Samsung начала серийное производство модулей 128 ГБ DDR4 для корпоративных серверов

Интеграция Электроника
мобильная версия
, Текст: Татьяна Короткова

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства памяти TSV DDR4 в модулях 128 ГБ, предназначенных для корпоративных серверов и центров обработки данных. Об этом говорится в заявлении Samsung, поступившем в редакцию CNews.

В 2014 г. Samsung представила память 3D TSV DDR4 DRAM (64 ГБ). За счет выпуска компанией новой памяти TSV RDIMM появится возможность применять память с ультравысокой емкостью на корпоративном уровне. Новый модуль TSV DRAM от Samsung имеет большую емкость и высокую энергоэффективность, обеспечивая при этом высокую скорость работы и показатели надежности, указали в компании.

«Мы очень рады, что серийное производство наших высокоскоростных, энергоэкономичных модулей 128 ГБ TSV DRAM позволит нашим международным ИТ-клиентам и партнерам выпустить новое поколение корпоративных решений со значительно выросшими показателями эффективности и масштабируемости с учетом вложенных средств, — заявил Джу Сун Чой, исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу решений памяти Samsung Electronics. — Мы будем продолжать расширять техническое сотрудничество с международными лидерами на рынке серверов, бытовой электроники и на новых рынках, где потребители могут извлечь пользу из инновационных технологий, которые повышают их производительность работы и расширяют возможности конечных пользователей.

Модуль 128 ГБ TSV DDR4 RDIMM включает в целом 144 чипа DDR4, объединенных в 36 пакетов 4 ГБ DRAM, каждый из которых состоит из четырех 8-гигабитных чипов класса 20 нм, собранных на базе современной технологии пакетирования TSV.

В традиционных пакетах чипов кристаллы соединяются между собой проводным монтажом, в то время как в пакетах TSV кристаллы чипов обрабатываются до толщины в несколько десятков микронов, после чего в них создаются сотни мельчайших отверстий, через которые вертикально проводятся электроды, рассказали в Samsung. Это позволяет увеличить скорость передачи сигнала. Помимо высокой емкости и современной конструкции проводки на базе технологии TSV, модуль 128 ГБ TSV DDR4 имеет специальную конструкцию: основной чип каждого пакета 4 ГБ выполняет функцию буфера данных, что позволяет оптимизировать производительность и энергопотребление модуля, подчеркнули в компании.

Как результат, модуль 128 ГБ TSV DDR4 RDIMM является энергоэкономичным решением для серверов нового поколения. По данным Samsung, эта память может обеспечивать скорость до 2400 Мбит/с, что позволяет увеличить производительность почти в два раза, снизив энергопотребление на 50% по сравнению с ранее выпущенными модулями DRAM высокой емкости — 64 ГБ LRDIMM, в которых пакетные стеки из четырех чипов имеют ограничения по питанию и скорости в связи с использованием традиционного проводного монтажа.

«Компания Samsung реагирует на растущий спрос на память DRAM с ультравысокой емкостью, ускоряя внедрение технологии TSV на рынке и быстро расширяя производство чипов 8Gb DRAM класса 20 нм, чтобы повысить производительность промышленных процессов», — заявили в компании.

Samsung намерена представить полноценную линейку новых высокопроизводительных модулей TSV DRAM в течение нескольких следующих недель, включая модули 128 ГБ LRDIMM. Кроме того, компания продолжит выпускать модули TSV DRAM с более высокой производительностью, включая модули со скоростью передачи данных до 2667 Мбит/с и 3200 Мбит/с, в ответ на растущий спрос со стороны рынка корпоративных серверов. Компания также планирует начать применять технологию TSV в модулях HBM и потребительских продуктах.