Samsung Electronics запустила серийное производство 256-гигабитной флэш-памяти 3D V-NAND

Интеграция Электроника
мобильная версия
, Текст: Татьяна Короткова

Компания Samsung Electronics Co. объявила о начале серийного производства 256-гигабитной, трехмерной (3D) флэш-памяти Vertical NAND (V-NAND), которая включает 48 слоев массивов 3-разрядных многоуровневых ячеек (MLC) и предназначена для использования в твердотельных дисках (SSD). Об этом говорится в заявлении Samsung, поступившем в редакцию CNews. Второе поколение чипов V-NAND (32-слойная, 3-разрядная память MLC V-NAND) компания анонсировала в августе 2014 г.

«Благодаря появлению третьего поколения флэш-памяти V-NAND на международном рынке теперь мы можем предлагать продвинутые решения памяти, которые характеризуются даже более высокой эффективностью в связи с повышением производительности, ростом энергоэкономичности и повышением эффективности производственных процессов. Все это в итоге позволит ускорить рост рынков высокопроизводительных твердотельных дисков с высокой плотностью записи данных, — заявил Юнг Хьюн Джун, президент подразделения решений памяти, Samsung Electronics. — Благодаря полноценному использованию характеристик памяти Samsung V-NAND мы сможем расширить свою линейку решений премиум-уровня для корпоративного сегмента рынка и сегмента рынка ЦОД, а также для потребительского рынка, продолжая, в то же время, продвигать стратегическое направление по оптимизации технологии твердотельных дисков».

Плотность записи данных для новой флэш-памяти 256Гб 3D V-NAND от Samsung в два раза превышает аналогичные показатели традиционных чипов флэш-памяти 128 Гб NAND. Помимо того, что удалось обеспечить объем памяти 32 гигабайта (256 гигабит) на базе одного кристалла, новый чип также позволит удвоить емкость существующих твердотельных накопителей Samsung и стать оптимальным решением для мультитерабайтных твердотельных дисков, рассказали в компании.

В новом чипе V-NAND в каждой ячейке используется структура 3D Charge Trap Flash (CTF), в составе которой массивы ячеек устанавливаются вертикально друг на друга и образуют, таким образом, 48-слойный массив, который подключается электрически через 1,8 млрд канальных отверстий, пронизывающих массивы благодаря специальной технологии травления. В целом каждый чип включает более чем 85,3 млрд ячеек. Каждая ячейка может хранить 3 бита данных, что в целом позволяет хранить 256 млрд бит данных. «Другими словами, объем данных 256 Гб умещается на чипе, который можно разместить на кончике пальца», — пояснили в компании.

48-слойный чип 3-разрядной флэш-памяти MLC 256Гб V-NAND потребляет электроэнергии более чем на 30% меньше по сравнению с 32-слойным чипом 3-разрядной памяти MLC 128Гб V-NAND, но при этом он имеет такой же объем памяти. В ходе производства нового чипа также обеспечивается рост производительности приблизительно на 40% по сравнению с его 32-слойным предшественником, что в итоге позволяет сделать цены на твердотельные диски более привлекательными, при этом не требуется замена уже существующего оборудования, утверждают в Samsung.

Компания планирует производить третье поколение памяти V-NAND на протяжении оставшихся месяцев 2015 г., чтобы ускорить переход на терабайтные твердотельные диски. Внедряя твердотельные диски, предназначенные для рядовых потребителей, с плотностью записи данных в два терабайта и выше, Samsung также рассчитывает увеличить объемы продаж твердотельных дисков с высокой плотностью записи данных, предназначенных для крупных предприятий и центров обработки данных и обеспечивающих поддержку интерфейсов PCIe NVMe и SAS.