Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства первой в отрасли памяти 8Gb DDR4 и 32-гигабайтного (ГБ) модуля, которые производятся с использованием нового технологичес

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства модулей DDR4 RDIMM 64 ГБ, в которых используется технология пакетов 3D TSV. Новые высокопроизводитель

Компания Samsung Electronics объявила о старте массового производства новейших 4-Гбит чипов памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу. Выпуск DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, по

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска микросхем памяти DDR4 емкостью 4 Гбит. Чипы производятся на базе 20-нм технологической нормы. DDR (Double-Data

Компания Kingmax, производителей устройств хранения данных, представила модули памяти ECC DDR3 SO-DIMM, предназначенные для быстро набирающего обороты рынка микросерверов. Модули DIMM

Компания Samsung представила первый в мире промышленный образец банка оперативной памяти стандарта DDR4. Модуль имеет объём 16 гигабайт (представлен вариант и на 8 гигабайт), микросхемы создан

Компания Samsung выводит на рынок оперативной памяти свой новый образец – банк DDR3 объёмом 32 гигабайта. 32 GB Green DDR3 предназначена для использования в серверах

отают под управлением Intel Atom N455 и Intel Atom N475, соответственно, а также могут поддерживать DDR3 ОЗУ и видеоускоритель Broadcom Crystal HD. Поддержка Intel Atom N475 подразумевает работ

3L 1066/1333 МГц ECC R-DIMM и A-Data DDR3L 1066/1333 МГц ECC DIMM удовлетворяют стандарту JEDEC для DDR3 низкого напряжения питания. Новые планки памяти DDR3L от A-Data на базе Intel Westmere-E

Компания Kingston Technology объявила о начале выпуска первых модулей памяти HyperX DDR3 SO-DIMM с поддержкой профилей XMP, предназначенных для установки в мобильные ПК на базе чипсета Cantiga корпорации Intel. Киты, включающие модули памяти CL5 Kingston с частотой 1066 МГц, п

Компания Kingston Technology объявила о начале поставки серверных модулей памяти DDR3 с частотой 1333 и 1066 МГц, которые были предварительно протестированы корпорацией Intel для установки в серверах на базе процессоров Intel Xeon. Модули памяти Registered ECC DIMM и Unbuff

g К концу 2009 г. Samsung планирует применять 40-нм технологию в массовом производстве 2-ГБ модулей DDR3.

конце концов, не зря Intel DP45SG принадлежит к линейке Extreme, где скорость и возможности должны быть на высоте. Привлекательная цена Intel DP45SG не мешает ее фунциональности — плата поддерживает DDR3 с частотой до 1333 МГц (четыре слота, максимальный объем – 16 Гбайт) Главная новинка – поддержка DDR3, с частотой до 1333 МГц, налицо четыре слота, так что максимальный объем – до 1

Более 20 решений Samsung Electronics в области разработки чипов памяти стандарта DDR3 (Double Data Rate — версия 3) одобрены компанией Intel для использования в новом по

4, базирующийся на платформе AMD AM2, поддерживает двухканальный режим работы с оперативной памятью DDR II, что дает возможность системе максимально эффективно и быстро выполнять самые различны

Графическая станция поддерживает до 4-х жестких дисков SATA, до 8 ГБ памяти nonRegistered ECC SDRAM DDR400, 3 слота расширения PCI-Express и 4 слота PCI для подключения дополнительных устройств

Компания A-Data Technology объявила о выпуске новых модулей оперативной памяти DDR2 533 Micro-DIMM 1 ГБ специально для класса hi-end-ноутбуков с наборами логики Intel 945GM

Компания A-DATA представила модули оперативной памяти DDR2 800+ и DDR2 1000+ с новой технологией Enhanced Performance Profiles (EPP), котора

Компания Qimonda начинает производство и первые пробные поставки памяти DDR3 SODIMM для ноутбуков. Компания ATI стала первым партнером Qimonda, которая проведет испы

разная, она отличается скоростью (DDR266, DDR333 и т.п.), типоразмером (EDO, SO DIMM и др.), типом (DDR, DDR2 и др.). Поскольку память является одним из тех редких элементов ноутбука, для котор

подобного уровня. Но подход Toshiba нас немного огорчил, зачем было устанавливать память стандарта DDR2-533, если платформа поддерживает более быстрый стандарт DDR2-667. ASUS такой ошибки не с

логики: графическое ядро с широкой функциональностью, звук высокой чёткости (HD), а также поддержка DDR2 и SATA II. Улучшенное качество изображения достигается за счет применения испытанного вс

мяти Vitesta Extreme Edition. DDR2 SDRAM стала пользоваться спросом относительно недавно, тогда как DDR продолжала и продолжает расходиться, как горячие пирожки, среди геймеров. Серия Extreme E

ые примеры покупок. Но сначала общие требования к материнской плате: 4 слота для планок памяти типа DDR и DDRII ; наличие PCI-E 16 x слота для видеокарты; наличие как минимум 4 свободных разъем

м сегменте память DDR2 до сих пор не так популярна из-за фактического паритета в скорости с обычной DDR. Впрочем, в ноутбуках отсутствие её поддержки нередко считают минусом, поскольку считаетс

Компания Samsung Electronics объявила о разработке первого в мире 512-мегабитного чипа DDR2 SDRAM с применением 70-нанометрового технологического процесса — впервые применяемого для изготовления памяти DRAM. Новая 70-нанометровая технология подобна 80-нм и 90-нм процессам, в наст

нения данных. E-9415R оснащается 800MHz шиной данных и 2MB L2 кэша, слотом расширения PCI Express и DDR2 памятью. E-9415R поддерживает различные операционные системы: весь набор операционных си

, чем на обычном DDR2. Скорость обмена — 21,2 ГБ/с. Кроме AMB, FB-DIMM использует обычные чипы DDR 2 SDRAM, и модуль гигабитных чипов в толщину достигает 6,7 мм, что значительно меньше мак

систем и решений в области сетевого хранения данных, представляет хост-адаптеры InfiniBand с пропускной способностью 20 Гбит/с от MellanoxTechnologies. Storus предлагает 3 адаптерных карты InfiniBand DDR с  пропускной способностью 20 Гбит/с: однопортовую MHGS18-XT DDR и  двухпортовые MHEA28-XT DDR и MHGA28–1T DDR для шины PCI-Express x8. Новые адаптеры потребляют о

деоигр нового поколения. По словам Мюиза Дина (Mueez Deen), главы подразделения Samsung по производству графических полупроводников, в компании начали выпуск 512-мегабитных графических модулей памяти DDR3 для игровых приставок и  персональных компьютеров. Таким образом, Samsung обогнал своих ближайших конкурентов — корейскую Hynix Semiconductor и германскую Infineon Technologies. Массо

max, компания Kingmax Semiconductor представила свои последние разработки из области модулей памяти DDR2, сообщает DigiTimes. Посетители мероприятия получили возможность познакомиться с обновле

позиции, чему в немалой степени способствовала поддержка Intel. Но вскоре, его основной конкурент – DDR – резко пошел в гору, а RDRAM стал стремительно отставать. Высокая цена производства RDRA

очих станций – полностью буфферизированных модулей (FB DIMM), сделанных с использованием технологии DDR2. Для повышения скорости обработки данных в FB DIM-модулях значительно увеличина плотност

Компания Elpida Memory разработала первый 256-мегабитный модуль памяти DDR2 SDRAM со скоростью 256 Мбит/сек. Для изготовления памяти использовалась 0,1-микронная технология Elpida. Модуль работает при напряжении 1,85 Вт. Память будет выпущена в двух вариантах. Мод

ов DDR2. Модель построена на основе 80-нанометровой технологии. Компания впервые представила модули DDR DRAM в 1998 году, а DDR2 DRAM – в 2001. Согласно прогнозам IDC, доля рынка DDR3 составит

Express и AGP одновременно. Кроме того, все чипсеты семейства PT позволяют использовать как память DDR, так и DDR2 на одной материнской плате благодаря технологии VIA StepUp. Благодаря поддерж

DR333МГц SO-DIMM для ноутбуков. Использование технологии упаковки Kingmax TinyBGA в модулях Kingmax DDR 333 SO-DIMM значительно увеличивает производительность и эффективность передачи данных дл

в, компания Kingmax начинает производство двух новых сверхскоростных модулей памяти для ноутбуков - DDR2 400МГц SO-DIMM и DDR2 533МГц SO-DIMM. Эти модули отличаются повышенной стабильнос

Компания Kingmax официально анонсировала выпуск новых высокоскоростных DDR2 модулей памяти серии Mars, названные в честь бога войны. Высокоскоростная DDR2 па

гнут около 15 млн. единиц, при этом доля высокопроизводительных модулей DDR2 в общем объеме модулей DDR составит к концу 2004 года около 32%.