16.01.2006 Mpio выпустила первый флэш-МР3-плеер на базе NAND

, оснащена специальными креплениями. Модель может работать от одной батареи AAA до 20 часов. Увеличение срока работы плеера без подзарядки стало возможным благодаря применению нового типа флэш-памяти NAND, выполненной по передовой технологии MLC (Multi-Level-Cell). В отличие от стандартной SLC-технологии (Single-Level-Cell), она позволяет записывать в одну ячейку памяти больше одного бита д

11.01.2006 Samsung ожидает пятикратное увеличение прибыли

ые в цифровых камерах, мобильных телефонах и МР3-плеерах. По словам аналитиков, перспективы на 2006 г. для ведущего производителя чипов памяти остаются неизменными, поскольку высок спрос на флэш-чипы NAND и на тонкие модели мобильных телефонов. Также южнокорейская фирма, являющаяся наиболее ценной технологической компанией за пределами США, должна получить прибыль за счет снижения издержек,

26.12.2005 Samsung планирует продавать флэш-чипы NAND японской Sony

Южнокорейская корпорация Samsung Electronics, второй по величине в мире производитель полупроводников, планирует подписать контракт на поставку своих флэш-чипов памяти стандарта NAND японской компании Sony, сообщает РБК. «Samsung Electronics рассматривает возможность подписания контрактов на поставку флэш-чипов памяти стандарта NAND крупным компаниям, включая So

21.11.2005 Рынок NAND-памяти стремительно растет

й интерес к устройствам вроде цифровых камер и музыкальных плееров стимулировал продажи флэш-памяти NAND-типа, а заодно и успешность бизнеса таких ведуших производителей, как, например, Samsung

13.09.2005 Объем памяти mp3-плееров увеличится вдвое

. Ранее в этом году компания оглашала планы по выпуску флеш-носителей, которые могут заменить винчестеры, – так называемые твердотельные диски (SSD). Samsung является крупнейшим в мире производителем NAND и DRAM чипов флеш-памяти. Чипы NAND могут хранить данные при отключенном питании и применяются в таких электронных устройствах, как mp3-плееры и цифровые камеры. Чипы DRAM применяют

12.09.2005 Samsung анонсировал мощный чип для флэш-памяти нового поколения

памяти таких устройств, как цифровые видеокамеры и музыкальные плееры. Samsung, владеющая 60% рынка NAND памяти, заявила, что новый чип еще больше укрепит позиции компании в данной сфере. Анали

05.09.2005 Intel и Micron займутся флэш-памятью NAND для телефонов

т, что партнерство станет весьма плодотворным, тем более что оно ориентировано на производство флэш-памяти для мобильных телефонов. В рамках сотрудничества компании займутся производством флэш-памяти NAND, которая активно используется в современных мобильных телефонах и подходит для загрузки музыки и изображений. В тоже время эти карты памяти дешевле аналогов от Intel, которые называются NO

16.06.2005 Samsung разработал первый твердотельный диск на основе NAND

Компания Samsung Electronics завершила разработку первого твердотельного жесткого диска (Solid State Disk — SSD), созданного на основе флэш-памяти типа NAND, для применения в персональных и мобильных ПК. Твердотельные диски на базе NAND флэш-памяти — это носители информации, характеризующиеся низким энергопотреблением, малым весом

16.06.2005 Samsung разработал первый твердотельный диск на основе NAND

Компания Samsung Electronics завершила разработку первого твердотельного жесткого диска (Solid State Disk — SSD), созданного на основе флэш-памяти типа NAND, для применения в персональных и мобильных ПК. Твердотельные диски на базе NAND флэш-памяти — это носители информации, характеризующиеся низким энергопотреблением, малым весом

31.05.2005 Samsung запустил 4 ГБ NAND в массовое производство

Samsung Electronics объявил о начале массового производства флэш-памяти NAND объемом в 4 Гб по 70-нанометровой технологии, а также об одновременном запуске линии по

03.03.2005 Intel продемонстрировала некоторые NOR-технологии флэш-памяти 2005 года
11.11.2004 Samsung удвоила емкость NAND памяти до 1 ГБ

Компания Samsung объявила о разработке новой флэш памяти NAND емкостью 1 ГБ. Это почти в два раза больше предыдущей версии объемом 512 МБ. Этот модуль может быть использован с самыми разными устройствами, в том числе с фотокамерами и КПК. Скорость сч

20.09.2004 Samsung увеличила NAND -память до 8 Гбит

Компания Samsung объявила о выпуске первой в мире 8-гигабитной NAND-памяти, построенной на основе 60-нанометровой технологии. По словам представителей компа

19.08.2004 Hynix увеличит производство NAND флэш-памяти в 2 раза

Компания Hynix планирует увеличить объем производства флэш-чипов NAND до 16 млн. единиц в месяц к концу этого года. Это почти более чем в два раза больше ныне существующего объема производства, которое на данный момент составляет около 6 млн. штук ежемесячно

21.07.2004 ST Microelectronics выпустил новые модули NAND флэш-памяти

Компания ST Microelectronics объявила о выпуске 256 и 128-Мбитной NAND флэш-памяти - NAND256 и NAND128. Оба модуля работают и от 3 и 1,8 В. Они соединены в 512

08.07.2004 Micron планирует захват рынка NAND флэш

Компания Micron Technology объявила о планах по производству решений NAND флэш для карт памяти, USB-устройств и других приложений хранения данных. "Micron планирует выйти на рынок как один из трех ведущих поставщиков", - заявил вице-президент компании по сетям и

30.04.2004 Samsung разогнал карты NAND-флэш

Samsung Electronics усовершенствовал 2-гигабитные карты флэш-памяти типа NAND: теперь скорость передачи данных составляет 24,1 МБ/с вместо 16,4. В новой памяти время последовательных операций чтения-записи данных сократилось с 50 до 30 нс. Произведенные с использова

06.04.2004 Toshiba разработала 4-гигабитный флэш-модуль типа NAND

пустить модуль флэш-памяти с самым большим объемом хранимой информации, чтобы справиться с растущей конкуренцией на рынке легко перепрограммируемых чипов памяти. Образцы 4-гигабитной флэш-памяти типа NAND появятся в продаже в апреле. Стоить они будут 12 тыс. йен (около $114) за штуку. Массовое производство начнется в третьем квартале 2004 года. Toshiba доминирует на рынке микросхем флэш-пам

06.04.2004 Toshiba разработала 4-гигабитный флэш-модуль типа NAND

пустить модуль флэш-памяти с самым большим объемом хранимой информации, чтобы справиться с растущей конкуренцией на рынке легко перепрограммируемых чипов памяти. Образцы 4-гигабитной флэш-памяти типа NAND появятся в продаже в апреле. Стоить они будут 12 тыс. йен (около $114) за штуку. Массовое производство начнется в третьем квартале 2004 года. Toshiba доминирует на рынке микросхем флэш-пам

20.02.2004 Intel представил флэш-память типа NOR, изготовленную по 90-нм техпроцессу
12.01.2004 Infineon начал производство NAND-памяти емкостью 512 Мбит

Компания Infineon Technologies совместно с израильской фирмой Saifun Semiconductors начала производство флэш-чипов емкостью 512 Мбит, NAND-совместимого типа. Чип построен на базе энергонезависимой памяти NROM, основе технологии TwinFlash, которая позволяет записывать в одну ячейку сразу два бита информации. Благодаря этому ра

19.12.2003 Samsung планирует повышать цены на NAND-память

Цены при спот-расчете на флэш-память типа NAND начали падать к концу года из-за того, что производители стараются довести производственные показатели до нормы. Так, спот-цены на 1-Гбитные чипы недавно упали с $36 до $33-32, так как ОЕМ

30.09.2003 Samsung создал NAND-память емкостью 4 ГБ

Компания Samsung Electronics сообщила о создании флэш-памяти типа NAND емкостью 4 ГБ по 70-нанометровой технологии. Новый чип представляет собой четвертое поко

30.09.2003 Samsung создал NAND-память емкостью 4 ГБ

Компания Samsung Electronics сообщила о создании флэш-памяти типа NAND емкостью 4 ГБ по 70-нанометровой технологии. Новый чип представляет собой четвертое поко

04.08.2003 Samsung поставит NAND-память для HP

amsung Electronics заключила долгосрочный договор с HP на поставку 256-мегабайтной флэш-памяти типа NAND для КПК, сообщили представители корейской компании в конце прошлой недели. Подробности с

25.04.2003 STMicroelectronics и Hynix кооперируются в производстве флэш-памяти NAND

Франко-итальянский производитель чипов STMicroelectronics и корейский Hynix подписали договор о партнерстве в области разработки флэш-памяти типа NAND. ST надеется получить прибыль от использования собственной технологии корейской компании в производстве DRAM и снизить тем самым производственные расходы. С другой стороны, Hynix получит о

26.03.2003 Intel выходит на рынок флэш-памяти NAND?

Тайваньское представительство Intel опровергло слухи о том, что компания планирует выйти на рынок флэш-памяти NAND и, в частности, представить на рынке новые продукты этого типа уже во втором полугодии. “Мы всегда были поставщиком флэш-памяти NOR и не ориентируемся на рынок NAND”, - прокомментир

21.02.2003 Hynix выходит на рынок флэш-памяти NAND

Hynix Semiconductor в этом году планирует начать производство флэш-памяти NAND, составив, таким образом, конкуренцию производителям Samsung Electronics и Toshiba. По данным дистрибьюторов интегральных схем, Hynix в настоящий момент осуществляет тестовое производство

13.11.2001 Sandisk и Toshiba усовершенствовали флэш-память

. Совместные разработки компаний, направленные на использование технологии многоуровневых ячеек для NAND-памяти, начались в январе 2000 года. Главная трудность, с которой столкнулись разработчи

15.01.2001 Спрос на NOR флэш-память для мобильных телефонов в 2001 году вырастет на 85%
06.03.2000 Toshiba разработала первый в мире 64 Мб модуль RWW NOR флэш-памяти
27.04.1999 AMD предложила 64-мегабитный модуль NOR флэш-памяти
28.12.1998 Улучшена технология NAND флэш - памяти

Компания AMD объявила о создании улучшенной технологии NAND флэш - памяти. Как отмечают представители фирмы, по результатам тестирования память не допускает ни одной ошибки на 100 тыс. циклов записи. Первый продукт этого семейства, Am30LV0064, выйд