ий образец транзистора, который, согласно заявлениям IBM, в 10 раз меньше любого из производимых сегодня, будет демонстрироваться сегодня на электронной конференции в Сан-Франциско. IBM сообщает, что транзистор имеет длину 6 нанометров, при этом он полностью функционален. IBM также сообщил, что дальнейшая работа будет вестись для достижения более высокой производительности и лучшего управле

щих на сегодняшний день. Более подробно о технологии компания планирует рассказать на технологическом форуме International Electron Devices Meeting, который пройдет с 9 по 11 декабря в Сан-Франциско. Транзистор создан на основе кремния и германия. По словам разработчиков, послойное объединение этих двух элементов существенно повышает производительность транзистора. Кроме этого, при включени

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) на симпозиуме по СБИС-технологиям в Гонолулу, Гавайи, продемонстрировала полевой транзистор (FET), размеры которого в 10 раз меньше самых передовых современных выпускаемых вариантов. Новое достижение позволит разработчикам создавать полупроводниковые устройства из транзисто

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) на симпозиуме по СБИС-технологиям в Гонолулу, Гавайи, продемонстрировала полевой транзистор (FET), размеры которого в 10 раз меньше самых передовых современных выпускаемых вариантов. Новое достижение позволит разработчикам создавать полупроводниковые устройства из транзисто

Компания IBM объявила о создании сверхбыстрых транзисторов на основе атомов углерода, сделав еще один шаг в области нанотехнологий. Представители IBM сообщили, что ученым удалось собрать транзистор из углеродных нанотрубок, длинных цилиндрических молекул углерода, которые называют наиболее многообещающим заменителем для кремневых соединений. Ожидается, что схемы из кремния, кот

Компания IBM объявила о создании сверхбыстрых транзисторов на основе атомов углерода, сделав еще один шаг в области нанотехнологий. Представители IBM сообщили, что ученым удалось собрать транзистор из углеродных нанотрубок, длинных цилиндрических молекул углерода, которые называют наиболее многообещающим заменителем для кремневых соединений. Ожидается, что схемы из кремния, кот

Fujitsu Laboratories Ltd., Communications Research Laboratory и университет г. Осака совместно разработали транзистор с максимальной рабочей частотой 562 ГГц. Такой транзистор позволяет реализовать систему оптической связи со скоростями до 160 Гбит/с. Это первый в мире транзистор с так

новейших достижений в этой области: изобретения транзистора нового типа, получившего наименование «транзистор на обедненной подложке» (“depleted substrate transistor”), и создания нового матер

новейших достижений в этой области: изобретения транзистора нового типа, получившего наименование «транзистор на обедненной подложке» (“depleted substrate transistor”), и создания нового матер

Новый транзистор с шириной затвора 15 нанометров и напряжением питания 0,8 В изготавливается по CMOS-технологии, имеет время срабатывания 0,38 пикосекунды, то есть может совершать 2,63 трлн. переключ

Новый транзистор с шириной затвора 15 нанометров и напряжением питания 0,8 В изготавливается по CMOS-технологии, имеет время срабатывания 0,38 пикосекунды, то есть может совершать 2,63 трлн. переключ

рация Intel обнародовала информацию о создании самого маленького в мире транзистора, который будет использоваться при производстве микропроцессоров и других чипов уже в конце этого десятилетия. Новый транзистор, размеры которого не превышают 15 нм, изготавливается по CMOS-технологии, имеет время срабатывания 0,38 пикосекунды, то есть может совершать 2,63 трлн. переключений в секунду. Теперь

ся основным материалом для производства чипов." Скорость работы транзистора в значительной степени определяется скоростью прохождения тока через него. Это зависит от материала, из которого изготовлен транзистор, а также его размера. Стандартные транзисторы изготавливались из обычного кремния. В 1989 году IBM представила разработку, изменяющую базовый материал, добавив в кремний элементы гер

Компания IBM объявила о том, что ей удалось создать самый быстрый в мире кремниевый транзистор - основной "строительный блок" для создания микросхем. IBM рассчитывает, что это открытие позволит ей довести скорость микропроцессоров до 100 ГГц в течение ближайших двух лет. Тр

ся основным материалом для производства чипов." Скорость работы транзистора в значительной степени определяется скоростью прохождения тока через него. Это зависит от материала, из которого изготовлен транзистор, а также его размера. Стандартные транзисторы изготавливались из обычного кремния. В 1989 году IBM представила разработку, изменяющую базовый материал, добавив в кремний элементы гер

Компания IBM объявила о том, что ей удалось создать самый быстрый в мире кремниевый транзистор - основной "строительный блок" для создания микросхем. IBM рассчитывает, что это открытие позволит ей довести скорость микропроцессоров до 100 ГГц в течение ближайших двух лет. Тр

Компания Motorola, Inc. сообщила о разработке транзистора MRFG35010, использующего технологию GaAs PHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor). Транзистор предназначен для использования в устройствах для широкополосной беспроводной связи на частоте 3,5 ГГц. Основное применение транзистор найдет в усилителях базовых станций для б

и сделать gate в виде вилки, таким образом теперь можно осуществлять контроль за обеими сторонами проводящего канала, позволяя снизить утечки и значительно уменьшить размеры самого транзистора. Новый транзистор FinFET имеет gate шириной в 18 нм - это примерно 100 атомов. Он не виден невооруженному глазу, но на него можно посмотреть в электронный микроскоп. В дальнейшем ученые надеются еще в