Компания Qimonda начинает производство и первые пробные поставки памяти DDR3 SODIMM для ноутбуков. Компания ATI стала первым партнером Qimonda, которая проведет испы

разная, она отличается скоростью (DDR266, DDR333 и т.п.), типоразмером (EDO, SO DIMM и др.), типом (DDR, DDR2 и др.). Поскольку память является одним из тех редких элементов ноутбука, для котор

подобного уровня. Но подход Toshiba нас немного огорчил, зачем было устанавливать память стандарта DDR2-533, если платформа поддерживает более быстрый стандарт DDR2-667. ASUS такой ошибки не с

мяти Vitesta Extreme Edition. DDR2 SDRAM стала пользоваться спросом относительно недавно, тогда как DDR продолжала и продолжает расходиться, как горячие пирожки, среди геймеров. Серия Extreme E

ые примеры покупок. Но сначала общие требования к материнской плате: 4 слота для планок памяти типа DDR и DDRII ; наличие PCI-E 16 x слота для видеокарты; наличие как минимум 4 свободных разъем

м сегменте память DDR2 до сих пор не так популярна из-за фактического паритета в скорости с обычной DDR. Впрочем, в ноутбуках отсутствие её поддержки нередко считают минусом, поскольку считаетс

Компания Samsung Electronics объявила о разработке первого в мире 512-мегабитного чипа DDR2 SDRAM с применением 70-нанометрового технологического процесса — впервые применяемого для изготовления памяти DRAM. Новая 70-нанометровая технология подобна 80-нм и 90-нм процессам, в наст

, чем на обычном DDR2. Скорость обмена — 21,2 ГБ/с. Кроме AMB, FB-DIMM использует обычные чипы DDR 2 SDRAM, и модуль гигабитных чипов в толщину достигает 6,7 мм, что значительно меньше мак

систем и решений в области сетевого хранения данных, представляет хост-адаптеры InfiniBand с пропускной способностью 20 Гбит/с от MellanoxTechnologies. Storus предлагает 3 адаптерных карты InfiniBand DDR с  пропускной способностью 20 Гбит/с: однопортовую MHGS18-XT DDR и  двухпортовые MHEA28-XT DDR и MHGA28–1T DDR для шины PCI-Express x8. Новые адаптеры потребляют о

деоигр нового поколения. По словам Мюиза Дина (Mueez Deen), главы подразделения Samsung по производству графических полупроводников, в компании начали выпуск 512-мегабитных графических модулей памяти DDR3 для игровых приставок и  персональных компьютеров. Таким образом, Samsung обогнал своих ближайших конкурентов — корейскую Hynix Semiconductor и германскую Infineon Technologies. Массо

max, компания Kingmax Semiconductor представила свои последние разработки из области модулей памяти DDR2, сообщает DigiTimes. Посетители мероприятия получили возможность познакомиться с обновле

позиции, чему в немалой степени способствовала поддержка Intel. Но вскоре, его основной конкурент – DDR – резко пошел в гору, а RDRAM стал стремительно отставать. Высокая цена производства RDRA

Компания Elpida Memory разработала первый 256-мегабитный модуль памяти DDR2 SDRAM со скоростью 256 Мбит/сек. Для изготовления памяти использовалась 0,1-микронная технология Elpida. Модуль работает при напряжении 1,85 Вт. Память будет выпущена в двух вариантах. Мод

ов DDR2. Модель построена на основе 80-нанометровой технологии. Компания впервые представила модули DDR DRAM в 1998 году, а DDR2 DRAM – в 2001. Согласно прогнозам IDC, доля рынка DDR3 составит

Express и AGP одновременно. Кроме того, все чипсеты семейства PT позволяют использовать как память DDR, так и DDR2 на одной материнской плате благодаря технологии VIA StepUp. Благодаря поддерж

DR333МГц SO-DIMM для ноутбуков. Использование технологии упаковки Kingmax TinyBGA в модулях Kingmax DDR 333 SO-DIMM значительно увеличивает производительность и эффективность передачи данных дл

в, компания Kingmax начинает производство двух новых сверхскоростных модулей памяти для ноутбуков - DDR2 400МГц SO-DIMM и DDR2 533МГц SO-DIMM. Эти модули отличаются повышенной стабильнос

гнут около 15 млн. единиц, при этом доля высокопроизводительных модулей DDR2 в общем объеме модулей DDR составит к концу 2004 года около 32%.

По информации из источников, близких к производителям оперативной памяти, модули DDR2 с рабочей частотой 400 и 533 МГц, необходимые для новых чипсетов Intel Alderwood, появят

ров с ЖК-дисплеем, а также поддержка таких современных форматов HDTV, как, например, 1080i. Новые чипсеты 915G Express, 915P Express и 925X Express впервые поддерживают высокоскоростные модули памяти DDR2. В новых наборах микросхем также используется архитектура шины PCI Express, пропускная способность которой в 3,7 раза превышает возможности используемых в последнее десятилетие шин на базе

Компания Hynix Semiconductor объявила о разработке первых в мире 1- и 2-гигабайтных модулей оперативной памяти DDR2 DRAM для ноутбуков. Память работает с частотой 533 МГц. Толщина модуля - 3,8 мм, а произведен он по 0,11-микронной технологии. Массовое производство планируется начать во 2 квартале, когда

фических карт GV-N57256V и GV-N57256DE. Карты серии GV-N57256 построены на базе широко известного высокопроизводительного графического процессора Nvidia GeForce FX 5700 и оснащены графической памятью DDR емкостью 256 МБ. Основа графических карт серии GV-N57256 - новый графический процессор Nvidia GeForce FX 5700, выпускаемый на базе 0,13-микронной технологии, которая позволяет повысить уров

Компания Elpida начала поставки своего первого гигабайтного модуля оперативной памяти DDR2 DIMM для ноутбуков и объявила о поставках образцов 256-мегабитных чипов DDR2. 200

иков в компании Samsung Electronics, в этом месяце она начала сокращать производство 256-мегабитных DDR-чипов на 10 млн. штук, или около 20% от производимых в месяц. Это явилось результатом пер

и ничем не отличается от остальных, кроме одного – он Registered ECC. Полное название продукта «OCZ DDR PC-3500 ECC Registered Dual Channel DDR», частота составляет 433 МГц при потребляе

ила на рынок модули памяти. Линейка модулей представлена как классическими моделями DDR266, DDR333, DDR400, так и «скоростными» DDR466 и DDR500 емкостью 128, 256 и 512 МБ. На всю линейку модуле

Компания Kingmax Semiconductor, производитель решений модулей памяти, официально объявила о выпуске новых модулей, в которых используется технология упаковки TinyBGA. Модуль DDR500 выделяется своей стабильной передачей данных, теплоотводом и производительностью. Модуль DDR500 работает на тактовой частоте 250 МГц, скорость передачи данных с помощью модуля

ный мост VIA KT600 поддерживает частоту системной шины FSB 100/133/166/200 МГц и работает с памятью DDR 200/266/333/400 SDRAM. Южный мост VT8235 поддерживает ULTRA ATA 133, 6-канальную звуковую

Hynix Semiconductor заявила, что разработала новый тип памяти DDR2 DRAM по 0,11-микронной технологии. В официальном заявлении говорится, что новый чип обрабатывает данные вдвое быстрее, чем ныне существующие типы памяти, потребляет меньше электричества и

а чипсете SiS 651, ATA 133, интегрированный SVGA-адаптер, звук AC97, 128 МБ оперативной памяти типа DDR 266, жесткий диск объемом 20 ГБ, сетевой адаптер, 52-скоростной CD-ROM. Компоненты размещ

и с внешним выводами, обладает пониженной теплопроводностью. Модули SO-DIMM используют 16 элементов DDR, расположенные в два ряда. Компания выпускает также DDR400 в модулях по 256 МБ и 512 МБ.

Компания Gigabyte Technology объявила о выпуске нового графического акселератора - GV-R98P256D. Новейший графический процессор ATi Radeon 9800 Pro и 256 МБ памяти DDRII графического акселератора GV-R98P256D обеспечивают высокое качество и динамические характеристики изображения. Конвейер с 8-пиксельной архитектурой и 256 МБ памяти DDRII удваивают

4: материнские платы EP – PT800/I и EP-P4X400A/D. Выполненная на чипсетах VIA PT800 и 8237, материнская плата EP-PT800/I поддерживает процессор Intel Pentium 4 с шиной 800 МГц и двухканальной памятью DDR400. Плата EP-PT800I оборудована восемью портами USB 2.0 для всех видов соединений, пятью слотами расширения PCI, шестиканальным аудиокодеком и адаптером 10/100 Ethernet LAN. Два интегрирова

Японская компания Eplida, занимающаяся производством памяти, заявила о разработке первой мобильной DDR-памяти объемом 256 Мб, предназначенной для КПК, цифровых камер и прочих подобных устройст

вам представителей компании, растущий спрос на дешевые ПК стимулировал развитие популярности памяти DDR. Предполагается, что решение Intel не повлечет за собой серьезных изменений на рынке, пос

Micron Technology представил модуль двухканальной DDR400. Память производится по 0,11-микронному технологическому процессу и соответствует спец

ообщил сегодня, 24 марта, о начале массового выпуска первого в промышленности 1-гигабайтного модуля DDR-II DIMM-памяти, построенного на основе 512-мегабитных компонентов DDR-II. По мнени

Технология памяти DDR II должна немного задержаться с выходом. Хотя Nvidia использует память DDR II в св

Технология памяти DDR II должна немного задержаться с выходом. Хотя Nvidia использует память DDR II в св