Компания Lexar Media сообщила о планах начать поставки своих карт флэш-памяти 16x Professional CF Type II емкостью 1 Гб с 31 января. Компания утверждает, что эти карты стоимостью около $1.199 и обеспечивающие скорость записи 2,4 Мб в секунду будут продемонстр

компании Дэйв Игглестон (Dave Eggleston) сообщил, что фирма разработала собственный чип флэш-памяти NOR-типа и чип контроллера, а также сделала свою MultiMedia Card. До этого Micron продавала з

анная микросхема должна появиться в первом квартале 2002 года. По прогнозам аналитиков, к 2004 году флэш-память NAND-типа займет 51% всего рынка памяти. Samsung Electronics Co., Ltd. - производ

ип, использующий меньшие по размеру ячейки, нацелен на пользовательский рынок, где используется как флэш-память для цифровых камер и т.д. Совместные разработки компаний, направленные на использ

p и Intel, существующим с января 1992 года, который был создан для разработки и продажи флэш-памяти NOR-типа. Как заявил представитель компании Sharp, NOR-память предназначена для высоко

Advanced Micro Devices (AMD) сообщила, что она начала производство флэш-памяти, основанной на 0,17-микронной технологии. Устройства будут выпускать на заводе Fujitsu-AMD Semiconductor Ltd. (FASL), строительство которого было начато в июне 2000 года, а первая п

Lexar Media представила новые карты флэш-памяти CompactFlash, которые записывают данные на 50% быстрее предыдущих модификаций, и теперь скорость записи данных составляет 1,8 Мб/сек. Компания сообщила, что новые карты предназначен

Лидер рынка флэш-памяти компания SanDisk подала иск против других производителей данного типа памяти - Memorex, PQI, Pretec Electronics (филиал Asahi Pretec) и Ritek. Компания подала в Суд Северного округа

цифровых устройств, за счет которых возможен новый рост индустрии полупроводников. Руководствуясь этими соображениями, компания урезала объемы выпуска DRAM для ПК и собирается расширить производство флэш-памяти и чипов SDRAM, используемых, главным образом, в мобильных телефонах и сетевых серверах. К 2005 году руководство Samsung планирует довести объем выпуска SDRAM и флэш-памяти до

цифровых устройств, за счет которых возможен новый рост индустрии полупроводников. Руководствуясь этими соображениями, компания урезала объемы выпуска DRAM для ПК и собирается расширить производство флэш-памяти и чипов SDRAM, используемых, главным образом, в мобильных телефонах и сетевых серверах. К 2005 году руководство Samsung планирует довести объем выпуска SDRAM и флэш-памяти до

ового аудио. До этого компания выпустила аудиоплеер iPaq Personal Audio Player PA-2, использовавший флэш-память, и домашний музыкальный центр iPaq Music Center, использовавший для хранения данн

0 раз меньше той, которую корпорация Intel впервые представила на рынок в середине 80-х годов.Новая флэш-память предназначена для использования в сотовых телефонах, компьютерных приставках и др

ежели стандартные CompactFlash карты от SanDisk, пропускная способность достигает 2,8 Мб/сек. Новая флэш-память может использоваться и для КПК, и для цифровых фотоаппаратов.Ultra CompactFlash T

полученном SanDisk 21 ноября 2000 года. Энергонезависимая перезаписываемая память используется в микросхемах загрузки персональных компьютеров (на память приходит вирус CIH), из нее производят карты флэш-памяти для цифровых камер, MP3-плееров и карманных ПК. Иск был подан в Окружной Суд США Северного округа Калифорнии. Micron пока никак не отреагировала на произошедшее.

Синхронная флэш-память Intel StrataFlash с напряжением питания 3 вольта считывает данные вчетверо быстре

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового выпуска микросхем флэш-памяти объемом 512 Мб, сообщила Maeil Business Newspaper. Аналогичное изделие выпустила недавно корпорация Toshiba.Модули NAND флэш-памяти на 512 Мб используются в цифровых камерах,

Компания Samsung Electronics объявила о скором выходе самого тонкого в мире чипа флэш-памяти, толщина которого - 0,7 мм. Новый чип построен по технологии WSOP, с помощью которой создаются тонкие полупроводники, и может использоваться в цифровых камкодерах, MP3 плейерах, моб

Компания AMD cообщила о прорыве в технологии производства флэш-памяти. Теперь, благодаря использованию новой архитектуры Mirror Bit, удалось повысить вдвое плотность записи информации в микросхемам флэш-памяти без потери надежности, продолжител

Компания Macronix International Corp. сообщила, что в июне намерена начать производство семейства новых чипов флеш-памяти по новейшей технологии Jaffa, разработанной совместно с израильской Saifun Semiconductors Ltd. Эта технология позволит существенно повысить эффективность технологического процесса,

орпорация Intel объявила о своем намерении поставлять компании Cisco Systems высокопроизводительную флэш-память для использования в различном коммуникационном оборудовании Cisco, в том числе ка

Компании Intel и Cisco Systems в понедельник объявили о подписании трехлетнего соглашения, по которому Intel станет поставщиком флеш-памяти для таких продуктов Cisco как кабельные модемы, коммутаторы и недорогие маршрутизаторы. В ассортимент устройств флеш-памяти с высокой плотностью входит и последняя разработка

Во вторник компания AMD сообщила о подписании 3-летнего контракта с Lucent Technologies на поставки flash-памяти для ее оборудования для сетей хранения данных, оптоволоконных сетей и беспроводных устройств. Как сообщает Cnet, ранее AMD уже подписала подобные соглашения с Palm и Siemens. В пос

Стремясь обезопасить себя от возможных недопоставок флеш-памяти, компания Palm в среду сообщила, что вплоть до 2003 года основным поставщиком этого продукта станет AMD. В прошлом году из-за высокого спроса на мобильные телефоны у производителей

По данным последнего опроса Nikkei Market Access, спрос на NOR флэш-память для мобильных телефонов в 2001 году достигнет 1,88 млрд. 8 Мб модулей, что на

AMD сообщила о подписании соглашения с Nortel Networks, по которому обязалась удовлетворять потребности последней во флэш-памяти на протяжении ближайших трех лет, сообщил ElecticNews. AMD уже является партнером Nortel Networks с 1999 года. Флэш память от AMD будет применяться в критических устройствах - оптич

Intel Corp. объявила в понедельник о намерении удвоитьинвестиции в завод по производству флэш-памяти в Шанхае, сообщила Electronic News Online. Объем инвестиций достигнет $400 млн. Этот шаг продиктован стремлением компании подготовиться к широкому распространению устройств для моби

Advanced Micro Devices и LSI Logic Corp. объявили сегодня об альянсе по разработке интерфейса между микросхемами флэш-памяти AMD и процессорами прямой немодулируемой передачи LSI для беспроводных устройств, работающих по стандарту CDMA. Компании разработают набор микросхем для интеграции микросхем памяти

Компания Fujitsu Microelectronics Europe сообщила о выпуске 32-мегабитных модулей флэш-памяти с 32-битной передачей данных и временем считывания 20 нс. Созданные в содружестве с компанией Advanced Micro Devices, новые модули памяти MBM29PL3200 являются первыми в индустрии, с

Компания Intel Corp. сообщила о создании второго поколения флэш-памяти с питанием 1,8 В, сообщил NetworkComputing. 32- и 64- мегабитные образцы памяти будут доступны уже в этом месяце, массовое производство будет начато в первом квартале 2001, заявили

Компании SanDisk Corp. и Hitachi Ltd. расширили существующее кросс-лицензионное соглашение в области производства флэш-памяти, подписанное в 1997 году. По условиям нового соглашения, компании обменяются патентами на свои разработки: Sandisk получит права на полупроводниковые технологии Hitachi, а Hitachi,

Компания Texas Instruments заключила договор с корпорацией Advanced Micro Devices, направленный на использование флэш-памяти AMD в Open Multimedia Application Platform (OMAP), наборе спецификаций для разработки беспроводных устройств, сообщил CNET. Использование OMAP поможет разработчикам значительно уско

Компания Texas Instruments заключила договор с корпорацией Advanced Micro Devices, направленный на использование флэш-памяти AMD в Open Multimedia Application Platform (OMAP), наборе спецификаций для разработки беспроводных устройств, сообщил CNET. Использование OMAP поможет разработчикам значительно уско

Компании SanDisk Corp. и Toshiba Corp. представили свою первую совместную разработку - чип флэш-памяти емкостью 512 Мбит. Это первый в индустрии чип, который объединяет в одном корпусе такой объем флэш-памяти. Основные сферы применения таких чипов - сотовые телефоны, цифровые

Компания Advanced Micro Devices Inc. выиграла трехлетний контракт на поставку флэш-памяти для компании Hewlett-Packard Co., сообщает Bloomberg. По условиям соглашения, AMD будет поставлять микросхемы флэш-памяти для принтеров и серверов печати, выпускаемых HP. Дру

Компания-производитель устройств хранения информации SanDisk Corp. заключила контракт на поставку шведской Telefon AB L.M. Ericsson микросхем флэш-памяти Sandisk MultiMediaCard для нового проигрывателя оцифрованной музыки HPM-10, который появится в продаже до конца года. После сообщения о планируемой поставке акции SanDisk поднялись

Компания STMicroelectronics представила чип многоуровневой флэш-памяти ёмкостью 64Мбит. Новый чип выполнен по 0,18 микронной CMOS технологии и имеет такие же размеры, как чип ёмкостью 32Мбит. Это стало возможным за счёт того, что в каждой ячейке микрос

По прогнозу компании IC Insights, по итогам на конец этого года рынок флэш-памяти достигнет оборота $9,5 млрд., что почти вдвое превысит показатели прошлого года. Около 70% рынка флэш-памяти занимают альянсы Intel-Sharp и Fujitsu-AMD, затем следует Atmel с

Компания AMD Представила новую флэш-память Am29DS323. 32-Мбитный модуль объединяет в себе две функциональные особенности - одновременную работу в режиме чтения/записи при очень низком напряжении питания 1,8 В. Скорость выбор

Компания Fujitsu Limited подготовила к выпуску на рынок 32Мбит модули флэш-памяти со временем выборки 20 наносекунд (нс). Устройства были разработаны совместно со стратегическим партнером Advanced Micro Devices (AMD). Новые модули флэш-памяти MBM29PL3200TE

используемые в мобильных телефонах и прочих электронных устройствах, в том числе и ростом спроса на флэш-память. На развитие завода будет выделено $198 млн.