МФТИ разрабатывает флэш-память «с переносом спинового момента»

Бизнес Инвестиции и M&A Интеграция Электроника Техника
мобильная версия
, Текст: Сергей Попсулин

Московский физико-технический институт и «Крокус НаноЭлектроника» совместно разработают технологию производства памяти STT-MRAM на мощностях российской компании. Партнеры не озвучили срок, в который они планируют запустить производство.   


Совместная работа 

Московский физико-технический институт (МФТИ) и «Крокус НаноЭлектроника» (портфельная компания «Роснано») совместно разработают и протестируют технологии производства магнитной памяти нового поколения STT-MRAM, говорится в совместном сообщении. 

Сотрудничество затронет разработку новых материалов, конструирование устройств, а также разработку методов их контроля и моделирования. Деятельность будет вестись с учетом того, что память будет выпускаться на мощностях «Крокус НаноЭлектроники».

Технология памяти

STT-MRAM расшифровывается как Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory («оперативная магнитная память с переносом спинового момента»). В памяти используется «перенос спина» для перезаписи ячеек памяти.

По сравнению с памятью DRAM такая технология обладает рядом преимуществ. Она поддерживает большее количество циклов перезаписи и обладает более высокой скоростью. Для изменения состояния ячеек требуется электрический ток меньшей величины, в результате чего энергопотребление получается ниже. 

 
МФТИ и «Крокус НаноЭлектроника» разработают технологию производства памяти STT-MRAM

На сегодня все крупнейшие производители современной оперативной памяти DRAM имеют свои программы по внедрению STT-MRAM — данная технология считается основным кандидатом на замещение DRAM в ближайшем будущем, говорится в заявлении.

Производство

МФТИ и «Крокус НаноЭлектроника» планируют разработать микросхемы памяти STT-MRAM для производства с технологической нормой 65-90 нм на подложках диаметром 300 мм. 

«Мы ожидаем, что наш вклад и совместные усилия позволят КНЭ запустить производство STT-MRAM памяти в России в самое короткое время», — заявил заместитель заведующего лабораторией физики магнитных гетероструктур и спинтроники для энергосберегающих информационных технологий и руководитель работ от МФТИ Дмитрий Лещинер.

Однако партнеры не назвали конкретные сроки запуска чипов памяти в производство.

О компании «Крокус НаноЭлектроника»

«Крокус НаноЭлектроника» была создана в 2011 г. Помимо «Роснано», ее инвесторами являются CDC Innovation, IDInvest Partners, NanoDimension, Sofinnova Ventures, Ventech и группа компаний «Промышленные инвесторы». 

В компании работает более 100 человек.

Согласно информации на сайте «Роснано», общий объем инвестиций в проект составил p11,8 млрд, из которых 4,5 млрд вложила «Роснано». 

Подписаться на новости
Другие материалы рубрики
Рамблер.Новости