Правительство Тайваня создаст компанию по производству флэш-памяти

50% пакета акций. Данный шаг направлен на защиту банковского сектора. Из-за сильного падения цен на флэш-память, обусловленного экономическим кризисом, тайваньские поставщики несут убытки и не

18.12.2008 Выпущена флэш-память с поддержкой 1 млн циклов перезаписи

ой ячеек с существенно увеличенным сроком службы, сообщает DigiTimes. Новая технология позволяет выполнять около 1 млн циклов перезаписи информации без снижения надежности. Для сравнения, современная флэш-память поддерживает около 10 тыс. циклов перезаписи, после чего сохранность информации уже не гарантируется. Разработчики уверены, что новая технология может использоваться для изготовлени

06.11.2008 Рынок флэш-памяти ждет исторический обвал

Мировой финансовый кризис ударил по рынку флэш-памяти. Основная ожидаемая проблема рынка — снижение потребительского спроса на электронику. По прогнозу iSuppli, выручка с продажи NAND-памяти сократится как по итогам этого года, так и в

28.10.2008 Toshiba приступила к производству 43-нм флэш-памяти

товых телефонов, системы хранения данных и т.д. Новая память Toshiba создана специально для тех областей применения, где предъявляются повышенные требования к скорости работы и надежности. Микросхемы флэш-памяти Toshiba, сделанные на 43-нм техпроцессе Новые микросхемы памяти появятся в коммерческих продуктах в I квартале 2009 г.

31.07.2008 SanDisk пророчит закат флэш-памяти

По словам официальных представителей корпорации SanDisk, флэш-память может исчезнуть в течение следующих 10 лет, так как исчерпает свой ресурс. Инжене

17.07.2008 Японцы разработали вечную флэшку

кого Института современной прикладной науки и технологий (AIST) и из Университета Токио разработали флэш-память, способную хранить записанную в нее информацию в течение сотен лет. Новые чипы па

28.03.2008 Флэш-память — новый враг Blu-ray

Лурье Финхам (Laurie Fincham): «Я думаю, Blu-ray появился слишком поздно. Я полагаю, что большая часть потребителей будет заинтересована в замене своих DVD, когда фильмы высокой четкости появятся на флэш-памяти. Нужен ли вам еще один „крутящийся“ носитель?» По мнению аналитиков, светлому будущему Blu-ray ничего не угрожает: уже в 2012 г. соответствующие проигрыватели будут у 132 млн семей

19.02.2008 Toshiba и SanDisk построят в Японии два завода по производству флэш-памяти

Японский производитель электроники Toshiba и крупнейший в мире производитель карт памяти американская компания SanDisk подписали меморандум о намерении построить в Японии 2 завода по производству флэш-памяти, сообщает РБК. Инвестиции в проект составят 1,7 трлн. иен ($15,76 млрд.). Партнеры намерены создать совместное предприятие, которое займется производством энергонезависимой памяти N

11.02.2008 Sandisk представил новую технологию NAND флэш-памяти

Корпорация SanDisk сообщила о достижении нового рубежа в производстве флэш-памяти и поделилась планами по запуску в марте-апреле 2008 г. серийного производства первой в мире NAND флэш-памяти с тремя битами на ячейку. Новая 16-гигабитная память x3 NAND прои

13.12.2007 Toshiba проложила путь к новой флэш-памяти

Корпорация Toshiba объявила об успешной разработке новой туннельной технологии, которая в будущем позволит создавать флэш-память намного большей емкости, на базе нового, 10-нм технологического процесса. Технология была анонсирована вчера, 12 декабря, на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting

15.11.2007 Intel увеличит емкость SIM-карты в 1000 раз

нтроллер на основе своего решения SLE-88 (130-нм процесс). Intel займется производством флэш-памяти NOR-типа, которая будет производиться по технологиям 65 нм и 45 нм. Ожидается, что емкость но