Поделиться
Intel вводит новый 65-нм техпроцесс
24 ноября корпорация Intel представила полнофункциональные микросхемы SRAM (статической оперативной памяти) с использованием технологического процесса следующего поколения с проектной нормой 65 нанометров (нм). К 2005 году в Intel планируют первыми в отрасли внедрить новый технологический процесс в массовое производство на 300-миллиметровых подложках. В новом 65-нм (нанометр равен миллиардной доле метра) технологическом процессе Intel используются новые транзисторы, имеющие длину затвора всего 35 нм. По словам специалистов корпорации, это будут самые маленькие и самые быстродействующие КМОП-транзисторы, используемые в массовом производстве. Для сравнения: наиболее совершенные транзисторы, применяемые Intel в производстве сегодня, – при изготовлении процессора Pentium 4 – имеют длину 50 нм.Быстродействующие транзисторы малых размеров – это основа для быстродействующих процессоров. Применение в новом техпроцессе технологии напряженного кремния второго поколения позволяет повысить рабочие токи транзисторов и их быстродействие при увеличении себестоимости всего на 2%. Новая производственная технология также предусматривает использование восьми слоев медных соединений и нового диэлектрического материала, позволяющего повысить скорость распространения сигналов в кристалле и снизить энергопотребление процессора.
На базе нового 65-нм технологического процесса в Intel были выпущены полнофункциональные компоненты SRAM объемом 4 мегабит с чрезвычайно малым размером ячейки памяти – 0,57 мкм2. Уменьшение размера ячейки SRAM позволяет увеличить объем кэш-памяти и тем самым производительность процессоров. Каждая ячейка памяти SRAM содержит шесть транзисторов, 10 миллионов которых может поместиться на одном квадратном миллиметре, что по площади примерно сопоставимо с кончиком стержня шариковой ручки.
Полупроводниковые компоненты на базе 65-нм технологического процесса были изготовлены на опытном заводе D1D корпорации Intel по обработке 300-миллиметровых подложек в Хиллсборо (шт. Орегон), где этот технологический процесс и был разработан. D1D – самый современный завод корпорации, обладающий самой большой среди производств Intel единой «чистой комнатой» площадью более 16 тыс. квадратных метров.
По словам специалистов корпорации, переход на 65-нанометровый технологический процесс позволит Intel удвоить количество транзисторов, размещаемых на одном кристалле, по сравнению с применяемыми сегодня технологиями. «Мы продолжаем 15-летнюю традицию внедрения раз в два года производственного процесса нового поколения. В действительности прошло всего 20 месяцев с момента, когда мы сообщили о построении полнофункциональных компонентов SRAM на базе 90-нм процесса, который сегодня внедряется в производство, – заявил доктор Сунлинь Чжоу (Sunlin Chou), старший вице-президент и генеральный менеджер подразделения Intel Technology and Manufacturing Group. – Новый 65-нм процесс позволит нам выпускать более совершенную продукцию с меньшими затратами, внедряя новые технологии и продлевая действие закона Мура».
Необходимо также отметить, что собственное подразделение корпорации Intel по изготовлению литографических масок сыграло ключевую роль в создании усовершенствованных масок, позволивших применить сегодняшнее литографическое оборудование, работающее на длине волны 193 нм, для 65-нм технологического процесса. Корпорация планирует сохранить в новом технологическом процессе существующее литографическое оборудование с рабочей длиной волны 193 нм и 248 нм, применяемое сегодня в 90-нм процессе, а также установить ряд усовершенствованных установок с рабочей длиной волны 193 нм. Это снизит затраты на внедрение и создаст запас ресурсов для быстрого наращивания производства. Начиная с 2005 года, технологический процесс с проектной нормой 65 нм планируется внедрить в массовое производство на заводе D1D и затем перенести на другие заводы, работающие с 300-миллиметровыми подложками.
Источник: собственная информация CNews.ru с использованием материалов корпорации Intel.
Короткая ссылка
