ться возможностями соотношения цены и производительности передовой технологии 24 нм флэш-памяти SLC NAND Toshiba во всем спектре емкостей от 1 до 128 ГБ. Как и другие изделия этой серии, новое

име реального времени. В частности, компания продемонстрировала свою память 4-го поколения Vertical NAND (V-NAND) и линейку высокопроизводительных твердотельных накопителей с большой емк

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) выпустила новую серию 15-нм флэш-памяти eMMC NAND для автомобильных информационно-развлекательных систем и промышленных устройств. Память eMMC для автомобильной промышленности имеет широкий диапазон рабочих температур — от -40 до 85 °C и 

ой производитель мультимедиа и накопителей, представила новый твердотельный накопитель SSD360S в 2,5-дюймовом форм-факторе, построенный на базе современного контроллера Transcend TS6510 и флэш-памяти MLC NAND. Благодаря использованию интерфейса нового поколения SATA III 6 Гбит/с накопитель Transcend SSD360S осуществляет чтение и запись данных на скоростях до 540 МБ/с и 340МБ/с, соответствен

новые твердотельные накопители SSD570 в 2,5-дюймовом форм-факторе, оснащенные флэш-памятью типа SLC NAND, которые пополнят портфель продуктов компании для промышленного применения. Как сообщили

и высокопроизводительных моделей твердотельных дисков, разработанных на базе 3D-технологии Vertical NAND (V-NAND), в линейку SSD для крупных предприятий и центров обработки данных. Эти м

Компания Toshiba объявила о разработке модуля флэш-памяти NAND со стеком из 16 кристаллов на базе технологии «сквозных кремниевых межсоединений» Throug

s Co. объявила о начале серийного производства 256-гигабитной, трехмерной (3D) флэш-памяти Vertical NAND (V-NAND), которая включает 48 слоев массивов 3-разрядных многоуровневых ячеек (ML

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) объявила о выпуске новой серии гибридных твердотельных накопителей (SSHD), оснащенных 19-нанометровой флэш-памятью Toshiba NAND второго поколения (NAND). Новый накопитель SSHD MQ02ABD100H имеет емкость 1 ТБ при высоте устройства 9,5 мм, а модель MQ02ABF050H — 500 ГБ при высоте 7 мм. Новейшие накопители SSHD

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства твердотельных дисков 3,2 ТБ NVMe PCIe на базе технологии флэш-памяти 3D V-NAND (Vertical NAND), которые предназначены для корпоративных серверных систем премиум-класса. В новой модели твердотельного диска NVMe PCIe SM1715 используется проприетарная технология

. И сразу же отвечаем. Три момента, на которые стоит обратить внимание, выбирая Kingston HyperX 3K: MLC, 19-нм и 3K. Расшифровываем. (1) MLC. Здесь все просто, есть три типа флеш-памяти:

Electronics сообщила о начале серийного производства первой в отрасли трехмерной (3D) флэш-памяти V-NAND, которая включает 32 слоя ячеек по вертикали (это второе поколение флэш-памяти V-NAND

ctronics объявила о начале серийного производства высокопроизводительных твердотельных дисков 3-bit NAND, предназначенных для серверов и центров обработки данных. Новые твердотельные диски позв

Корпорация Toshiba объявила о выпуске новых встраиваемых модулей флэш-памяти на основе логики NAND, в которых интегральные схемы (ИС) NAND интегрированы с использованием 19-наномет

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства новых чипов флэш-памяти NAND, емкостью 16 ГБ. В новых микросхемах впервые в промышленных масштабах реализована технол

ехнологии MLC (многоуровневая ячейка памяти) от Hitachi GST используют 25-нанометровую сверхпрочную NAND флэш-память промышленного исполнения на основе MCL и обеспечивают высокую производительн

Мировые продажи флэш-памяти типа NAND в 1-м квартале 2010 г. выросли по сравнению с 4-м кварталом 2009 г. на 0,6% до $4,36 млрд. Фактически это означает существенное улучшение ситуации на рынке, так как обычно в начале года по

местное предприятие между Intel и Micron, объявило о начале массового производства флэш-памяти типа NAND на базе 25-нм техпроцесса. В частности, компания приступила к поставкам чипов емкостью 8

Samsung Electronics приступила к поставкам 20-нм чипов NAND-памяти для использования в картах формата SD и непосредственно в потребительской электронике в качестве встроенного хранилища. Чипы выполнены по технологии многоуровневой структуры ячеек,

Компании Intel, Micron и IM Flash Technologies (IMFT) объявили о создании модуля NAND-памяти с помощью технологического процесса 25 нм - самого передового из существующих в н

я Intel и компания Micron Technology объявили о запуске первой в мире 25-нм технологии производства NAND-памяти. На базе новой технологии были созданы микросхемы памяти емкостью 8 ГБ. Площадь о

Компании Intel и Micron Technology объявили об успешной разработке NAND-памяти на базе многоуровневой структуры ячеек, каждая ячейка которой способна запоминать

ема рынка — снижение потребительского спроса на электронику. По прогнозу iSuppli, выручка с продажи NAND-памяти сократится как по итогам этого года, так и в будущем году. В 2008 г. объем продаж

-памяти и поделилась планами по запуску в марте-апреле 2008 г. серийного производства первой в мире NAND флэш-памяти с тремя битами на ячейку. Новая 16-гигабитная память x3 NAND производ

Корпорация SanDisk совместно с японской компанией Toshiba сообщила о запуске производства NAND-памяти на базе технологии многоуровневых ячеек (Multi-Level Cell, MLC) по 43-нм техпроце

Компания Micron Technology первая среди других приступила к поставкам 8-гигабитных (1 ГБ) чипов NAND с высокой пропускной способностью. Новые чипы изготовлены с использованием одноуровневой

Как сообщает Associated Press, корпорация Samsung представила первый в мире модуль флэш-памяти NAND (объемом 64 гигабит), выполненный по 30-нм технологии. В настоящее время в серийном производстве аналогичных модулей используется 50-нм технология. Ожидается, что серийное производство мод

Первый завод SanDisk по выпуску и тестированию чипов NAND, расположенный в Шанхае, начал свою работу, сообщает DigiTimes. Завод SanDisk Semiconductor Shanghai (SDSS) включает все этапы сборки и тестирования – от получения подложек из Японии до вы

н на предприятии Toshiba Yokkaichi Operations, в префектуре Мие (Mie), Япония. Корпорация Toshiba начала строительство фабрики Fab 4 в августе 2006 года в ответ на быстрорастущий спрос на флэш-память NAND, которая используется во многих электронных устройствах, в том числе в цифровых медиа плеерах, мобильных телефонах, ПК и картах памяти. Начало промышленного производства на фабрике Fab 4 о

, что южнокорейская компания Samsung Electronics сможет выполнить только 85% заказов на флэш-память NAND-типа, осуществление которых было запланировано на вторую половину августа, сообщает Digi

Во II квартале 2007 г. корейская компания Samsung Electronics укрепила свою позицию на рынке флэш-памяти NAND, продав чипов на сумму около $1,4 млрд., на 18,9% больше по сравнению с $1,2 млрд., полученными в I квартале. Компания находится на первом месте по величине рыночной доли среди других прои

Как сообщает Samsung, компания начала отгрузку новых 8 Гбайтных NAND-чипов. В числе первых заказчиков значатся ведущие производители мобильных устройств, что отнюдь не удивительно. Кто знает, может мы дождемся 16 и более Гбайтных флеш-плееров уже

Гбит При производстве чипов используется технология многоуровневого расположения запоминающих ячеек MLC (multi-level cell), которая позволяет существенно увеличить емкость чипа при сохранении е

Компания SanDisk анонсировала планы по выпуску 56-нанометровых многоуровневых чипов флэш-памяти MLC NAND совместно с Toshiba на заводе Fab 3 в Японии. К весне 2007 г. SanDisk намерена поставлят

имеют в своем составе флэш-память - диски SSD (solid state disk). Диски, выполненные по технологии NAND, обладают некоторыми преимуществами по сравнению с традиционными жесткими дисками. Во-пе

тво компании решило направить свои ресурсы на относительно новый для себя рынок - рынок флэш-памяти NAND, сообщает издание Dailytech. В настоящее время мировое производство NAND-чипов пр

isk объявили о начале строительства в Японии завода Fab 4 по выпуску 300-миллиметровых подложек для NAND-памяти. Инвестиции в новое производство с 2006 по 2008 годы составят свыше $2,5 млрд. Ры

Компании Micron Technology и Intel анонсировали первую в мире флэш-память NAND, выполненную по 50-нанометровой технологии. Устройство объемом 4 Гбит было изготовлено н