Японский производитель электроники Toshiba объявил о своем намерении инвестировать $1,8 млрд. в производство флэш-памяти для мобильных телефонов и портативных музыкальных плееров. Данное стремление представителей компании вызвано ни чем иным, как высоким спросом на данный вид продукции, сообщает Nihon

дискового кэша. Система, разработанная компанией-специалистом в области хранилищ данных, использует флэш-память для хранения наиболее часто запрашиваемых участков диска, в частности, таблиц раз

Spansion, дочерняя компания AMD, Fujitsu, занимающаяся разработкой устройств флэш-памяти, и Taiwan Semiconductor Manufacturing объявили о заключении соглашения, позволяющего начать массовое производство микросхем на основе 110-нанометровой технологии Spansion MirrorBit.

По сообщению Samsung Electronics, спрос на микросхемы flash memory превзошел ожидаемый уровень. Производители микросхем стремительно увеличивают выпуск flash memory, что приводит резкому падению цен на данную продукцию, используемую практич

и планшетных компьютеров, начнется уже в августе 2005 года. Samsung ожидает, что в дальнейшем NAND флэш-память будет применяться не только в цифровых фотокамерах, MP3-плеерах и 3G-телефонах, н

и планшетных компьютеров, начнется уже в августе 2005 года. Samsung ожидает, что в дальнейшем NAND флэш-память будет применяться не только в цифровых фотокамерах, MP3-плеерах и 3G-телефонах, н

высокой скоростью записи — 10 Мб/с, что в 60 раз превосходит скорость записи флэш-памяти типа NOR. На 4-гигабитном чипе, для примера, можно хранить 250 снимков, полученных с помощью 5-мег

высокой скоростью записи — 10 Мб/с, что в 60 раз превосходит скорость записи флэш-памяти типа NOR. На 4-гигабитном чипе, для примера, можно хранить 250 снимков, полученных с помощью 5-мег

нтерфейс, причем это единственный тип NAND-памяти, разработанный для сопряжения с флэш-памятью типа NOR. Вдобавок такая конструкция минимизирует потери хранящихся данных при отключении питания.

 продукции, разрабатываемой и продвигаемой на рынок подразделением HDD компании Samsung, а также другими производителями OEM HDD. Взаимодействие OneNAND с HHD SOC будет осуществляться через интерфейс NOR как самостоятельного устройства памяти или как набора из нескольких микросхем. Samsung и  Microsoft вели совместную разработку устойчивого набора команд ATA (advanced technology attachment)

 продукции, разрабатываемой и продвигаемой на рынок подразделением HDD компании Samsung, а также другими производителями OEM HDD. Взаимодействие OneNAND с HHD SOC будет осуществляться через интерфейс NOR как самостоятельного устройства памяти или как набора из нескольких микросхем. Samsung и  Microsoft вели совместную разработку устойчивого набора команд ATA (advanced technology attachment)

ршрутизаторов, коммутаторов и карманных ПК. Разработанная корпорацией Intel в 1988 году флэш-память NOR представляет собой микросхему памяти с возможностью неоднократной перезаписи, сохраняющую

новой функциональности реализуется не только в устройствах, созданных на базе относительно дорогой флеш-памяти (что, в принципе, можно рассматривать как попытку дать пользователю шанс со време

анить информацию лишь до тех пор, пока на нее подается питание, однако она существенно дешевле, чем флэш-память. В прототипе памяти нового типа достигнута скорость переключения, составляющая 30

Корпорация Intel продемонстрировала несколько перспективных образцов флэш-памяти NOR, предназначенной для секторов сотовой связи и встроенных систем, которые дополняют ее пор

ке новой архитектуры флэш-памяти ORNAND, которая позволит объединить преимущества исполнения логики NOR (НЕ-ИЛИ) и средств хранения данных NAND (логика НЕ-И) в рамках одного продукта, изготовле

в, периферийных устройств для ПК и автомобильного электронного оборудования, в котором используется флэш-память. Новое семейство Spansion FL позволяет добиться всех этих преимуществ за счет исп

Как сообщает NE Asia Online, компания Renesas Technology выпустила модули флэш-памяти AG-AND емкостью 4 ГБ. По словам компании, они обладают самыми высокими скоростными характеристиками в своем классе. Скорость обмена данными достигает 10 МБ/с. На 4 гигабитный чип мо

Тайваньский институт исследований индустриальных технологий (ITRI) совместно с несколькими местными ИТ-фирмами разработал и готовит к массовому производству новый тип флэш-памяти. Карта Ecard" отличающаяся высокой скоростью обмена, впервые будет представлена в октябре на выставке Taitronics, которая пройдет в Тайбэе. Скорость чтения и записи Ecard почти на п

Компания ST Microelectronics объявила о выпуске 256 и 128-Мбитной NAND флэш-памяти - NAND256 и NAND128. Оба модуля работают и от 3 и 1,8 В. Они соединены в 512 Мбитные и 1 Гбитные модули. Массовое производство уже началось, пишет NE Asia Online. Чипы, предназначен

По словам представителей Samsung, снижение цен на микросхемы флэш-памяти, которые с октября прошлого года подешевели более чем вполовину, является давно запланированной мерой, призванной обеспечить рост рынка. Конечно, цены на высокотехнологичную продукц

Компании Samsung Electronics и Toshiba, доминирующие на рынке чипов флэш-памяти, которые используются в цифровых камерах и MP3-плеерах, снижают цены в целях поддержания спроса и ослабления позиций конкурентов. Об этом говорят представители отрасли и аналитики,

те. В 1-м квартале этого года корпорация Intel объявила о выпуске первой в отрасли флэш-памяти типа NOR, изготовленной по 90-нанометровой технологии: использование 90-нанометрового техпроцесса,

шее в отрасли соотношение цена/производительность, а также самый широкий среди всех флэш-технологий NOR набор функциональных возможностей и самые высокие показатели плотности. Эта технология по

16-мегабитной флэш-памяти двойной плотности до первого в мире 512-мегабитного флэш-устройства типа NOR. Представители компании утверждают, что на сегодня компания является мировым лидером по в

16-мегабитной флэш-памяти двойной плотности до первого в мире 512-мегабитного флэш-устройства типа NOR. Представители компании утверждают, что на сегодня компания является мировым лидером по в

Компания SanDisk представила 4-гигабитный чип флэш-памяти с многоуровневыми ячейками (MLC) NAND-типа, выполненный на одном кристалле и вдвое больший по объему, чем её предыдущая разработка. Контроллер нового поколения позволяет при этом ув

сегодня заявление в токийский суд, обвинив работодателя в присвоении интеллектуальной собственности. Фуджио Масуока (Fujio Masuoka), профессор университета Тохоку, занимавшийся в Toshiba разразботкой флэш-памяти, намерен взыскать 1 млрд. йен. Представители Toshiba не прокомментировали это событие. Источник: The Nihon Keizai Shimbun.

Корпорация Intel сообщила о предстоящем выпуске первых в мире компонентов флэш-памяти типа NOR, изготовленных по технологическому процессу с проектной нормой 90 нанометров. Компоненты

стройствам через обычный USB-порт. Новый формат стал детищем недавно созданной группы Universal Transportable Memory Association (UTMA) и, по словам представителей группы, представляет собой два чипа флэш-памяти в одном корпусе, подобно высокоплотным картам вроде Secure Digital. Только в отличие от этих карт, процессоры расположены рядом, а не вместе. Емкость новых карт будет составлять сна

стройствам через обычный USB-порт. Новый формат стал детищем недавно созданной группы Universal Transportable Memory Association (UTMA) и, по словам представителей группы, представляет собой два чипа флэш-памяти в одном корпусе, подобно высокоплотным картам вроде Secure Digital. Только в отличие от этих карт, процессоры расположены рядом, а не вместе. Емкость новых карт будет составлять сна

или кармане рубашки. Среди членов вновь созданного USB Flash Drive Alliance такие компании, как Lexar Media, Samsung Semiconductor и другие. Группа собирается пропагандировать использование устройств флэш-памяти в качестве альтернативы компакт-дискам, DVD и дискетам. Помимо миниатюрных размеров и большой емкости таких устройств, они более универсальны, чем даже диски DVD или СD, которые мог

следовательской компании iSuppli. Intel, тем не менее, остался ведущим поставщиком флэш-памяти типа NOR, используемой в мобильных телефонах. С первого места по объему продаж флэш-памяти америка

На российский рынок выходит новая торговая марка устройств для хранения и передачи информации Digma c линейкой карт флэш-памяти: CompactFlash, SecureDigital, MultiMediaCard и SmartMedia. Модели карт флэш-памяти и рекомендованные розничные цены: CompactFlash Type I DCF064A64 МБ30$ DCF128A128 МБ53$ DCF2

Компания Samsung Electronics выступила с заявлением, что к 2004 г. планирует стать крупнейшим производителем модулей флэш-памяти в мире. По ожиданиям компании, к 2004 г. объем продаж флэш-памяти вырастет до $10 млрд. В настоящий момент на долю Samsung приходится 65% рынка чипов памяти типа NAND. Samsun

Компания Micron Technology объявила о создании 64-Mбитной флэш-памяти, MT28F644W18, разработанной для мобильных устройств. Напряжение питания нового чипа - 1,8 В, скорость доступа к данным - 60 наносекунд, частота - 81 МГц. Чип поставляется в форм-фак

Мировые продажи карт флэш-памяти преодолеют снижение цен на компоненты флэш-памяти типа NAND, произошедшее в первой половине 2003 года, и вновь обещают обеспечить рост доходов в соответствующем рыночном сект

я под торговой маркой Spansion, объявила о начале выпуска первой в мире микросхемы флэш-памяти типа NOR емкостью 512 Мбит - Spansion S29GL512N. Этот однокристальный продукт высшего уровня плотн

же к концу 2003 г. Intel и Samsung производят различные типы флэш-памяти: американская корпорация - NOR-чипы (устройства отличаются высокой скоростью считывания информации и могут служить платф

  Компания SanDisk представила новую линию своих продуктов SanDisk Extreme - карты флэш-памяти формата CompactFlash и SecureDigital, предназначенные для работы в экстремальных условиях. Рабочий диапазон температуры новых карт - от -25 до +85°C. При этом их быстродействие - за