Cоздана гибкая и прозрачная флэш-память

Интеграция Электроника
мобильная версия
, Текст: Алла Галанова
В Сингапуре создана первая гибкая микросхема магниторезистивной памяти с произвольным доступом.

Быстрая и гибкая

Специалисты Национального университета Сингапура (NUS) создали первую в мире гибкую микросхему магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).

Выглядит новая схема как маленький кусочек пластиковой пленки с нанесенным на него рисунком.

К достоинствам MRAM относится высокое быстродействие и способность хранить информацию в отсутствие питания, что делает ее универсальной заменой памяти DRAM и NAND. Однако, стоит отметить, что по плотности MRAM пока уступает этим типам памяти.

Открытие гибкой микросхемы уже запатентовано в США и Южной Кореее. Подходы, которые были применены для создания гибкой памяти, специалисты рассчитывают применить и для создания других гибких электронных приборов, которые тоже могут найти применение в носимой электронике.

Предыдущие открытия

С момента изобретения специалистами IBM магниторезистивной памяти прошло 20 лет, но за последние годы специалистам IBM и Samsung удалось продемонстрировать хорошую масштабируемость памяти STT-MRAM (магниторезистивная память, в которой используется эффект передачи момента спина), уменьшив ее ячейку до 11 нм. Изменение состояния ячейки выполняется всего за 10 нс, а потребляемый при этом ток составляет 7,5 мкА.

Сотрудник Национального университета Сингапура демонстрирует гибкий чип MRAM

Ячейку MRAM можно представить как пару магнитов с изолирующим слоем между ними. Если полярность магнитов совпадает, считается, что в ячейке записан «0», в противном случае — «1». Один магнит имеет постоянную полярность, а направление намагниченности второго можно менять, записывая информацию.

Другие аналоги DRAM

Представленный в мае 2016 г. в Париже на конференции IEEE International Memory Workshop рабочий прототип первой в индустрии памяти PCM предусматривает возможность записи в каждую ячейку трёх бит данных. Иными словами, в компании смогли утроить ёмкость чипа PCM, не уменьшая масштаб техпроцесса и не снижая объём ячейки. Это обещает привести к более широкому использованию памяти PCM. По быстродействию она приближается к скорости работы оперативной памяти, что делает её кандидатом на единую универсальную память в будущем.

До сих пор главными препятствиями на пути коммерциализации памяти PCM являлись ее высокая стоимость и очень низкая плотность – не более одного бита на ячейку. Это ограничение делало невозможным применение памяти PCM в смартфонах или ноутбуках. К достоинствам PCM можно отнести сочетание высокой производительности, почти такой же, как у DRAM, с энергонезависимостью флэш-памяти. Более того, от флэш-памяти PCM отличается более длительным сроком службы – до 10 млн циклов перезаписи против 3 тыс. перезаписей у флэш-памяти.