s Co. объявила о начале серийного производства 256-гигабитной, трехмерной (3D) флэш-памяти Vertical NAND (V-NAND), которая включает 48 слоев массивов 3-разрядных многоуровневых ячеек (ML

Американский производитель памяти Micron Technology объявил о прорыве в области конструирования и производства флэш-памяти типа 3D NAND, который позволит оснащать ноутбуки накопителями емкостью свыше 10 ТБ. Новая технология, разработанная при участии инженеров из Intel, подразумевает использование большого количества слоев

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) объявила о выпуске новой серии гибридных твердотельных накопителей (SSHD), оснащенных 19-нанометровой флэш-памятью Toshiba NAND второго поколения (NAND). Новый накопитель SSHD MQ02ABD100H имеет емкость 1 ТБ при высоте устройства 9,5 мм, а модель MQ02ABF050H — 500 ГБ при высоте 7 мм. Новейшие накопители SSHD

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства твердотельных дисков 3,2 ТБ NVMe PCIe на базе технологии флэш-памяти 3D V-NAND (Vertical NAND), которые предназначены для корпоративных серверных систем премиум-класса. В новой модели твердотельного диска NVMe PCIe SM1715 используется проприетарная технология

Electronics сообщила о начале серийного производства первой в отрасли трехмерной (3D) флэш-памяти V-NAND, которая включает 32 слоя ячеек по вертикали (это второе поколение флэш-памяти V-NAND

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства высокопроизводительных твердотельных дисков 3-bit NAND, предназначенных для серверов и центров обработки данных. Новые твердотельные диски позволят ЦОДам более качественно управлять рабочими нагрузками при обработке трафика социальных сетей, п

Корпорация Toshiba объявила о выпуске новых встраиваемых модулей флэш-памяти на основе логики NAND, в которых интегральные схемы (ИС) NAND интегрированы с использованием 19-наномет

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства новых чипов флэш-памяти NAND, емкостью 16 ГБ. В новых микросхемах впервые в промышленных масштабах реализована технол

. Будучи более эффективной по стоимости альтернативой SDD-дискам на базе SLC, накопители на основе технологии MLC (многоуровневая ячейка памяти) от Hitachi GST используют 25-нанометровую сверхпрочную NAND флэш-память промышленного исполнения на основе MCL и обеспечивают высокую производительность для технологии MLC, говорится в сообщении Hitachi GST. Новое семейство Ultrastar SSD400M предла

Intel и Micron Technology объявили о переходе на 20-нм технологический процесс при производстве NAND-памяти. Новый процесс позволяет выпускать чипы с многоуровневой структурой ячеек (MLC) е

Сбой на заводе Toshiba, на котором производятся чипы NAND-памяти для мобильных устройств, произошедший 9 декабря, может привести к удорожанию N

Мировые продажи флэш-памяти типа NAND в 1-м квартале 2010 г. выросли по сравнению с 4-м кварталом 2009 г. на 0,6% до $4,36 млрд. Фактически это означает существенное улучшение ситуации на рынке, так как обычно в начале года по

местное предприятие между Intel и Micron, объявило о начале массового производства флэш-памяти типа NAND на базе 25-нм техпроцесса. В частности, компания приступила к поставкам чипов емкостью 8

Samsung Electronics приступила к поставкам 20-нм чипов NAND-памяти для использования в картах формата SD и непосредственно в потребительской электронике в качестве встроенного хранилища. Чипы выполнены по технологии многоуровневой структуры ячеек,

Компании Intel, Micron и IM Flash Technologies (IMFT) объявили о создании модуля NAND-памяти с помощью технологического процесса 25 нм - самого передового из существующих в н

я Intel и компания Micron Technology объявили о запуске первой в мире 25-нм технологии производства NAND-памяти. На базе новой технологии были созданы микросхемы памяти емкостью 8 ГБ. Площадь о

Компании Intel и Micron Technology объявили об успешной разработке NAND-памяти на базе многоуровневой структуры ячеек, каждая ячейка которой способна запоминать

ема рынка — снижение потребительского спроса на электронику. По прогнозу iSuppli, выручка с продажи NAND-памяти сократится как по итогам этого года, так и в будущем году. В 2008 г. объем продаж

Компании Intel и Micron Technology сообщили о разработке первого в индустрии NAND-чипа с топографическим уровнем менее 40 нм. Созданная компаниями 34-нм микросхема памяти

Корпорация SanDisk сообщила о достижении нового рубежа в производстве флэш-памяти и поделилась планами по запуску в марте-апреле 2008 г. серийного производства первой в мире NAND флэш-памяти с тремя битами на ячейку. Новая 16-гигабитная память x3 NAND производится по стандартному 56-нм техпроцессу, при этом на выходе с одной пластины получается на 20% больше

Корпорация SanDisk совместно с японской компанией Toshiba сообщила о запуске производства NAND-памяти на базе технологии многоуровневых ячеек (Multi-Level Cell, MLC) по 43-нм техпроце

Компания Micron Technology первая среди других приступила к поставкам 8-гигабитных (1 ГБ) чипов NAND с высокой пропускной способностью. Новые чипы изготовлены с использованием одноуровневой

Как сообщает Associated Press, корпорация Samsung представила первый в мире модуль флэш-памяти NAND (объемом 64 гигабит), выполненный по 30-нм технологии. В настоящее время в серийном производстве аналогичных модулей используется 50-нм технология. Ожидается, что серийное производство мод

жидается в 2009 г. 64-гигабитные чипы в упаковке В прошлом году компания анонсировала 32-гигабитные NAND-чипы, изготовленные по 50-нм техпроцессу. На сегодняшний день большая часть чипов Samsun

Первый завод SanDisk по выпуску и тестированию чипов NAND, расположенный в Шанхае, начал свою работу, сообщает DigiTimes. Завод SanDisk Semiconductor Shanghai (SDSS) включает все этапы сборки и тестирования – от получения подложек из Японии до вы

н на предприятии Toshiba Yokkaichi Operations, в префектуре Мие (Mie), Япония. Корпорация Toshiba начала строительство фабрики Fab 4 в августе 2006 года в ответ на быстрорастущий спрос на флэш-память NAND, которая используется во многих электронных устройствах, в том числе в цифровых медиа плеерах, мобильных телефонах, ПК и картах памяти. Начало промышленного производства на фабрике Fab 4 о

, что южнокорейская компания Samsung Electronics сможет выполнить только 85% заказов на флэш-память NAND-типа, осуществление которых было запланировано на вторую половину августа, сообщает Digi

Во II квартале 2007 г. корейская компания Samsung Electronics укрепила свою позицию на рынке флэш-памяти NAND, продав чипов на сумму около $1,4 млрд., на 18,9% больше по сравнению с $1,2 млрд., полученными в I квартале. Компания находится на первом месте по величине рыночной доли среди других прои

тате временной остановки шести линий по производству чипов, на пяти из которых изготавливались чипы NAND-памяти, составят приблизительно $43,4 млн. По словам аналитиков iSuppli, компания могла

, несомненно, удобно в путешествиях. Стильно выглядит «кожаная» серия Prestigio Leather Flash Drive NAND Flash USB 2.0. Можно выбрать кожу разного цвета. В комплект входит карабин, который прев

Как сообщает Samsung, компания начала отгрузку новых 8 Гбайтных NAND-чипов. В числе первых заказчиков значатся ведущие производители мобильных устройств, что отнюдь не удивительно. Кто знает, может мы дождемся 16 и более Гбайтных флеш-плееров уже

Компания Toshiba объявила о выпуске новых модулей флэш-памяти NAND-типа с самой высокой плотностью записи емкостью 16 Гбит (2 ГБ) и 8 Гбит (1 ГБ), изготовленных с применением 56-нм техпроцесса, технология которого была разработана в сотрудничестве с компа

Компания SanDisk анонсировала планы по выпуску 56-нанометровых многоуровневых чипов флэш-памяти MLC NAND совместно с Toshiba на заводе Fab 3 в Японии. К весне 2007 г. SanDisk намерена поставлят

имеют в своем составе флэш-память - диски SSD (solid state disk). Диски, выполненные по технологии NAND, обладают некоторыми преимуществами по сравнению с традиционными жесткими дисками. Во-пе

тво компании решило направить свои ресурсы на относительно новый для себя рынок - рынок флэш-памяти NAND, сообщает издание Dailytech. В настоящее время мировое производство NAND-чипов пр

isk объявили о начале строительства в Японии завода Fab 4 по выпуску 300-миллиметровых подложек для NAND-памяти. Инвестиции в новое производство с 2006 по 2008 годы составят свыше $2,5 млрд. Ры

Компании Micron Technology и Intel анонсировали первую в мире флэш-память NAND, выполненную по 50-нанометровой технологии. Устройство объемом 4 Гбит было изготовлено н