26.10.2012 |
Роскомнадзор предложил гражданам доносить на «запрещенные сайты»
рмацию, распространение которой в Российской Федерации запрещено». Как и предполагалось, собственно Реестр запрещенных сайтов в открытом доступе отсутствует, однако, посетитель портала может ус |
|
08.06.2012 |
В России может появиться реестр запрещенных сайтов
На рассмотрение Госдуму РФ был внесен новый законопроект, предусматривающий создание единого реестра сайтов с запрещенной в России информацией. Данный законопроект внесли на рассмотрение нижней палаты парламента депутаты от четырех фракций - Елена Мизулина («Справедливая Россия»), Сергей Железняк («Еди |
|
08.06.2012 |
Госдума намерена создать единый реестр сайтов с запрещенной в РФ информацией
Госдума намерена создать единый реестр сайтов с запрещенной в РФ информацией. Соответствующий законопроект внесли на р |
|
29.10.2010 |
Транзисторы можно делать из графена
разработали новый метод обработки графена, позволяющий в перспективе массово производить графеновые транзисторы. Американские ученые с помощью обычной воды теперь могут создавать и настраивать ширину запрещенной зоны в графене. Это один из ключевых этапов конструирования транзисторов, которые являются основным компонентом современной электроники. Создание графенового транзистора, пригодного |
|
06.12.2007 |
Графены: первый полупроводник с регулируемой запрещенной зоной
пективы для графенов. Группа ученых из Великобритании, США, Португалии и Испании, представила новый материал - двойной графеновый слой, который обладает полупроводниковыми свойствами, при этом ширина запрещенной зоны, определяющая свойства полупроводников, может изменяться в широком диапазоне - от нуля до энергии света в середине ИК-диапазона - под действием внешнего электрического поля нап |
|
29.11.2002 |
Новое открытие позволит повысить эффективность солнечных батарей
Ученые из национальной лаборатории Лоуренс-Беркли, Корнуэльского университета и университета Рицумейкан обнаружили, что в нитриде индия один из ключевых параметров полупроводника - ширина запрещенной зоны - составляет не 2,0 эВ (это значение считалось общепринятым ранее), а только лишь 0,7 эВ. Данное открытие имеет очень важное значение для промышленности, поскольку именно ширин |
|
29.11.2002 |
Новое открытие позволит повысить эффективность солнечных батарей
Ученые из национальной лаборатории Лоуренс-Беркли, Корнуэльского университета и университета Рицумейкан обнаружили, что в нитриде индия один из ключевых параметров полупроводника - ширина запрещенной зоны - составляет не 2,0 эВ (это значение считалось общепринятым ранее), а только лишь 0,7 эВ. Данное открытие имеет очень важное значение для промышленности, поскольку именно ширин |