19.07.2006 Samsung начинает серийное производство 8-ГБ NAND-чипов

оваться в ряде портативных устройств, среди которых мобильные телефоны, камеры, плееры и т.п. Новые NAND-чипы появятся в продаже в 3 квартале 2006 года.

14.07.2006 SanDisk и Toshiba вложат $3 млрд в новый завод по производству NAND-чипов

дущим, позволит получать в два раза больше чипов. К выходу на полную мощность завод будет обрабатывать до 100000 подложек в месяц. Новое предприятие SanDisk-Toshiba будет выпускать модули флэш-памяти NAND, которая в последние годы обретает популярность и находит применение в таких устройствах, как сотовые телефоны и цифровые музыкальные плееры. По мнению некоторых аналитиков, новое производ

10.07.2006 NAND-память расширяет сферы влияния

Компания-аналитик рынка NAND-чипов IM Flash Technologies предполагает, что инвестиции в наноэлектронику и R&D в этой

10.07.2006 NAND-память расширяет сферы влияния

Компания-аналитик рынка NAND-чипов IM Flash Technologies предполагает, что инвестиции в наноэлектронику и R&D в этой

23.05.2006 Выпущен первый NAND-ноутбук

чески в 2 раза легче. Напомним, что первые 32-гигабайтные SSD-диски были представлены компанией Samsung в марте этого года. Уже в следующем году планируется увеличить их емкость до 100 ГБ. Технология NAND, активно продвигаемая компаниями Samsung и SanDisk, постепенно вытесняет с рынка чипы, построенные на конкурирующей технологии NOR. По прогнозам аналитиков, к 2007 году NAND займёт

23.05.2006 Samsung анонсировал устройства с памятью NAND

Компания Samsung сегодня в Сеуле (Южная Корея) представила первые мобильные ПК, оснащенные жестким диском на основе технологии NAND. Ультрамобильное устройство Q1 и 12,1-дюймовый ноутбук Q30 получили по 32 ГБ флэш-памяти нового поколения для хранения данных. Жесткий диск SSD позволяет производить чтение на скорости 53 

24.03.2006 Hynix не дадут продавать NAND в Японии

Японское подразделение южнокорейской компании Hynix Semiconductor получило указ прекратить продажи флэш-памяти NAND в Японии, согласно судебному иску, инициированному компанией Toshiba. По заявлению Hynix, предписание коснется лишь части ее продукции на базе флэш-памяти NAND, и она намерена подат

22.03.2006 Samsung представила NAND-память емкостью 32 ГБ

Корейская компания Samsung объявила о разработке нового модуля флэш-памяти стандарта NAND. Его емкость составила 32 ГБ. Представление произошло на форуме Samsung Mobile Solution в Тайпее. Напомним, в сентябре прошлого года компания выпустила версию NAND с памятью 16 ГБ.

06.03.2006 Toshiba и SanDisk построят новый завод для выпуска модулей памяти

а по выпуску модулей памяти в Японии. Toshiba, второй крупный производитель в мире флэш-памяти типа NAND после Samsung Electronics, заявила, что она продолжит инвестировать в производство NA

16.01.2006 Mpio выпустила первый флэш-МР3-плеер на базе NAND

ние срока работы плеера без подзарядки стало возможным благодаря применению нового типа флэш-памяти NAND, выполненной по передовой технологии MLC (Multi-Level-Cell). В отличие от стандартной SL

11.01.2006 Samsung ожидает пятикратное увеличение прибыли

ые в цифровых камерах, мобильных телефонах и МР3-плеерах. По словам аналитиков, перспективы на 2006 г. для ведущего производителя чипов памяти остаются неизменными, поскольку высок спрос на флэш-чипы NAND и на тонкие модели мобильных телефонов. Также южнокорейская фирма, являющаяся наиболее ценной технологической компанией за пределами США, должна получить прибыль за счет снижения издержек,

26.12.2005 Samsung планирует продавать флэш-чипы NAND японской Sony

Южнокорейская корпорация Samsung Electronics, второй по величине в мире производитель полупроводников, планирует подписать контракт на поставку своих флэш-чипов памяти стандарта NAND японской компании Sony, сообщает РБК. «Samsung Electronics рассматривает возможность подписания контрактов на поставку флэш-чипов памяти стандарта NAND крупным компаниям, включая So

21.11.2005 Рынок NAND-памяти стремительно растет

й интерес к устройствам вроде цифровых камер и музыкальных плееров стимулировал продажи флэш-памяти NAND-типа, а заодно и успешность бизнеса таких ведуших производителей, как, например, Samsung

13.09.2005 Объем памяти mp3-плееров увеличится вдвое

. Ранее в этом году компания оглашала планы по выпуску флеш-носителей, которые могут заменить винчестеры, – так называемые твердотельные диски (SSD). Samsung является крупнейшим в мире производителем NAND и DRAM чипов флеш-памяти. Чипы NAND могут хранить данные при отключенном питании и применяются в таких электронных устройствах, как mp3-плееры и цифровые камеры. Чипы DRAM применяют

12.09.2005 Samsung анонсировал мощный чип для флэш-памяти нового поколения

памяти таких устройств, как цифровые видеокамеры и музыкальные плееры. Samsung, владеющая 60% рынка NAND памяти, заявила, что новый чип еще больше укрепит позиции компании в данной сфере. Анали

05.09.2005 Intel и Micron займутся флэш-памятью NAND для телефонов

т, что партнерство станет весьма плодотворным, тем более что оно ориентировано на производство флэш-памяти для мобильных телефонов. В рамках сотрудничества компании займутся производством флэш-памяти NAND, которая активно используется в современных мобильных телефонах и подходит для загрузки музыки и изображений. В тоже время эти карты памяти дешевле аналогов от Intel, которые называются NO

16.06.2005 Samsung разработал первый твердотельный диск на основе NAND

Компания Samsung Electronics завершила разработку первого твердотельного жесткого диска (Solid State Disk — SSD), созданного на основе флэш-памяти типа NAND, для применения в персональных и мобильных ПК. Твердотельные диски на базе NAND флэш-памяти — это носители информации, характеризующиеся низким энергопотреблением, малым весом

16.06.2005 Samsung разработал первый твердотельный диск на основе NAND

Компания Samsung Electronics завершила разработку первого твердотельного жесткого диска (Solid State Disk — SSD), созданного на основе флэш-памяти типа NAND, для применения в персональных и мобильных ПК. Твердотельные диски на базе NAND флэш-памяти — это носители информации, характеризующиеся низким энергопотреблением, малым весом

31.05.2005 Samsung запустил 4 ГБ NAND в массовое производство

Samsung Electronics объявил о начале массового производства флэш-памяти NAND объемом в 4 Гб по 70-нанометровой технологии, а также об одновременном запуске линии по

03.03.2005 Intel продемонстрировала некоторые NOR-технологии флэш-памяти 2005 года
11.11.2004 Samsung удвоила емкость NAND памяти до 1 ГБ

Компания Samsung объявила о разработке новой флэш памяти NAND емкостью 1 ГБ. Это почти в два раза больше предыдущей версии объемом 512 МБ. Этот модуль может быть использован с самыми разными устройствами, в том числе с фотокамерами и КПК. Скорость сч

20.09.2004 Samsung увеличила NAND -память до 8 Гбит

Компания Samsung объявила о выпуске первой в мире 8-гигабитной NAND-памяти, построенной на основе 60-нанометровой технологии. По словам представителей компа

19.08.2004 Hynix увеличит производство NAND флэш-памяти в 2 раза

Компания Hynix планирует увеличить объем производства флэш-чипов NAND до 16 млн. единиц в месяц к концу этого года. Это почти более чем в два раза больше ныне существующего объема производства, которое на данный момент составляет около 6 млн. штук ежемесячно

21.07.2004 ST Microelectronics выпустил новые модули NAND флэш-памяти

Компания ST Microelectronics объявила о выпуске 256 и 128-Мбитной NAND флэш-памяти - NAND256 и NAND128. Оба модуля работают и от 3 и 1,8 В. Они соединены в 512

08.07.2004 Micron планирует захват рынка NAND флэш

Компания Micron Technology объявила о планах по производству решений NAND флэш для карт памяти, USB-устройств и других приложений хранения данных. "Micron планирует выйти на рынок как один из трех ведущих поставщиков", - заявил вице-президент компании по сетям и

30.04.2004 Samsung разогнал карты NAND-флэш

Samsung Electronics усовершенствовал 2-гигабитные карты флэш-памяти типа NAND: теперь скорость передачи данных составляет 24,1 МБ/с вместо 16,4. В новой памяти время последовательных операций чтения-записи данных сократилось с 50 до 30 нс. Произведенные с использова

06.04.2004 Toshiba разработала 4-гигабитный флэш-модуль типа NAND

пустить модуль флэш-памяти с самым большим объемом хранимой информации, чтобы справиться с растущей конкуренцией на рынке легко перепрограммируемых чипов памяти. Образцы 4-гигабитной флэш-памяти типа NAND появятся в продаже в апреле. Стоить они будут 12 тыс. йен (около $114) за штуку. Массовое производство начнется в третьем квартале 2004 года. Toshiba доминирует на рынке микросхем флэш-пам

06.04.2004 Toshiba разработала 4-гигабитный флэш-модуль типа NAND

пустить модуль флэш-памяти с самым большим объемом хранимой информации, чтобы справиться с растущей конкуренцией на рынке легко перепрограммируемых чипов памяти. Образцы 4-гигабитной флэш-памяти типа NAND появятся в продаже в апреле. Стоить они будут 12 тыс. йен (около $114) за штуку. Массовое производство начнется в третьем квартале 2004 года. Toshiba доминирует на рынке микросхем флэш-пам

12.01.2004 Infineon начал производство NAND-памяти емкостью 512 Мбит

Компания Infineon Technologies совместно с израильской фирмой Saifun Semiconductors начала производство флэш-чипов емкостью 512 Мбит, NAND-совместимого типа. Чип построен на базе энергонезависимой памяти NROM, основе технологии TwinFlash, которая позволяет записывать в одну ячейку сразу два бита информации. Благодаря этому ра

19.12.2003 Samsung планирует повышать цены на NAND-память

Цены при спот-расчете на флэш-память типа NAND начали падать к концу года из-за того, что производители стараются довести производственные показатели до нормы. Так, спот-цены на 1-Гбитные чипы недавно упали с $36 до $33-32, так как ОЕМ

30.09.2003 Samsung создал NAND-память емкостью 4 ГБ

Компания Samsung Electronics сообщила о создании флэш-памяти типа NAND емкостью 4 ГБ по 70-нанометровой технологии. Новый чип представляет собой четвертое поко

30.09.2003 Samsung создал NAND-память емкостью 4 ГБ

Компания Samsung Electronics сообщила о создании флэш-памяти типа NAND емкостью 4 ГБ по 70-нанометровой технологии. Новый чип представляет собой четвертое поко

04.08.2003 Samsung поставит NAND-память для HP

amsung Electronics заключила долгосрочный договор с HP на поставку 256-мегабайтной флэш-памяти типа NAND для КПК, сообщили представители корейской компании в конце прошлой недели. Подробности с

25.04.2003 STMicroelectronics и Hynix кооперируются в производстве флэш-памяти NAND

Франко-итальянский производитель чипов STMicroelectronics и корейский Hynix подписали договор о партнерстве в области разработки флэш-памяти типа NAND. ST надеется получить прибыль от использования собственной технологии корейской компании в производстве DRAM и снизить тем самым производственные расходы. С другой стороны, Hynix получит о

26.03.2003 Intel выходит на рынок флэш-памяти NAND?

Тайваньское представительство Intel опровергло слухи о том, что компания планирует выйти на рынок флэш-памяти NAND и, в частности, представить на рынке новые продукты этого типа уже во втором полугодии. “Мы всегда были поставщиком флэш-памяти NOR и не ориентируемся на рынок NAND”, - прокомментир

21.02.2003 Hynix выходит на рынок флэш-памяти NAND

Hynix Semiconductor в этом году планирует начать производство флэш-памяти NAND, составив, таким образом, конкуренцию производителям Samsung Electronics и Toshiba. По данным дистрибьюторов интегральных схем, Hynix в настоящий момент осуществляет тестовое производство

13.11.2001 Sandisk и Toshiba усовершенствовали флэш-память

. Совместные разработки компаний, направленные на использование технологии многоуровневых ячеек для NAND-памяти, начались в январе 2000 года. Главная трудность, с которой столкнулись разработчи

15.01.2001 Спрос на NOR флэш-память для мобильных телефонов в 2001 году вырастет на 85%
06.03.2000 Toshiba разработала первый в мире 64 Мб модуль RWW NOR флэш-памяти
27.04.1999 AMD предложила 64-мегабитный модуль NOR флэш-памяти