reading и Intel Extended Memory 64, а также кэш-памятью 2 уровня объемом 1 МБ. Оперативная память - DDR2-533 SDRAM объемом до 4 ГБ. Среди других характеристик этой станции - интерфейс PCI-Expre

По информации из источников, близких к производителям оперативной памяти, модули DDR2 с рабочей частотой 400 и 533 МГц, необходимые для новых чипсетов Intel Alderwood, появят

ров с ЖК-дисплеем, а также поддержка таких современных форматов HDTV, как, например, 1080i. Новые чипсеты 915G Express, 915P Express и 925X Express впервые поддерживают высокоскоростные модули памяти DDR2. В новых наборах микросхем также используется архитектура шины PCI Express, пропускная способность которой в 3,7 раза превышает возможности используемых в последнее десятилетие шин на базе

м, построена на базе последней системной архитектуры Intel Centrino с частотой шины 400 МГц, 256 МБ DDR-памяти, расширяемой до 512 МБ и работающей на частоте 333 МГц. Это первая модель ноутбука

Чипсеты от Intel с поддержкой PCI Express, Wi-Fi, DDR-2 и LGA 775 не появятся на широком рынке, по крайней мере, до начала 2005 г., сообщило из

Компания Hynix Semiconductor объявила о разработке первых в мире 1- и 2-гигабайтных модулей оперативной памяти DDR2 DRAM для ноутбуков. Память работает с частотой 533 МГц. Толщина модуля - 3,8 мм, а произведен он по 0,11-микронной технологии. Массовое производство планируется начать во 2 квартале, когда

фических карт GV-N57256V и GV-N57256DE. Карты серии GV-N57256 построены на базе широко известного высокопроизводительного графического процессора Nvidia GeForce FX 5700 и оснащены графической памятью DDR емкостью 256 МБ. Основа графических карт серии GV-N57256 - новый графический процессор Nvidia GeForce FX 5700, выпускаемый на базе 0,13-микронной технологии, которая позволяет повысить уров

Компания Elpida начала поставки своего первого гигабайтного модуля оперативной памяти DDR2 DIMM для ноутбуков и объявила о поставках образцов 256-мегабитных чипов DDR2. 200

иков в компании Samsung Electronics, в этом месяце она начала сокращать производство 256-мегабитных DDR-чипов на 10 млн. штук, или около 20% от производимых в месяц. Это явилось результатом пер

и ничем не отличается от остальных, кроме одного – он Registered ECC. Полное название продукта «OCZ DDR PC-3500 ECC Registered Dual Channel DDR», частота составляет 433 МГц при потребляе

ила на рынок модули памяти. Линейка модулей представлена как классическими моделями DDR266, DDR333, DDR400, так и «скоростными» DDR466 и DDR500 емкостью 128, 256 и 512 МБ. На всю линейку модуле

Компания Kingmax Semiconductor, производитель решений модулей памяти, официально объявила о выпуске новых модулей, в которых используется технология упаковки TinyBGA. Модуль DDR500 выделяется своей стабильной передачей данных, теплоотводом и производительностью. Модуль DDR500 работает на тактовой частоте 250 МГц, скорость передачи данных с помощью модуля

ный мост VIA KT600 поддерживает частоту системной шины FSB 100/133/166/200 МГц и работает с памятью DDR 200/266/333/400 SDRAM. Южный мост VT8235 поддерживает ULTRA ATA 133, 6-канальную звуковую

Hynix Semiconductor заявила, что разработала новый тип памяти DDR2 DRAM по 0,11-микронной технологии. В официальном заявлении говорится, что новый чип обрабатывает данные вдвое быстрее, чем ныне существующие типы памяти, потребляет меньше электричества и

ше, чем при традиционном соотношении сторон. Сочетание процессора Intel Pentium M, памяти стандарта DDR и самого мощного на сегодняшний день мобильного видеоадаптера nVidia FX5200 Go позволяют

а чипсете SiS 651, ATA 133, интегрированный SVGA-адаптер, звук AC97, 128 МБ оперативной памяти типа DDR 266, жесткий диск объемом 20 ГБ, сетевой адаптер, 52-скоростной CD-ROM. Компоненты размещ

системы простым и интуитивным. Например, чтобы воспользоваться преимуществами двухканальной памяти DDR, пользователю достаточно вставить модули в слоты DIMM одинакового цвета. А желтые коннект

и с внешним выводами, обладает пониженной теплопроводностью. Модули SO-DIMM используют 16 элементов DDR, расположенные в два ряда. Компания выпускает также DDR400 в модулях по 256 МБ и 512 МБ.

экрана). Превосходное изображение экрана обеспечивает мобильный акселератор ATI Radeon 9000 с 64 МБ DDR-видеопамяти. Объем оперативной памяти составляет до 1 ГГБ DDR SDRAM. Модель имеет

Компания Gigabyte Technology объявила о выпуске нового графического акселератора - GV-R98P256D. Новейший графический процессор ATi Radeon 9800 Pro и 256 МБ памяти DDRII графического акселератора GV-R98P256D обеспечивают высокое качество и динамические характеристики изображения. Конвейер с 8-пиксельной архитектурой и 256 МБ памяти DDRII удваивают

4: материнские платы EP – PT800/I и EP-P4X400A/D. Выполненная на чипсетах VIA PT800 и 8237, материнская плата EP-PT800/I поддерживает процессор Intel Pentium 4 с шиной 800 МГц и двухканальной памятью DDR400. Плата EP-PT800I оборудована восемью портами USB 2.0 для всех видов соединений, пятью слотами расширения PCI, шестиканальным аудиокодеком и адаптером 10/100 Ethernet LAN. Два интегрирова

Японская компания Eplida, занимающаяся производством памяти, заявила о разработке первой мобильной DDR-памяти объемом 256 Мб, предназначенной для КПК, цифровых камер и прочих подобных устройст

вам представителей компании, растущий спрос на дешевые ПК стимулировал развитие популярности памяти DDR. Предполагается, что решение Intel не повлечет за собой серьезных изменений на рынке, пос

водительности. Архитектура системных плат с 800-мегагерцовой системной шиной, двухканальной памятью DDR 400, интерфейсом AGP 8x и технологией Performance Acceleration Technology (PAT) обусловли

Micron Technology представил модуль двухканальной DDR400. Память производится по 0,11-микронному технологическому процессу и соответствует спец

ообщил сегодня, 24 марта, о начале массового выпуска первого в промышленности 1-гигабайтного модуля DDR-II DIMM-памяти, построенного на основе 512-мегабитных компонентов DDR-II. По мнени

A Technologies объявила о выходе чипсета VIA Apollo KT400A, самого быстрого чипсета с одноканальной DDR-памятью под новый процессор AMD Athlon XP 3000+. Оптимизированный под требования игроков,

Технология памяти DDR II должна немного задержаться с выходом. Хотя Nvidia использует память DDR II в св

Технология памяти DDR II должна немного задержаться с выходом. Хотя Nvidia использует память DDR II в св

onics представил 29 января разработку, являющуюся, по словам представителей компании, самой быстрой DDR3 SRAM в мире. Согласно сообщению разработчиков, 72 -мегабитный чип использует 90-нанометр

onics представил 29 января разработку, являющуюся, по словам представителей компании, самой быстрой DDR3 SRAM в мире. Согласно сообщению разработчиков, 72 -мегабитный чип использует 90-нанометр

ель памяти DRAM Micron Technology собирается продемонстрировать системную плату для настольных систем VIA VT8116 от VIA Technologies, использующую 1-гигабайтные DIMM-модули, построенные на гигабитных DDR SDRAM-компонентах от Micron. Демонстрация состоится сегодня на конференции Platform Conference, проходящей в Сан-Хосе. Демонстрационная платформа будет использовать компоненты и модули от M

. Для платформы AMD Athlon компания SIS собирается выпустить SIS 745FX - чипсет с поддержкой памяти DDR 400 и процессоров Athlon с частотой системной шины 333 МГц, и, разумеется, AGP 8X. Одной

Выход 7 января дискретного чипсета SiS 746FX, поддерживающего процессоры AMD семейства К7 и память DDR400, подтолкнул компанию VIA добавить в свои планы по выпуску чипсет KT400A, поддерживающий память DDR400. Хотя VIA решила выпустить первые опытные образцы KT400A позже в этом месяце,

23 декабря компания Micron Technology объявила о выпуске модуля синхронной DDR SDRAM памяти емкостью 1 Гб. Этот модуль, созданный с использованием 0,11-микронного процесса, является первым в промышленности - так утверждают представители компании. Толщина микросхемы со

Около половины производственных мощностей планирует отдать компания Nanya под выпуск памяти DDR400. Полномасштабное производство планируется начать весной 2003 года. На такой шаг руководство компании решилось после того, как Intel объявил о начале продаж и продвижения на рынке новых ч

а память с 8 по 14 декабря - на 50-й неделе этого года (цены сравниваются с показателями предыдущей недели): Спот-цены : SDRAM 128 Мб133 МГц$1,95-$2,3Цена выросла 256 Мб133 МГц$2,95-$3,25Цена выросла DDR 128 Мб266 МГц$3,2-$3,5-//- 256 Мб266 МГц$6,2-$6,5-//- 256 Мб333 МГц$6,9-$7,2Цена выросла Контрактные цены: SDRAM 128 Мб133 МГц$1,5-$2, 256 Мб133 МГц$2,2-$3,3 DDR 128 Мб266 МГц$3,2-$3

OCZ Technology Group объявила о том, что скоро будут доступны чипы памяти EL (enhanced latency) DDR SDRAM на 466 МГц и 500 МГц (с улучшенной функциональной задержкой). OCZ Technology планир

ны на DRAM начнут снижаться. Ведущий мировой производитель DRAM Samsung и тайваньский производитель DDR Nanya Technology снизили контрактные цены на свою OEM-продукцию. Samsung снизил цены на м