Компания-аналитик рынка NAND-чипов IM Flash Technologies предполагает, что инвестиции в наноэлектронику и R&D в этой

чески в 2 раза легче. Напомним, что первые 32-гигабайтные SSD-диски были представлены компанией Samsung в марте этого года. Уже в следующем году планируется увеличить их емкость до 100 ГБ. Технология NAND, активно продвигаемая компаниями Samsung и SanDisk, постепенно вытесняет с рынка чипы, построенные на конкурирующей технологии NOR. По прогнозам аналитиков, к 2007 году NAND займёт

Компания Samsung сегодня в Сеуле (Южная Корея) представила первые мобильные ПК, оснащенные жестким диском на основе технологии NAND. Ультрамобильное устройство Q1 и 12,1-дюймовый ноутбук Q30 получили по 32 ГБ флэш-памяти нового поколения для хранения данных. Жесткий диск SSD позволяет производить чтение на скорости 53 

Японское подразделение южнокорейской компании Hynix Semiconductor получило указ прекратить продажи флэш-памяти NAND в Японии, согласно судебному иску, инициированному компанией Toshiba. По заявлению Hynix, предписание коснется лишь части ее продукции на базе флэш-памяти NAND, и она намерена подат

Корейская компания Samsung объявила о разработке нового модуля флэш-памяти стандарта NAND. Его емкость составила 32 ГБ. Представление произошло на форуме Samsung Mobile Solution в Тайпее. Напомним, в сентябре прошлого года компания выпустила версию NAND с памятью 16 ГБ.

а по выпуску модулей памяти в Японии. Toshiba, второй крупный производитель в мире флэш-памяти типа NAND после Samsung Electronics, заявила, что она продолжит инвестировать в производство NA

, оснащена специальными креплениями. Модель может работать от одной батареи AAA до 20 часов. Увеличение срока работы плеера без подзарядки стало возможным благодаря применению нового типа флэш-памяти NAND, выполненной по передовой технологии MLC (Multi-Level-Cell). В отличие от стандартной SLC-технологии (Single-Level-Cell), она позволяет записывать в одну ячейку памяти больше одного бита д

ые в цифровых камерах, мобильных телефонах и МР3-плеерах. По словам аналитиков, перспективы на 2006 г. для ведущего производителя чипов памяти остаются неизменными, поскольку высок спрос на флэш-чипы NAND и на тонкие модели мобильных телефонов. Также южнокорейская фирма, являющаяся наиболее ценной технологической компанией за пределами США, должна получить прибыль за счет снижения издержек,

Южнокорейская корпорация Samsung Electronics, второй по величине в мире производитель полупроводников, планирует подписать контракт на поставку своих флэш-чипов памяти стандарта NAND японской компании Sony, сообщает РБК. «Samsung Electronics рассматривает возможность подписания контрактов на поставку флэш-чипов памяти стандарта NAND крупным компаниям, включая So

й интерес к устройствам вроде цифровых камер и музыкальных плееров стимулировал продажи флэш-памяти NAND-типа, а заодно и успешность бизнеса таких ведуших производителей, как, например, Samsung

. Ранее в этом году компания оглашала планы по выпуску флеш-носителей, которые могут заменить винчестеры, – так называемые твердотельные диски (SSD). Samsung является крупнейшим в мире производителем NAND и DRAM чипов флеш-памяти. Чипы NAND могут хранить данные при отключенном питании и применяются в таких электронных устройствах, как mp3-плееры и цифровые камеры. Чипы DRAM применяют

памяти таких устройств, как цифровые видеокамеры и музыкальные плееры. Samsung, владеющая 60% рынка NAND памяти, заявила, что новый чип еще больше укрепит позиции компании в данной сфере. Анали

т, что партнерство станет весьма плодотворным, тем более что оно ориентировано на производство флэш-памяти для мобильных телефонов. В рамках сотрудничества компании займутся производством флэш-памяти NAND, которая активно используется в современных мобильных телефонах и подходит для загрузки музыки и изображений. В тоже время эти карты памяти дешевле аналогов от Intel, которые называются NO

р в этом сегменте – компания Samsung – продолжает их сдерживать. Samsung, владеющая 60% долей рынка NAND-памяти, не увеличивает цены для стимулирования покупки производителями электроники перез

Компания Samsung Electronics завершила разработку первого твердотельного жесткого диска (Solid State Disk — SSD), созданного на основе флэш-памяти типа NAND, для применения в персональных и мобильных ПК. Твердотельные диски на базе NAND флэш-памяти — это носители информации, характеризующиеся низким энергопотреблением, малым весом

Компания Samsung Electronics завершила разработку первого твердотельного жесткого диска (Solid State Disk — SSD), созданного на основе флэш-памяти типа NAND, для применения в персональных и мобильных ПК. Твердотельные диски на базе NAND флэш-памяти — это носители информации, характеризующиеся низким энергопотреблением, малым весом

Samsung Electronics объявил о начале массового производства флэш-памяти NAND объемом в 4 Гб по 70-нанометровой технологии, а также об одновременном запуске линии по

Компания Samsung объявила о разработке новой флэш памяти NAND емкостью 1 ГБ. Это почти в два раза больше предыдущей версии объемом 512 МБ. Этот модуль может быть использован с самыми разными устройствами, в том числе с фотокамерами и КПК. Скорость сч

Компания Samsung объявила о выпуске первой в мире 8-гигабитной NAND-памяти, построенной на основе 60-нанометровой технологии. По словам представителей компа

Компания Hynix планирует увеличить объем производства флэш-чипов NAND до 16 млн. единиц в месяц к концу этого года. Это почти более чем в два раза больше ныне существующего объема производства, которое на данный момент составляет около 6 млн. штук ежемесячно

Компания ST Microelectronics объявила о выпуске 256 и 128-Мбитной NAND флэш-памяти - NAND256 и NAND128. Оба модуля работают и от 3 и 1,8 В. Они соединены в 512

Компания Micron Technology объявила о планах по производству решений NAND флэш для карт памяти, USB-устройств и других приложений хранения данных. "Micron планирует выйти на рынок как один из трех ведущих поставщиков", - заявил вице-президент компании по сетям и

Samsung Electronics усовершенствовал 2-гигабитные карты флэш-памяти типа NAND: теперь скорость передачи данных составляет 24,1 МБ/с вместо 16,4. В новой памяти время последовательных операций чтения-записи данных сократилось с 50 до 30 нс. Произведенные с использова

пустить модуль флэш-памяти с самым большим объемом хранимой информации, чтобы справиться с растущей конкуренцией на рынке легко перепрограммируемых чипов памяти. Образцы 4-гигабитной флэш-памяти типа NAND появятся в продаже в апреле. Стоить они будут 12 тыс. йен (около $114) за штуку. Массовое производство начнется в третьем квартале 2004 года. Toshiba доминирует на рынке микросхем флэш-пам

пустить модуль флэш-памяти с самым большим объемом хранимой информации, чтобы справиться с растущей конкуренцией на рынке легко перепрограммируемых чипов памяти. Образцы 4-гигабитной флэш-памяти типа NAND появятся в продаже в апреле. Стоить они будут 12 тыс. йен (около $114) за штуку. Массовое производство начнется в третьем квартале 2004 года. Toshiba доминирует на рынке микросхем флэш-пам

Компания Infineon Technologies совместно с израильской фирмой Saifun Semiconductors начала производство флэш-чипов емкостью 512 Мбит, NAND-совместимого типа. Чип построен на базе энергонезависимой памяти NROM, основе технологии TwinFlash, которая позволяет записывать в одну ячейку сразу два бита информации. Благодаря этому ра

Цены при спот-расчете на флэш-память типа NAND начали падать к концу года из-за того, что производители стараются довести производственные показатели до нормы. Так, спот-цены на 1-Гбитные чипы недавно упали с $36 до $33-32, так как ОЕМ

Компания Samsung Electronics сообщила о создании флэш-памяти типа NAND емкостью 4 ГБ по 70-нанометровой технологии. Новый чип представляет собой четвертое поко

Компания Samsung Electronics сообщила о создании флэш-памяти типа NAND емкостью 4 ГБ по 70-нанометровой технологии. Новый чип представляет собой четвертое поко

amsung Electronics заключила долгосрочный договор с HP на поставку 256-мегабайтной флэш-памяти типа NAND для КПК, сообщили представители корейской компании в конце прошлой недели. Подробности с

Франко-итальянский производитель чипов STMicroelectronics и корейский Hynix подписали договор о партнерстве в области разработки флэш-памяти типа NAND. ST надеется получить прибыль от использования собственной технологии корейской компании в производстве DRAM и снизить тем самым производственные расходы. С другой стороны, Hynix получит о

ена на 50%. Представленные микросхемы объединяют в себе 4 разных типа памяти - SDRAM, SRAM, UtRAM и NAND/NOR. Они будут выпускаться в двух модификациях:RRNU6412864 - состоящая из двух 64 Мбит N

Тайваньское представительство Intel опровергло слухи о том, что компания планирует выйти на рынок флэш-памяти NAND и, в частности, представить на рынке новые продукты этого типа уже во втором полугодии. “Мы всегда были поставщиком флэш-памяти NOR и не ориентируемся на рынок NAND”, - прокомментир

Hynix Semiconductor в этом году планирует начать производство флэш-памяти NAND, составив, таким образом, конкуренцию производителям Samsung Electronics и Toshiba. По данным дистрибьюторов интегральных схем, Hynix в настоящий момент осуществляет тестовое производство

Toshiba начала поставки образцов микросхем флэш-памяти NAND-типа объемом 1 Гбит, которые компания разработала совместно с американской компанией San

Компания Samsung Electronics сообщила о выпуске 256 Мб карт флэш-памяти NAND-типа, которые ориентированы для использования в цифровых камерах и КПК. Новая память про

. Совместные разработки компаний, направленные на использование технологии многоуровневых ячеек для NAND-памяти, начались в январе 2000 года. Главная трудность, с которой столкнулись разработчи