Samsung анонсировала выпуск продуктов на базе 64-слойной флэш-памяти V-NAND 4-го поколения

Интеграция Инфраструктура Электроника
мобильная версия
, Текст: Татьяна Короткова

Компания Samsung Electronics Co. объявила о выпуске прототипов решений флэш-памяти нового поколения, которые позволят удовлетворить постоянно растущие потребности сетей для обработки крупных объемов данных, облачных вычислений и анализа в режиме реального времени. В частности, компания продемонстрировала свою память 4-го поколения Vertical NAND (V-NAND) и линейку высокопроизводительных твердотельных накопителей с большой емкостью корпоративного класса, а также накопитель Z-SSD — новое решение с высокой производительностью флэш-накопителя, сообщили CNews в Samsung.

Как ожидается, новые устройства флэш-памяти Samsung позволят удовлетворить растущие потребности в дисковом пространстве современных корпоративных вычислительных сетей, размещать огромные объемы данных и обеспечат их высокоскоростную обработку, снизив при этом совокупную стоимость владения для центров обработки данных.

Память V-NAND 4-го поколения

Представленная Samsung 64-слойная флэш-память V-NAND (трехуровневые ячейки) 4-го поколения позволяет расширить возможности памяти NAND с точки зрения масштабирования, производительности и объемов накопителей. Благодаря 64 слоям матриц элементов новая память V-NAND может увеличить свою плотность на кристалл до уровня 512 ГБ и скорость ввода-вывода до 800 Мбит/с. Начиная с августа 2013 г. компания уже успела представить три поколения продуктов V-NAND с 24, 32 и 48 вертикальными слоями матриц элементов.

Samsung планирует начать в четвертом квартале этого года поставки первых продуктов на базе флэш-памяти V-NAND 4-го поколения, которые, как считают в компании, помогут производителям создавать более быстрые портативные вычислительные устройства, предлагая при этом потребителям вычислительную среду с большей скоростью отклика.

«Благодаря нашей технологии 4-го поколения V-NAND мы сможем предложить ряд передовых решений с точки зрения емкости, производительности и компактности размеров. Все это вместе позволит нашим клиентам снизить совокупную стоимость владения, — заявил Юнг Хьюн Джун, президент подразделения решений памяти, Samsung Electronics. — Мы будем продолжать предлагать передовые решения V-NAND и расширять свои проекты по разработке флэш-памяти».

Твердотельный диск SAS 32 ТБ

Последняя модель твердотельного накопителя Serial Attached SCSI (SAS) от Samsung — это крупный диск на основе 512-гигабитных чипов V-NAND. В целом 512 чипов V-NAND объединены в 16 слоев и образуют таким образом пакет 1 ТБ. Твердотельный диск 32 ТБ включает 32 таких пакета, рассказали в компании.

По оценкам производителя, благодаря использованию новой конструкции 4-го поколения V-NAND твердотельный диск 32 ТБ SAS может сократить системные требования к пространству в 40 раз по сравнению с системой аналогичного типа, где используется две стойки жестких дисков (HDD). Твердотельный диск 32 ТБ SAS будет поставляться в 2,5-дюймовом форм-факторе, производство начнется в 2017 г. Samsung также ожидает, что твердотельные диски с емкостью более чем 100 ТБ будут доступны к 2020 г. благодаря постоянной оптимизации технологии V-NAND.

1 ТБ памяти в одном пакете BGA

Твердотельный диск 1 ТБ BGA от Samsung имеет компактную структуру пакета BGA (массив шариков), который содержит все необходимые компоненты твердотельного накопителя, включая чипы флэш-памяти V-NAND (трехуровневые ячейки), мобильную память LPDDR4 DRAM и современный контроллер Samsung.

Как отмечается, он обеспечивает высокую производительность: так, скорость последовательного чтения составляет 1500 МБ/с, скорость последовательной записи — 900 МБ/с. Уменьшив свой размер на 50% по сравнению с предшественником, этот твердотельный накопитель весит всего лишь около грамма (меньше половины веса монеты в 10 центов США), что делает его оптимальным решением для ультракомпактных ноутбуков, планшетов и устройств-трансформеров нового поколения.

В следующем году компания планирует выпустить твердотельный диск BGA 1 ТБ, применив технологию высокоплотного пакетирования под названием FO-PLP (веерное пакетирование слоев на панели), которую Samsung Electronics разработала совместно с подразделением Samsung Electro-Mechanics.

Новый накопитель Z-SSD

Компания также разработала высокопроизводительный твердотельный накопитель с ультранизкой задержкой под названием Z-SSD. По словам представителей Samsung, модель Z-SSD имеет фундаментальную конструкцию на базе V-NAND и уникальную конструкцию микросхем и контроллера, что позволяет добиться высокой производительности: по данным компании, задержка — в 4 раза меньше, а скорость последовательного чтения — в 1,6 раза выше по сравнению с твердотельными дисками Samsung PM963 NVMe (Non-Volatile Memory Express).

Накопитель Z-SSD будет использоваться в системах, где требуется чрезвычайно интенсивный анализ в режиме реального времени, а также где требуется увеличить производительность для всех типов рабочих нагрузок. Ожидается, что накопитель будет выпущен в следующем году.