26.10.2012 Роскомнадзор предложил гражданам доносить на «запрещенные сайты»

рмацию, распространение которой в Российской Федерации запрещено». Как и предполагалось, собственно Реестр запрещенных сайтов в открытом доступе отсутствует, однако, посетитель портала может ус

08.06.2012 В России может появиться реестр запрещенных сайтов

На рассмотрение Госдуму РФ был внесен новый законопроект, предусматривающий создание единого реестра сайтов с запрещенной в России информацией. Данный законопроект внесли на рассмотрение нижней палаты парламента депутаты от четырех фракций - Елена Мизулина («Справедливая Россия»), Сергей Железняк («Еди

08.06.2012 Госдума намерена создать единый реестр сайтов с запрещенной в РФ информацией

Госдума намерена создать единый реестр сайтов с запрещенной в РФ информацией. Соответствующий законопроект внесли на р

29.10.2010 Транзисторы можно делать из графена

разработали новый метод обработки графена, позволяющий в перспективе массово производить графеновые транзисторы. Американские ученые с помощью обычной воды теперь могут создавать и настраивать ширину запрещенной зоны в графене. Это один из ключевых этапов конструирования транзисторов, которые являются основным компонентом современной электроники. Создание графенового транзистора, пригодного

06.12.2007 Графены: первый полупроводник с регулируемой запрещенной зоной

пективы для графенов. Группа ученых из Великобритании, США, Португалии и Испании, представила новый материал - двойной графеновый слой, который обладает полупроводниковыми свойствами, при этом ширина запрещенной зоны, определяющая свойства полупроводников, может изменяться в широком диапазоне - от нуля до энергии света в середине ИК-диапазона - под действием внешнего электрического поля нап

29.11.2002 Новое открытие позволит повысить эффективность солнечных батарей

Ученые из национальной лаборатории Лоуренс-Беркли, Корнуэльского университета и университета Рицумейкан обнаружили, что в нитриде индия один из ключевых параметров полупроводника - ширина запрещенной зоны - составляет не 2,0 эВ (это значение считалось общепринятым ранее), а только лишь 0,7 эВ. Данное открытие имеет очень важное значение для промышленности, поскольку именно ширин

29.11.2002 Новое открытие позволит повысить эффективность солнечных батарей

Ученые из национальной лаборатории Лоуренс-Беркли, Корнуэльского университета и университета Рицумейкан обнаружили, что в нитриде индия один из ключевых параметров полупроводника - ширина запрещенной зоны - составляет не 2,0 эВ (это значение считалось общепринятым ранее), а только лишь 0,7 эВ. Данное открытие имеет очень важное значение для промышленности, поскольку именно ширин